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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DMN6069SFVWQ-7 Diodes Incorporated DMN6069SFVWQ-7 0,1790
RFQ
 ECAD 7663 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn DMN6069 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN6069SFVWQ-7TR Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 60 v 4a (ta), 14a (TC) 4,5 V, 10 V. 69mohm @ 3a, 10V 3v @ 250 ähm 14 NC @ 10 V ± 20 V 740 PF @ 30 V - - - 2,5 W (TA)
DDTC114WE-7-F Diodes Incorporated DDTC114WE-7-F 0,0605
RFQ
 ECAD 9652 0.00000000 Dioden Eingenbaut Ddtc (r1 r2 -serie) e Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-523 DDTC114 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 24 @ 10ma, 5V 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
AZ23C7V5-7-G Diodes Incorporated AZ23C7V5-7-G - - -
RFQ
 ECAD 1272 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet AZ23C7V5 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen AZ23C7V5-7-GDI Ear99 8541.10.0050 3.000
SB360-T Diodes Incorporated SB360-T 0,2380
RFQ
 ECAD 4712 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-201ad, axial SB360 Schottky Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.200 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 740 mv @ 3 a 500 µa @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
DMN3024SFG-13 Diodes Incorporated DMN3024SFG-13 0,2035
RFQ
 ECAD 4513 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMN3024 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMN3024SFG-13DI Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 7.5a (ta) 4,5 V, 10 V. 23mohm @ 10a, 10V 2,4 V @ 250 ähm 10.5 NC @ 10 V ± 25 V 479 PF @ 15 V - - - 900 MW (TA)
UF5A600D1 Diodes Incorporated UF5A600D1 - - -
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 ECAD 1883 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Standard To-252-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen UF5A600D1DI Ear99 8541.10.0080 80 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,9 V @ 5 a 30 ns 10 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 5a 50pf @ 10v, 1 MHz
PR1507G-T Diodes Incorporated PR1507G-T - - -
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 ECAD 5931 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial Standard Do-15 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 4.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,3 V @ 1,5 a 500 ns 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 25pf @ 4v, 1 MHz
DSS4160DS-7 Diodes Incorporated DSS4160DS-7 0,4700
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 ECAD 7624 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 DSS4160 700 MW SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 1a 100NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 250mv @ 100 mA, 1a 100 @ 1a, 5V 220 MHz
SBR12A45SD1-T Diodes Incorporated SBR12A45SD1-T 0,8900
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 ECAD 8 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-201ad, axial SBR12 Superbarriere Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.200 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 480 mv @ 12 a 500 µa @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
DCX122LU-7-F Diodes Incorporated DCX122LU-7-F - - -
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 ECAD 4167 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX122 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma - - - 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 56 @ 10ma, 5V 200 MHz 220 Ohm 10kohm
MBR16100CT Diodes Incorporated MBR16100CT - - -
RFQ
 ECAD 8355 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Rohr Veraltet MBR16100 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen MBR16100CTDI Ear99 8541.10.0080 50
1N4760A-T Diodes Incorporated 1N4760a-t - - -
RFQ
 ECAD 2399 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4760 1 w Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 Ma 5 µA @ 51,7 V 68 v 150 Ohm
SDT20B60VCT Diodes Incorporated SDT20B60VCT 0,5630
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 ECAD 9793 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack SDT20 Schottky To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen SDT20B60VCTDI Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 10a 600 mv @ 10 a 100 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
DCX68-25-13 Diodes Incorporated DCX68-25-13 - - -
RFQ
 ECAD 2326 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa DCX68 1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 20 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 100 mA, 1a 160 @ 500 mA, 1V 330 MHz
