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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
BZT52C2V0-13-G Diodes Incorporated BZT52C2V0-13-G - - -
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet BZT52 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZT52C2V0-13-GDI Ear99 8541.10.0050 10.000
LZ52C16W Diodes Incorporated LZ52C16W - - -
RFQ
 ECAD 8070 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 1206 (3216 Metrik) LZ52C 500 MW 1206 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 200 Ma 100 Na @ 12 V. 16 v 40 Ohm
1N4736A-T Diodes Incorporated 1N4736a-t - - -
RFQ
 ECAD 6392 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4736 1 w Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 4 V. 6,8 v 3,5 Ohm
UF2006-T Diodes Incorporated UF2006-T - - -
RFQ
 ECAD 7519 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial Standard Do-15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 4.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,7 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 30pf @ 4v, 1 MHz
BZT585B33T-7 Diodes Incorporated BZT585B33T-7 0,2300
RFQ
 ECAD 1616 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 23.1 v 33 v 80 Ohm
DMP1011LFVQ-13 Diodes Incorporated DMP1011LFVQ-13 0,2024
RFQ
 ECAD 4314 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn DMP1011 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMP1011LFVQ-13TR Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 12 v 13a (ta), 19a (TC) 2,5 V, 4,5 V. 11,7 MOHM @ 12A, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 9,5 NC @ 6 V -6v 913 PF @ 6 V - - - 1.05W
DFLZ4V7-7 Diodes Incorporated DFLZ4V7-7 - - -
RFQ
 ECAD 5894 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet DFLZ4 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 31-DFLZ4V7-7TR Ear99 8541.10.0050 3.000
DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated DMG8601UFG-7 0,5800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerudfn DMG8601 MOSFET (Metalloxid) 920 MW U-DFN3030-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss 20V 6.1a 23mohm @ 6,5a, 4,5 V. 1,05 V @ 250 ähm 8,8nc @ 4,5V 143pf @ 10v Logikpegel -tor
B360B-13-F Diodes Incorporated B360B-13-F 0,4100
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB B360 Schottky SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 700 mv @ 3 a 500 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 200pf @ 4v, 1 MHz
DC0150BDJ-7 Diodes Incorporated DC0150BDJ-7 - - -
RFQ
 ECAD 7653 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet DC0150 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-DC0150BDJ-7TR Veraltet 3.000
DSC04065 Diodes Incorporated DSC04065 2.5650
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 ECAD 8518 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 DSC040 SIC (Silicon Carbide) Schottky TO220AC (Typ WX) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-dsc04065 Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 4 a 0 ns 170 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 4a 149pf @ 100mv, 1 MHz
DMP1012UFDF-7 Diodes Incorporated DMP1012UFDF-7 0,1612
RFQ
 ECAD 5106 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMP1012 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 12 v 12,6a (TA), 20A (TC) 1,8 V, 4,5 V. 15mohm @ 5a, 4,5 V. 900 MV @ 250 ähm 31 NC @ 8 V ± 8 v 1344 PF @ 10 V. - - - 720 MW (TA)
DMN26D0UFB4-7B Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7B - - -
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn DMN26 MOSFET (Metalloxid) X2-DFN1006-3 Herunterladen 31-DMN26D0UFB4-7B Ear99 8541.21.0095 1 N-Kanal 20 v 240 mA (TA) 1,5 V, 4,5 V. 3OHM @ 100 mA, 4,5 V. 900 MV @ 250 ähm ± 10 V 14.1 PF @ 15 V - - - 350 MW (TA)
BZX84C13S-7 Diodes Incorporated BZX84C13S-7 - - -
RFQ
 ECAD 8932 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bzx84 200 MW SOT-363 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 2 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 100 na @ 8 v 13 v 30 Ohm
SBR20A120CTFP Diodes Incorporated SBR20A120CTFP - - -
RFQ
 ECAD 7879 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte SBR20 Superbarriere ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 120 v 10a 790 mv @ 10 a 100 µA @ 120 V -65 ° C ~ 175 ° C.
BZT52HC5V1WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC5V1WF-7 0,2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,88% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 2 µa @ 2 V 5.1 v 60 Ohm
BAV21WSQ-7-F Diodes Incorporated BAV21WSQ-7-F 0,2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BAV21 Standard SOD-323 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 200 v 1,25 V @ 200 Ma 50 ns 100 Na @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 200 ma 5PF @ 0V, 1MHz
BZT52C2V4-7-F-79 Diodes Incorporated BZT52C2V4-7-F-79 - - -
RFQ
 ECAD 1845 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet BZT52 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZT52C2V4-7-F-79DI Ear99 8541.10.0050 3.000
MBR6030PT Diodes Incorporated MBR6030pt - - -
RFQ
 ECAD 6768 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MBR6030 Schottky To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 60a 750 mV @ 60 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C.
BZT52HC16WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC16WF-7 0,0439
RFQ
 ECAD 6569 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,63% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 11.2 V. 16 v 20 Ohm
B350CE-13 Diodes Incorporated B350CE-13 - - -
RFQ
 ECAD 4674 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC B350 Schottky SMC Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 650 mv @ 3 a 100 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 110PF @ 4V, 1 MHz
AZ23C2V7-7 Diodes Incorporated AZ23C2V7-7 - - -
RFQ
 ECAD 9572 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 AZ23C2v7 300 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 2,7 v 83 Ohm
DDA114TUQ-13-F Diodes Incorporated DDA114TUQ-13-F 0,0597
RFQ
 ECAD 1257 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101, DDA (XXXX) U. Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDA114 200 MW SOT-363 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DDA114TUQ-13-FTR Ear99 8541.21.0075 10.000 50V 100 ma 500NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 100 µA, 1 mA 160 @ 1ma, 5V 250 MHz 10kohm - - -
BZT52C27-13 Diodes Incorporated BZT52C27-13 - - -
RFQ
 ECAD 8578 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 100 Na @ 18,9 V. 27 v 80 Ohm
B3L30LP-7 Diodes Incorporated B3L30LP-7 0,6100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 8-Powerudfn B3L30 Schottky U-DFN3030-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 450 mV @ 3 a 1 ma @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
DFLZ9V1Q-7 Diodes Incorporated DFLZ9V1Q-7 0,1417
RFQ
 ECAD 4406 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung PowerDI®123 DFLZ9 1 w PowerDi ™ 123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 5 µa @ 5 V 9.1 v 1 Ohm
SBR0240LPWQ-7B Diodes Incorporated SBR0240LPWQ-7B 0,0570
RFQ
 ECAD 5997 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automotive, AEC-Q101, SBR® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 0402 (1006 Metrik) Superbarriere X1-DFN1006-2 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-SBR0240LPWQ-7BTR Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 40 v 590 MV @ 200 Ma 3.8 ns 10 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 200 ma 8PF @ 5V, 1 MHz
MBRF20200CT-JT Diodes Incorporated MBRF20200CT-JT - - -
RFQ
 ECAD 2752 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte Schottky ITO-220AB Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen MBRF20200CT-JTDI Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 10a 890 mv @ 10 a 100 µA @ 200 V. -55 ° C ~ 175 ° C.
BZX84B3V0-7-F Diodes Incorporated BZX84B3V0-7-F 0,1900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 10 µa @ 1 V 3 v 95 Ohm
BZT52C5V1S-7 Diodes Incorporated BZT52C5V1S-7 - - -
RFQ
 ECAD 8927 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 2 µa @ 2 V 5.1 v 60 Ohm
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    30.000.000

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