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Diskette HalblerProdukte (13379)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
SBL550	- - -	RFQ	4214	Dioden Eingenbaut	- - -	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-2		Schottky		To-220ac	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													50 v		700 mv @ 5 a		500 µa @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	5a	- - -
DMC2053UFDB-13	0,0912	RFQ	5932	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-udfn exponiert pad	DMC2053	MOSFET (Metalloxid)	820 MW (TA)	U-DFN2020-6 (Typ B)	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	31-DMC2053UFDB-13TR	Ear99	8541.29.0095	10.000	N-und p-kanal-krementär			20V	4,6a (TA), 3,1a (TA)		35MOHM @ 5A, 4,5 V, 75 MOHM @ 3,5A, 4,5 V.	1V @ 250 ähm	7.7nc @ 10v, 12.7nc @ 8v		369pf @ 10v, 440pf @ 10v	- - -
DMT3006LPS-13	0,6300	RFQ	9832	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	DMT3006	MOSFET (Metalloxid)		PowerDI5060-8	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	2.500			N-Kanal	30 v	16A (TA), 65A (TC)	4,5 V, 10 V.	6mohm @ 20a, 10V	3v @ 250 ähm	22.6 NC @ 10 V.	± 20 V	1320 PF @ 15 V	- - -	1,3W (TA), 42W (TC)
SDM20U40Q-13	0,0340	RFQ	8419	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	SC-79, SOD-523	SDM20	Schottky		SOD-523	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	31-SDM20U40Q-13TR	Ear99	8541.10.0070	10.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													40 v		600 MV @ 200 Ma	10 ns	5 µa @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C.	250 Ma	50pf @ 0v, 1 MHz
BAV21W	- - -	RFQ	1265	Dioden Eingenbaut	- - -	Schüttgut	Lets Kaufen			Oberflächenhalterung	SOD-123	BAV21	Standard		SOD-123	- - -				31-BAV21W	Ear99	8541.10.0070	1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													250 V		1,25 V @ 200 Ma	50 ns	100 µA @ 200 V.	-55 ° C ~ 150 ° C.	400 ma	5PF @ 0V, 1MHz
LZ52C4V7W	- - -	RFQ	9512	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Lets Kaufen	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	1206 (3216 Metrik)	LZ52C		500 MW	1206	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.10.0050	5.000																	1,5 V @ 200 Ma		500 na @ 1 v							4,7 v	70 Ohm
ZVP4525GQTA	0,3070	RFQ	5661	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa		MOSFET (Metalloxid)		SOT-223	Herunterladen				31-ZVP4525GQTA	Ear99	8541.29.0095	1.000			P-Kanal	250 V	265 Ma (TA)	3,5 V, 10 V.	14ohm @ 200 mA, 10V	2V @ 1ma	3 NC @ 10 V	± 40 V	82 PF @ 25 V.	- - -	2W (TA)
ADTA113ZCAQ-7	- - -	RFQ	5827	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	ADTA113		310 MW	SOT-23-3	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																							50 v	100 ma	- - -			PNP - VoreInensmen	- - -	33 @ 10ma, 5v	250 MHz	1 Kohms	10 Kohms
SBR05U30LP-7	- - -	RFQ	9880	Dioden Eingenbaut	SBR®	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	0402 (1006 Metrik)		Superbarriere		X1-DFN1006-2	- - -		1 (unbegrenzt)		31-SBR05U30LP-7TR	Ear99	8541.10.0070	3.000		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)													30 v		580 mv @ 500 mA		500 µa @ 30 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	500 mA	- - -
1N4148WSQ-13-F	0,0284	RFQ	9123	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	SC-76, SOD-323	1N4148	Standard		SOD-323	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	31-1N4148WSQ-13-FTR	Ear99	8541.10.0070	10.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit													75 V		1,25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	150 Ma	2PF @ 0V, 1MHz
PR1502S-T	- - -	RFQ	4307	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial	PR1502	Standard		Do-41	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	5.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													100 v		1,2 V @ 1,5 a	150 ns	5 µa @ 100 V.	-65 ° C ~ 150 ° C.	1,5a	- - -
PR6002-T	- - -	RFQ	5283	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			K. Loch	R-6, axial	PR6002	Standard		R-6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	500		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													100 v		1,2 V @ 6 a	150 ns	10 µa @ 100 V.	-65 ° C ~ 150 ° C.	6a	140pf @ 4v, 1 MHz
DFLS120L-7-52	0,1243	RFQ	8696	Dioden Eingenbaut	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	PowerDI®123	DFLS120	Schottky		PowerDi ™ 123	Herunterladen				31-DFLS120L-7-52	Ear99	8541.10.0080	3.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													20 v		360 mv @ 1 a		1 ma @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C.	1a	75PF @ 10V, 1 MHz
SBRT20V60CTB-13	- - -	RFQ	1741	Dioden Eingenbaut	Trenchsbr	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	SBRT20	Superbarriere		To-263ab (d²pak)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		31-SBRT20V60CTB-13TR	Ear99	8541.10.0080	800		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)												1 Paar Gemeinsamer Kathode	60 v	10a	550 mV @ 10 a		300 µa @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
