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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
QZX363C5V6-7-F Diodes Incorporated Qzx363c5v6-7-f 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Qzx363 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 2 Kombinierte Gemeinsame -Anode 900 mv @ 10 mA 1 µa @ 2 V. 5.6 v 40 Ohm
DMN10H220LPDW-13 Diodes Incorporated DMN10H220LPDW-13 0,2165
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powertdfn DMN10 MOSFET (Metalloxid) 2.2W (TA) PowerDI5060-8 (Typ R) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN10H220LPDW-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 100V 8a (TC) 222mohm @ 2a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 6.7nc @ 10v 384PF @ 25V - - -
DMN61D9UWQ-7 Diodes Incorporated DMN61D9UWQ-7 0,3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMN61 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 400 mA (TA) 1,8 V, 5 V. 2OHM @ 50 Ma, 5V 1V @ 250 ähm 0,4 NC @ 4,5 V. ± 20 V 28.5 PF @ 30 V - - - 440 MW (TA)
DMTH4005SPS-13 Diodes Incorporated DMTH4005SPS-13 0,4410
RFQ
 ECAD 4298 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH4005 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 20,9a (TA), 100A (TC) 10V 3,7 MOHM @ 50A, 10V 4v @ 250 ähm 49.1 NC @ 10 V. ± 20 V 3062 PF @ 20 V - - - 2,6 W (TA), 150 W (TC)
DDC144TU-7 Diodes Incorporated DDC144TU-7 0,0756
RFQ
 ECAD 8109 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC144 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 50 ma 850na 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300mv @ 5ma, 50 mA 150 @ 25ma, 5V 250 MHz 47kohm - - -
DMP2035UQ-7 Diodes Incorporated DMP2035UQ-7 0,1473
RFQ
 ECAD 9617 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMP2035 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-DMP2035UQ-7TR Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 v 4,9a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 35mohm @ 4a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 15,4 NC @ 4,5 V. ± 10 V 1610 PF @ 10 V - - - 810 MW (TA)
SF10FG-T Diodes Incorporated SF10FG-T - - -
RFQ
 ECAD 5934 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 300 V 1,3 V @ 1 a 40 ns 10 µA @ 300 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 75PF @ 4V, 1 MHz
SB260-B Diodes Incorporated SB260-B - - -
RFQ
 ECAD 7567 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet - - - UnberÜHrt Ereichen 31-sb260-b Ear99 8541.10.0080 1
DCX115EK-7-F-50 Diodes Incorporated DCX115EK-7-F-50 0,0848
RFQ
 ECAD 4758 0.00000000 Dioden Eingenbaut DCX (xxxx) k Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 DCX115 300 MW SC-74R Herunterladen 31-DCX115EK-7-F-50 Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100kohm 100kohm
DMTH4005SCT Diodes Incorporated DMTH4005SCT 1.3124
RFQ
 ECAD 9492 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 DMTH4005 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 40 v 100a (TC) 10V 4.7mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm 49.1 NC @ 10 V. ± 20 V 3062 PF @ 20 V - - - 2,8 W (TA), 125W (TC)
DMP25H18DLFDE-7 Diodes Incorporated DMP25H18DLFDE-7 1.3900
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-Powerudfn DMP25 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (Typ E) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 250 V 260 Ma (TA) 3,5 V, 10 V. 14ohm @ 200 mA, 10V 2,5 V @ 1ma 2,8 nc @ 10 v ± 40 V 81 PF @ 25 V. - - - 600 MW (TA)
MMBZ5258BW-7-F Diodes Incorporated MMBZ5258BW-7-F 0,0630
RFQ
 ECAD 7110 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5258 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 27 V 36 v 70 Ohm
DMP2200UFCL-7 Diodes Incorporated DMP2200UFCL-7 0,4200
RFQ
 ECAD 2075 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-UFDFN exponiert Pad DMP2200 MOSFET (Metalloxid) 660 MW U-DFN1616-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 20V 1.7a 200mohm @ 2a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 2.2nc @ 4.5V 184pf @ 10v - - -
DMNH6021SPSW-13 Diodes Incorporated DMNH6021SPSW-13 0,3454
RFQ
 ECAD 2470 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powertdfn DMNH6021 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 (Typ UX) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMNH6021SPSW-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 44a (TC) 4,5 V, 10 V. 23mohm @ 12a, 10V 3v @ 250 ähm 20.1 NC @ 10 V. ± 20 V 1132 PF @ 30 V - - - 1.6W
DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated DMC3730uffl3-7 0,4800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-xfdfn exponiert Pad DMC3730 MOSFET (Metalloxid) 390 MW X2-DFN1310-6 (Typ B) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-und p-kanal-krementär 30V 1.1a, 700 mA 460MOHM @ 200 Ma, 4,5 V. 950 MV @ 250 ähm 0,9nc @ 4,5 V 65.9pf @ 25v - - -
BAS40-04-7-F-79 Diodes Incorporated BAS40-04-7-F-79 - - -
RFQ
 ECAD 4452 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas40 Schottky SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-Bas40-04-7-F-79TR Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Serie Verbindung 40 v 200 Ma (DC) 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C.
