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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
AS1K Diodes Incorporated AS1K - - -
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 ECAD 8823 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Standard SMA - - - 31-AS1K 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,1 V @ 1 a 1,3 µs 5 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4v, 1 MHz
SBRT6U45LP-7 Diodes Incorporated SBRT6U45LP-7 - - -
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 ECAD 2874 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 8-Powerudfn SBRT6 Superbarriere U-DFN3030-8 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 520 mv @ 6 a 150 µa @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a - - -
DMTH45M5SFVW-13 Diodes Incorporated DMTH45M5SFVW-13 0,2842
RFQ
 ECAD 7106 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-DMTH45M5SFVW-13TR Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 40 v 18a (TA), 71a (TC) 10V 5,5 MOHM @ 25a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 13.2 NC @ 10 V ± 20 V 1083 PF @ 20 V - - - 3,5 W (TA), 51W (TC)
DDTA124XKA-7-F Diodes Incorporated DDTA124XKA-7-F - - -
RFQ
 ECAD 8119 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTA124 200 MW SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 10ma, 5V 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
UG2005-T Diodes Incorporated UG2005-T - - -
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 ECAD 8113 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial Standard Do-15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 4.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,7 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 15PF @ 4V, 1 MHz
BAS40W-04-7-F-2477 Diodes Incorporated BAS40W-04-7-F-2477 - - -
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 ECAD 5053 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Schottky SOT-323 - - - 31-Bas40W-04-7-F-2477 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Serie Verbindung 40 v 200 ma 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C.
RS1MEWFQ-7 Diodes Incorporated RS1MEWFQ-7 0,4400
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 ECAD 6217 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123F RS1M Standard SOD-123F Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 7pf @ 4v, 1 MHz
SDM40E20LC-7-79 Diodes Incorporated SDM40E20LC-7-79 - - -
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 ECAD 8589 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SDM40 Schottky SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-SDM40E20LC-7-79TR Veraltet 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 20 v 400 mA (DC) 310 mv @ 100 mA 250 µa @ 20 V -65 ° C ~ 125 ° C.
DMT3006LFVQ-7 Diodes Incorporated DMT3006LFVQ-7 0,7500
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 ECAD 7484 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT3006 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (Typ UX) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 60a (TC) 4,5 V, 10 V. 7mohm @ 9a, 10V 3v @ 250 ähm 16.7 NC @ 10 V. ± 20 V 1155 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
RABF22-13 Diodes Incorporated Rabf22-13 - - -
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 ECAD 4209 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel Rabf22 Standard 4-Sopa - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 1,3 V @ 2 a 5 µa @ 200 V. 2 a Einphase 200 v
DFLZ24Q-7 Diodes Incorporated DFLZ24Q-7 0,4000
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 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung PowerDI®123 DFLZ24 1 w PowerDi ™ 123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µa @ 18 V 24 v 2 Ohm
G20H120CTFW Diodes Incorporated G20H120CTFW 0,7500
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 ECAD 4803 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte Schottky ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-G20H120CTFW Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 120 v 20a 830 mv @ 10 a 4 µa @ 120 V -55 ° C ~ 175 ° C.
DMT6007LFGQ-7 Diodes Incorporated DMT6007LFGQ-7 1.0300
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 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT6007 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 60 v 15a (TA), 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 20a, 10V 2v @ 250 ähm 41,3 NC @ 10 V. ± 20 V 2090 PF @ 30 V - - - 2,2 W (TA), 62,5 W (TC)
ZXM41N10FTC Diodes Incorporated ZXM41N10ftC - - -
RFQ
 ECAD 4707 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 100 v 170 mA (ta) 3 V, 4,5 V. 8OHM @ 150 mA, 4,5 V. 1,5 V @ 1ma ± 40 V 25 PF @ 25 V. - - - 360 MW (TA)
DMN30H14DLY-13 Diodes Incorporated DMN30H14DLY-13 0,2761
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 ECAD 5343 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa DMN30 MOSFET (Metalloxid) SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.500 N-Kanal 300 V 210 mA (TA) 4,5 V, 10 V. 14ohm @ 300 mA, 10V 3v @ 250 ähm 4 NC @ 10 V. ± 20 V 96 PF @ 25 V. - - - 900 MW (TA)
DMP2110UVT-7 Diodes Incorporated DMP2110uvt-7 0,0949
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 ECAD 1839 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMP2110 MOSFET (Metalloxid) 740 MW (TA) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 20V 1,8a (ta) 150 MOHM @ 2,8a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 6nc @ 4,5 V 443PF @ 6v - - -
DMN2056U-7-50 Diodes Incorporated DMN2056U-7-50 0,0840
RFQ
 ECAD 3945 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN2056 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 31-DMN2056U-7-50 Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 4a (ta) 1,5 V, 4,5 V. 38mohm @ 3,6a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 4,3 NC @ 4,5 V. ± 8 v 339 PF @ 10 V. - - - 660 MW
DMTH6010LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH6010LK3Q-13 0,5145
RFQ
 ECAD 1843 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMTH6010 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 14,8a (TA), 70A (TC) 4,5 V, 10 V. 8mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 41,3 NC @ 10 V. ± 20 V 2090 PF @ 30 V - - - 31W (TA)
BAS40TW-7-F-2477 Diodes Incorporated BAS40TW-7-F-2477 - - -
RFQ
 ECAD 6522 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Schottky SOT-363 - - - 31-Bas40TW-7-F-2477 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 3 Unabhängig 40 v 200 ma 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C.