B540C-13-F-52	0,1938	RFQ	5845	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	Do-214AB, SMC	B540	Schottky		SMC	Herunterladen				31-B540C-13-F-52	Ear99	8541.10.0080	3.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													40 v		550 mV @ 5 a		500 µa @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	5a	300PF @ 4V, 1 MHz
RS1MB-13-F-52	0,1337	RFQ	5749	Dioden Eingenbaut	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	Do-214aa, SMB	RS1M	Standard		SMB	Herunterladen				31-RS1MB-13-F-52	Ear99	8541.10.0080	3.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													1000 v		1,3 V @ 1 a	500 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	1a	15PF @ 4V, 1 MHz
DDTB122JU-7-F	- - -	RFQ	4026	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	DDTB122		200 MW	SOT-323	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																							50 v	500 mA	500NA			PNP - VoreInensmen	300 mV @ 2,5 mA, 50 mA	47 @ 50 Ma, 5V	200 MHz	220 Ohm	4.7 Kohms
DMT3020lfvw-7	0,1674	RFQ	1695	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn	DMT3020	MOSFET (Metalloxid)		PowerDI3333-8 (Typ UX)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.000			N-Kanal	30 v	38a (TC)	4,5 V, 10 V.	17mohm @ 9a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	7 NC @ 10 V	± 20 V	393 PF @ 15 V	- - -	1W (TA)
MMBZ5226BQ-7-F	0,0337	RFQ	5539	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23-3	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	31-mmbz5226bq-7-Ftr	Ear99	8541.10.0050	3.000																	900 mv @ 10 mA		25 µa @ 1 V							3.3 v	28 Ohm
DMP3021SPSW-13	0,2369	RFQ	6474	Dioden Eingenbaut	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke	8-Powertdfn	DMP3021	MOSFET (Metalloxid)		PowerDI5060-8 (Typ UX)	- - -				31-DMP3021spsw-13	Ear99	8541.29.0095	2.500			P-Kanal	30 v	10.6a (TA), 52,7a (TC)	5v, 10V	15mohm @ 8a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	34 NC @ 10 V.	± 25 V	1799 PF @ 15 V	- - -	1,8W (TA)
DMN62D0LFB-7B	0,0814	RFQ	7180	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	3-Ufdfn	DMN62	MOSFET (Metalloxid)		X1-DFN1006-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	10.000			N-Kanal	60 v	100 mA (ta)	1,5 V, 4V	2OHM @ 100 mA, 4V	1V @ 250 ähm	0,45 NC @ 4,5 V.	± 20 V	32 PF @ 25 V.	- - -	470 MW (TA)
BZX84C27S-7-F	0,0756	RFQ	6597	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 7,04%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Bzx84		200 MW	SOT-363	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	BZX84C27S-FDITR	Ear99	8541.10.0050	3.000	2 Unabhängig																900 mv @ 10 mA		100 Na @ 18,9 V.							27 v	80 Ohm
B280BE-13	- - -	RFQ	3673	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	Do-214aa, SMB	B280	Schottky		SMB	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	3.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													80 v		790 mv @ 2 a		7 µa @ 80 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	2a	70pf @ 4V, 1 MHz
DMP2012SN-7	0,3900	RFQ	5	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DMP2012	MOSFET (Metalloxid)		SC-59-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000			P-Kanal	20 v	900 mA (TA)	2,5 V, 4,5 V.	300 MOHM @ 400 Ma, 4,5 V.	1,2 V @ 250 ähm		± 12 V	178.5 PF @ 10 V.	- - -	500 MW
DMP2004KQ-7	- - -	RFQ	5539	Dioden Eingenbaut	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DMP2004	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen				31-DMP2004KQ-7	Ear99	8541.21.0095	3.000			P-Kanal	20 v	600 mA (TA)	1,8 V, 4,5 V.	900MOHM @ 430 Ma, 4,5 V.	1V @ 250 ähm		± 8 v	175 PF @ 16 V	- - -	550 MW
BZX84C12Q-13-F	0,0280	RFQ	4794	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5,42%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	Bzx84		300 MW	SOT-23-3	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	31-BZX84C12Q-13-FTR	Ear99	8541.10.0050	10.000																	900 mv @ 10 mA		100 na @ 8 v							12 v	25 Ohm
DZTA92-13	0,4400	RFQ	9	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa	DZTA92		1 w	SOT-223-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	2.500																							300 V	500 mA	250na (ICBO)			PNP	500 mv @ 2MA, 20 mA	25 @ 30 Ma, 10V	50 MHz
SDM40E20LA-7-2477	- - -	RFQ	5534	Dioden Eingenbaut	- - -	Schüttgut	Lets Kaufen			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3		Schottky		SOT-23-3	- - -				31-SDM40E20LA-7-2477			1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												1 Paar -Gemeinsamer -Anode	20 v	400 ma	310 mv @ 100 mA		250 µa @ 20 V	-65 ° C ~ 125 ° C.
DDZ12B-7	0,2500	RFQ	3	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 2,5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SOD-123	DDZ12		310 MW	SOD-123	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																	900 mv @ 10 mA		100 NA @ 9.1 V.							12 v	12 Ohm
DMP3125L-7	0,4600	RFQ	621	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DMP3125	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000			P-Kanal	30 v	2,5a (TA)	4,5 V, 10 V.	95mohm @ 3,8a, 10V	2,1 V @ 250 ähm	3.1 NC @ 4.5 V.	± 20 V	254 PF @ 25 V	- - -	650 MW (TA)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (13379)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²