ADTA144VCAQ-7 Diodes Incorporated ADTA144VCAQ-7 0,0658
RFQ
 ECAD 6401 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ADTA144 310 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-atta144vcaq-7tr Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 33 @ 10ma, 5v 250 MHz 47 Kohms 10 Kohms
DMN65D8LV-7 Diodes Incorporated DMN65D8LV-7 0,0620
RFQ
 ECAD 2453 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN65 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 - - - UnberÜHrt Ereichen 31-DMN65D8LV-7TR Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 310 mA (TA) 5v, 10V 3OHM @ 115 Ma, 10V 2v @ 250 ähm 0,87 NC @ 10 V. ± 20 V 22 PF @ 25 V. - - - 370 MW (TA)
ZXMN6A25K Diodes Incorporated ZXMN6A25K - - -
RFQ
 ECAD 4371 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 ZXMN6 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 7a (ta) 4,5 V, 10 V. 50mohm @ 3,6a, 10 V 3v @ 250 ähm 20,4 NC @ 10 V. ± 20 V 1063 PF @ 30 V - - - 2.11W (TA)
DMP2045UFDB-7 Diodes Incorporated DMP2045UFDB-7 0,1361
RFQ
 ECAD 1714 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMP2045 MOSFET (Metalloxid) 740 MW (TA) U-DFN2020-6 (Typ B) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMP2045UFDB-7TR Ear99 8541.29.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 20V 3.1a (ta) 90 MOHM @ 4A, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 6,8nc @ 4,5V 634PF @ 10V - - -
BZX84C5V6S-7-F Diodes Incorporated BZX84C5V6S-7-F 0,4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bzx84 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 2 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 1 µa @ 2 V. 5.6 v 40 Ohm
DMT10H9M9LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H9M9LSS-13 0,4606
RFQ
 ECAD 8585 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Aktiv DMT10 - - - UnberÜHrt Ereichen 31-DMT10H9M9LSS-13TR 2.500
DMT6015LSS-13 Diodes Incorporated DMT6015LSS-13 0,7100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMT6015 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 9.2a (ta) 4,5 V, 10 V. 16mohm @ 10a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 18.9 NC @ 30 V. ± 16 v 1103 PF @ 30 V - - - 1,5 W (TA)
BZX84C5V6W-7-F Diodes Incorporated BZX84C5V6W-7-F 0,2900
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 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 7% -65 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bzx84 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 1 µa @ 2 V. 5.6 v 40 Ohm
BZX84C4V3S-7 Diodes Incorporated BZX84C4V3S-7 - - -
RFQ
 ECAD 5461 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bzx84 200 MW SOT-363 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 2 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 1 V 4.3 v 90 Ohm
DDZ22DQ-7 Diodes Incorporated DDZ22DQ-7 - - -
RFQ
 ECAD 3340 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 DDZ22 310 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 17 v 22.08 v 30 Ohm
BAT54JW-7-F-2477 Diodes Incorporated BAT54JW-7-F-2477 - - -
RFQ
 ECAD 4445 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Schottky SOT-363 - - - 31-bat54JW-7-F-2477 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Unabhängig 30 v 200 ma 1 V @ 100 mA 5 ns 2 µa @ 25 V. -65 ° C ~ 125 ° C.
AZ23C5V6-7-G Diodes Incorporated AZ23C5v6-7-G - - -
RFQ
 ECAD 3353 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet AZ23C5v6 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen AZ23C5v6-7-GDI Ear99 8541.10.0050 3.000
BAT54W-7-F-2477 Diodes Incorporated BAT54W-7-F-2477 - - -
RFQ
 ECAD 4779 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Schottky SOT-323 - - - 31-bat54W-7-F-2477 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 30 v 1 V @ 100 mA 5 ns 2 µa @ 25 V. -65 ° C ~ 125 ° C. 200 ma 10pf @ 1V, 1 MHz
BZX84C2V7TA Diodes Incorporated BZX84C2V7TA - - -
RFQ
 ECAD 1994 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 350 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 20 µa @ 1 V 2,7 v 100 Ohm
SBR40U60CT-G Diodes Incorporated SBR40U60CT-G - - -
RFQ
 ECAD 9521 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-3 SBR40 Superbarriere To-220-3 - - - 31-SBR40U60CT-G 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 20a 600 mv @ 20 a 500 µa @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C.
DPLS540E-13 Diodes Incorporated DPLS540E-13 - - -
RFQ
 ECAD 5242 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-DPLS540E-13TR Veraltet 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerlager

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