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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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DMN26D0UFB4-7B | - - - | ![]() | 8650 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMN26 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN1006-3 | Herunterladen | 31-DMN26D0UFB4-7B | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-Kanal | 20 v | 240 mA (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 3OHM @ 100 mA, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | ± 10 V | 14.1 PF @ 15 V | - - - | 350 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C13S-7 | - - - | ![]() | 8932 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bzx84 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 13 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR20A120CTFP | - - - | ![]() | 7879 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR20 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 120 v | 10a | 790 mv @ 10 a | 100 µA @ 120 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52HC5V1WF-7 | 0,2500 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,88% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV21WSQ-7-F | 0,2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BAV21 | Standard | SOD-323 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 200 v | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C2V4-7-F-79 | - - - | ![]() | 1845 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BZT52 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C2V4-7-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR6030pt | - - - | ![]() | 6768 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | MBR6030 | Schottky | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 60a | 750 mV @ 60 a | 1 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52HC16WF-7 | 0,0439 | ![]() | 6569 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,63% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 11.2 V. | 16 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B350CE-13 | - - - | ![]() | 4674 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | B350 | Schottky | SMC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 650 mv @ 3 a | 100 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 110PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
AZ23C2V7-7 | - - - | ![]() | 9572 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C2v7 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 2,7 v | 83 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDA114TUQ-13-F | 0,0597 | ![]() | 1257 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101, DDA (XXXX) U. | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDA114 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DDA114TUQ-13-FTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 160 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C27-13 | - - - | ![]() | 8578 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 7% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 18,9 V. | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B3L30LP-7 | 0,6100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powerudfn | B3L30 | Schottky | U-DFN3030-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 450 mV @ 3 a | 1 ma @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFLZ9V1Q-7 | 0,1417 | ![]() | 4406 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | DFLZ9 | 1 w | PowerDi ™ 123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 5 V | 9.1 v | 1 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR0240LPWQ-7B | 0,0570 | ![]() | 5997 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automotive, AEC-Q101, SBR® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | Superbarriere | X1-DFN1006-2 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-SBR0240LPWQ-7BTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 590 MV @ 200 Ma | 3.8 ns | 10 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 8PF @ 5V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF20200CT-JT | - - - | ![]() | 2752 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MBRF20200CT-JTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 890 mv @ 10 a | 100 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84B3V0-7-F | 0,1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C5V1S-7 | - - - | ![]() | 8927 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT585B6V2T-7 | 0,2300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT585 | 350 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN6040SVT-7 | 0,5200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMN6040 | MOSFET (Metalloxid) | TSOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 44mohm @ 4.3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 22.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1287 PF @ 25 V. | - - - | 1.2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | B350-13-F-2477 | - - - | ![]() | 3988 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Schottky | SMC | - - - | 31-B350-13-F-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 700 mv @ 3 a | 100 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 200pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT3020LFDF-7 | 0,6200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMT3020 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (typ f) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8.4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 9a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 7 NC @ 10 V | ± 20 V | 393 PF @ 15 V | - - - | 700 MW (TA), 1,8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
DZ23C18-7 | - - - | ![]() | 5506 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DZ23C18 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 18 v | 50 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD103BWS-7-F-79 | - - - | ![]() | 7557 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-SD103BWS-7-F-79TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 350 Ma | 28PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
DMN2320UFB4-7B | 0,4600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMN2320 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 1a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 320MOHM @ 500 mA, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 0,89 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 71 PF @ 10 V | - - - | 520 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDA114TUQ-7-F | 0,0644 | ![]() | 4594 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101, DDA (XXXX) U. | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDA114 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DDA114TUQ-7-FTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 160 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMN10B08E6QTA | 0,3590 | ![]() | 7153 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-26 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 31-Zxmn10b08e6qtatr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 1,6a (ta) | 4,3 V, 10 V. | 230mohm @ 1,6a, 10 V. | 3v @ 250 ähm | 9.2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 497 PF @ 50 V | - - - | 1.1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54STA-2477 | - - - | ![]() | 3920 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Schottky | SOT-23-3 | - - - | 31-bat54sta-2477 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 30 v | 200 ma | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fr307-T | - - - | ![]() | 9717 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Fr307 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 3 a | 500 ns | 10 µa @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4005G-T | 0,3000 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4005 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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