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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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ZXMP6A13FTA | 0,5500 | ![]() | 5101 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXMP6A13 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 900 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 400mohm @ 900 mA, 10 V. | 3v @ 250 ähm | 5,9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 219 PF @ 30 V | - - - | 625 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5240BT-7-G | - - - | ![]() | 2383 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MMBZ5240BT-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF2060CT-LJ | - - - | ![]() | 4985 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF2060CT | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MBRF2060CT-LJDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 10a | 640 mv @ 10 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ADTC144EUAQ-7 | 0,2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | ADTC144 | 330 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | - - - | - - - | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR8E20P5-13d | - - - | ![]() | 7979 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SBR8E20 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 20 v | 450 mv @ 8 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA113TCA-7 | 0,0691 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DDTA113 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54DW-7-F | 0,3800 | ![]() | 137 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bat54 | Schottky | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 30 v | 100 ma | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9684-7-79 | - - - | ![]() | 2387 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | DDZ9684 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DDZ9684-7-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER103-T | - - - | ![]() | 7762 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | HER103 | Standard | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMPH4023SK3-13 | 0,3004 | ![]() | 8658 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMPH4023 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 50a (TC) | 10V | 26mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 18.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1091 PF @ 20 V | - - - | 2.1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
Fmmt720-7 | - - - | ![]() | 6394 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 625 MW | SOT-23-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 31-FMMT720-7tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 1,5 a | 100na | PNP | 330 MV @ 100 Ma, 1,5a | 300 @ 100 mA, 2 V | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5406-t | - - - | ![]() | 1716 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | 1N5406 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 3 a | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 25pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMP6A17KTC | 0,8700 | ![]() | 5172 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | ZXMP6A17 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 4,4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 125mohm @ 2,3a, 10 V | 1V @ 250 ähm | 17.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 637 PF @ 30 V | - - - | 2.11W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
SBR1U30SV-7 | - - - | ![]() | 6044 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SBR1U30 | Superbarriere | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 510 mv @ 1 a | 150 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B190AE-13 | - - - | ![]() | 9849 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B190 | Schottky | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 790 mv @ 1 a | 200 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 27pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
DMP2037U-13 | 0,1078 | ![]() | 4852 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP2037 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMP2037U-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6.1a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 28mohm @ 2a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 14,5 NC @ 8 V. | ± 10 V | 803 PF @ 10 V | - - - | 800 MW | ||||||||||||||||||||||||||||
DZ23C22-7 | - - - | ![]() | 8309 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DZ23C22 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 22 v | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH6015LDVW-7 | 0,3061 | ![]() | 3624 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMTH6015 | MOSFET (Metalloxid) | 1.46W (TA) | PowerDI3333-8 (Typ UXD) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMTH6015LDVW-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 9,2a (TA), 24,5a (TC) | 20,5 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 14.3nc @ 10v | 825PF @ 30V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS3DB-13 | - - - | ![]() | 3777 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | RS3D | Standard | SMB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 3 a | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
DMG6402LVT-7 | 0,3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMG6402 | MOSFET (Metalloxid) | TSOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 7a, 10V | 2v @ 250 ähm | 11.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 498 PF @ 15 V | - - - | 1,75W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2160UFDB-7 | 0,4600 | ![]() | 185 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMP2160 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | U-DFN2020-6 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3.8a | 70 MOHM @ 2,8a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 6,5nc @ 4,5V | 536PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF10FG-A | - - - | ![]() | 4815 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 1 a | 40 ns | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 75PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
AZ23C47-7-F | 0,4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C47 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 47 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR20150CT-G1 | - - - | ![]() | 1135 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 50 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4448WS-7-F | 0,2200 | ![]() | 427 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 1N4448 | Standard | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 75 V | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 2,5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 250 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA113TKA-7-F | - - - | ![]() | 1188 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA113 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 1 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC2700UDMQ-7 | 0,4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | DMC2700 | MOSFET (Metalloxid) | 1.12W (TA) | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-und p-kanal-krementär | 20V | 1,34a (TA), 1,14a (TA) | 400 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V, 700 MOHM @ 430 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,74nc @ 4,5 V, 0,62NC @ 4,5 V. | 60.67PF @ 16V, 59.76PF @ 16V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1D-13-F | 0,4700 | ![]() | 293 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1d | Standard | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV116HWFQ-7 | 0,4200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BAV116 | Standard | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 85 V | 1,25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 215 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMDT2227-7-F-52 | 0,0593 | ![]() | 2144 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMDT2227 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | 31-MMDT2227-7-F-52 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V, 60 V | 600 mA | 10na, 50na | NPN, PNP | 1v @ 50 mA, 500 mA / 1,6 V @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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