DZT951-13 Diodes Incorporated DZT951-13 - - -
RFQ
 ECAD 4336 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa DZT951 1 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 60 v 5 a 50na (ICBO) PNP 460mv @ 500 mA, 5a 100 @ 2a, 1V 120 MHz
DZ23C12Q-7-F Diodes Incorporated DZ23C12Q-7-F 0,0692
RFQ
 ECAD 1337 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,41% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DZ23 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DZ23C12Q-7-FDI Ear99 8541.10.0050 3.000 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 na @ 9 V 12 v 20 Ohm
BZT52C43-7-F Diodes Incorporated BZT52C43-7-F 0,2100
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 100 na @ 32 V 43 v 100 Ohm
FZT696BTA Diodes Incorporated FZT696BTA 0,8200
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT696 2 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 180 v 500 mA 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 5ma, 200 mA 150 @ 200 Ma, 5V 70 MHz
B150B-13 Diodes Incorporated B150B-13 - - -
RFQ
 ECAD 6239 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB B150 Schottky SMB - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 110PF @ 4V, 1 MHz
DDC144NS-7 Diodes Incorporated DDC144NS-7 0,1040
RFQ
 ECAD 8166 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC144 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 500 µA, 10 mA 100 @ 5ma, 5v 250 MHz 47kohm 47kohm
BAV23A-7-F Diodes Incorporated BAV23A-7-F 0,3700
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BAV23 Standard SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 200 v 400 mA (DC) 1,25 V @ 200 Ma 50 ns 100 Na @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C.
DMN3026LVTQ-7 Diodes Incorporated DMN3026LVTQ-7 0,1628
RFQ
 ECAD 6771 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMN3026 MOSFET (Metalloxid) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 6.6a (ta) 4,5 V, 10 V. 23mohm @ 6.5a, 10V 2v @ 250 ähm 12,5 NC @ 10 V. ± 20 V 643 PF @ 15 V - - - 1.2W (TA)
SB140-B Diodes Incorporated SB140-B - - -
RFQ
 ECAD 8488 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Schottky Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C. 1a - - -
DMN6040SK3Q-13 Diodes Incorporated DMN6040SK3Q-13 0,3145
RFQ
 ECAD 7972 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMN6040 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 20A (TC) 4,5 V, 10 V. 40mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 22.4 NC @ 10 V. ± 20 V 1287 PF @ 25 V. - - - 42W (TC)
DFLF1800-13 Diodes Incorporated DFLF1800-13 - - -
RFQ
 ECAD 1314 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung PowerDI®123 DFLF1800 Standard PowerDi ™ 123 Herunterladen 31-DFLF1800-13 Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,35 V @ 1 a 500 ns 10 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 7pf @ 4v, 1 MHz
RS1BB-13 Diodes Incorporated RS1BB-13 - - -
RFQ
 ECAD 9583 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB RS1B Standard SMB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
DDTD122TC-7-F Diodes Incorporated DDTD122TC-7-F - - -
RFQ
 ECAD 8352 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTD122 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 500 mA 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 100 @ 5ma, 5v 200 MHz 220 Ohm
ZXMN0545G4TA Diodes Incorporated ZXMN0545G4TA - - -
RFQ
 ECAD 3627 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZXMN0545 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 450 V 140 mA (TA) 10V 50 Ohm @ 100 Ma, 10 V 3V @ 1ma ± 20 V 70 PF @ 25 V. - - - 2W (TA)
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