1SMB5955B-13 Diodes Incorporated 1SMB5955B-13 0,1300
RFQ
 ECAD 9002 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB 1SMB5955 550 MW SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,5 V @ 200 Ma 1 µA @ 136,8 V. 180 v 900 Ohm
DMTH45M5SPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH45M5SPDWQ-13 1.3100
RFQ
 ECAD 6075 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH45M MOSFET (Metalloxid) 3,3 W (TA), 60 W (TC) PowerDI5060-8 (Typ UXD) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 40V 79a (TC) 5,5 MOHM @ 25a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 13.2nc @ 10v 1083PF @ 20V - - -
DMPH16M1UPSW-13 Diodes Incorporated DMPH16M1UPSW-13 0,3271
RFQ
 ECAD 6260 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powertdfn DMPH16 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 (Typ UX) Herunterladen 31-DMPH16M1UPSW-13 Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 12 v 96a (TC) 2,5 V, 4,5 V. 6mohm @ 15a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 164 NC @ 8 V ± 8 v 5392 PF @ 10 V - - - 1,95W
DMT6009LK3-13 Diodes Incorporated DMT6009LK3-13 0,9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMT6009 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 13,3a (TA), 57A (TC) 4,5 V, 10 V. 10MOHM @ 13.5a, 10V 2v @ 250 ähm 33,5 NC @ 10 V. ± 16 v 1925 PF @ 30 V - - - 2.6W (TA)
BZT52C22-7 Diodes Incorporated BZT52C22-7 - - -
RFQ
 ECAD 9936 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 Na @ 15,4 V. 22 v 55 Ohm
DMC3016LNS-13 Diodes Incorporated DMC3016LNS-13 0,2475
RFQ
 ECAD 6066 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMC3016 MOSFET (Metalloxid) 1,3W (TA) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-und p-kanal-krementär 30V 9a (ta), 6,8a (ta) 16mohm @ 7a, 10V, 28mohm @ 7a, 10V 2v @ 250 ähm 9,5nc @ 4,5 V 1184pf @ 15V, 1188pf @ 15V - - -
BZX84C2V7-7 Diodes Incorporated BZX84C2V7-7 - - -
RFQ
 ECAD 2335 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 20 µa @ 1 V 2,7 v 100 Ohm
B530C-13-F-52 Diodes Incorporated B530C-13-F-52 0,2091
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 ECAD 8535 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC B530 Schottky SMC Herunterladen 31-B530C-13-F-52 Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 300PF @ 4V, 1 MHz
FZT458QTA Diodes Incorporated FZT458QTA 0,7100
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 2 w SOT-223-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 400 V 300 ma 100na Npn 500mv @ 6ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V 50 MHz
DMN3731U-13 Diodes Incorporated DMN3731U-13 0,2500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN3731 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 30 v 900 mA (TA) 1,8 V, 4,5 V. 460MOHM @ 200 Ma, 4,5 V. 950 MV @ 250 ähm 5,5 NC @ 4,5 V ± 8 v 73 PF @ 25 V. - - - 400 MW
DMN4008LFG-13 Diodes Incorporated DMN4008LFG-13 0,2923
RFQ
 ECAD 8401 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMN4008 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 40 v 14,4a (TA) 3,3 V, 10 V. 7,5 MOHM @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 74 NC @ 10 V ± 20 V 3537 PF @ 20 V - - - 1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    Lagerhaus

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