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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) |
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![]() | DMT10H010SPS-13 | 0,4998 | ![]() | 2540 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMT10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 10.7a (ta), 113a (TC) | 6 V, 10V | 8,8 MOHM @ 13A, 10V | 4v @ 250 ähm | 56,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4468 PF @ 50 V | - - - | 1.2W (TA) | ||||||||||||||
![]() | GBPC2501 | - - - | ![]() | 2049 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC2501 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC2501di | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 12.5 a | 5 µa @ 100 V. | 25 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||||
![]() | KBP10G | 0,6300 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBP | KBP10 | Standard | KBP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1,1 V @ 1,5 a | 5 µA @ 1000 V | 1,5 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||||||||
![]() | GBJ2510 | - - - | ![]() | 9720 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | GBJ2510 | Standard | Gbj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,05 V @ 12.5 a | 10 µa @ 1000 V | 25 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||||||||
![]() | DF01s | 0,8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DF01 | Standard | Df-s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DF01SDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 100 V. | 1 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||||
![]() | GBJ1502 | - - - | ![]() | 7581 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | GBJ1502 | Standard | Gbj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | GBJ1502DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,05 V @ 7,5 a | 10 µA @ 200 V. | 15 a | Einphase | 200 v | |||||||||||||||||||
![]() | GBJ1010-F | 1.6693 | ![]() | 8773 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | GBJ1010 | Standard | Gbj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,05 V @ 5 a | 10 µa @ 1000 V | 10 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||||||||
![]() | GBJ1506 | - - - | ![]() | 9526 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | GBJ1506 | Standard | Gbj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | GBJ1506di | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,05 V @ 7,5 a | 10 µa @ 600 V | 15 a | Einphase | 600 V | |||||||||||||||||||
![]() | BAT54ST-7-F-50 | 0,0748 | ![]() | 2433 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | Bat54 | Schottky | SOT-523 | Herunterladen | 31-bat54st-7-F-50 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 30 v | 200 ma | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||
![]() | W01G | - - - | ![]() | 6225 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-kreiförmigerer Wog | W01 | Standard | Wog | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | W01GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1 V @ 1,5 a | 5 µa @ 100 V. | 1,5 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||||
![]() | GBJ2002 | - - - | ![]() | 6313 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | Standard | Gbj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | GBJ2002DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,05 V @ 10 a | 10 µA @ 200 V. | 20 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||||||||
![]() | GBJ804 | - - - | ![]() | 9712 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | Standard | Gbj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Gbj804di | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 400 V | 8 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||||||||||
![]() | SBRT05U20LPS-7B | 0,3700 | ![]() | 186 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | SBRT05 | Superbarriere | X2-DFN1006-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 20 v | 390 mv @ 500 mA | 50 µa @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 14PF @ 20V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | GBU810 | 1.7300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU810 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 4 a | 5 µA @ 1000 V | 8 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||||||||
![]() | W02G | - - - | ![]() | 8986 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-kreiförmigerer Wog | W02 | Standard | Wog | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | W02GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1 V @ 1,5 a | 5 µa @ 200 V. | 1,5 a | Einphase | 200 v | |||||||||||||||||||
![]() | GBPC3508 | - - - | ![]() | 8504 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC3508 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC3508DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 17.5 a | 5 µa @ 800 V | 35 a | Einphase | 800 V | |||||||||||||||||||
![]() | DF02s | 0,8700 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DF02 | Standard | Df-s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DF02SDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1,5 a | 10 µA @ 200 V. | 1 a | Einphase | 200 v | |||||||||||||||||||
![]() | Df08s | 1.0700 | ![]() | 71 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DF08 | Standard | Df-s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DF08SDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 800 V | 1 a | Einphase | 800 V | |||||||||||||||||||
![]() | GBPC1506 | - - - | ![]() | 5194 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC1506 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC1506DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 a | 5 µa @ 600 V | 15 a | Einphase | 600 V | |||||||||||||||||||
![]() | GBPC3510 | - - - | ![]() | 1885 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC3510 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC3510di | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 17.5 a | 5 µA @ 1000 V | 35 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||||||
![]() | Df04m | 0,4600 | ![]() | 9032 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-EDIP (0,300 ", 7,62 mm) | DF04 | Standard | DFM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DF04MDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 400 V | 1 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||||||
![]() | GBPC1510 | - - - | ![]() | 9688 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC1510 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC1510di | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 a | 5 µA @ 1000 V | 15 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||||||
![]() | GBU410 | 1.6300 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU410 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBU410DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 a | 5 µA @ 1000 V | 4 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||||||
![]() | GBU802 | 1.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU802 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBU802DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 200 V. | 8 a | Einphase | 200 v | |||||||||||||||||||
![]() | KBP01G | 0,5100 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBP | KBP01 | Standard | KBP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Q4834892a | Ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1,1 V @ 1,5 a | 5 µa @ 100 V. | 1,5 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||||
![]() | GBJ15005 | - - - | ![]() | 8041 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | GBJ15005 | Standard | Gbj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | GBJ15005di | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,05 V @ 7,5 a | 10 µa @ 50 V | 15 a | Einphase | 50 v | |||||||||||||||||||
![]() | GBPC3501 | - - - | ![]() | 7446 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC3501 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC3501di | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 17.5 a | 5 µa @ 100 V. | 35 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||||
![]() | GBJ1001 | - - - | ![]() | 7364 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | GBJ1001 | Standard | Gbj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | GBJ1001di | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,05 V @ 5 a | 10 µa @ 100 V. | 10 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||||
![]() | DMT6012LPS-13 | - - - | ![]() | 2912 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DMT6012 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBP408 | 0,6300 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBP | Standard | GBP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-GBP408 | Ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 800 V | 4 a | Einphase | 800 V |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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