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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1SMB5944B-13 | 0,1300 |  | 3791 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1SMB5944 | 3 w | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 47,1 V | 62 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5401 | - - - | | 7689 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | 1N5401 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | 31-1n5401 | Veraltet | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 3 a | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBR0580S1-7-2477 | - - - | | 1987 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | - - - | 31-MBR0580S1-7-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 800 MV @ 500 mA | 5 µa @ 80 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | 15pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HDS10M-13 | 0,4300 | | 98 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HDS10 | Standard | HDS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 950 MV @ 500 mA | 5 µA @ 1000 V | 1 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DBF1510U-13 | 0,4700 | | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | DBF1510 | Standard | DBF | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 1,5 a | 5 µA @ 1000 V | 1,5 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBF210-13 | 0,4900 | | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | DBF210 | Standard | DBF | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 2 a | 5 µA @ 1000 V | 2 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBF2510-13 | 0,5200 | | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | DBF2510 | Standard | DBF | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 2,5 a | 5 µA @ 1000 V | 2,5 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UABF1510-13 | - - - | | 4697 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | UABF1510 | Standard | 4-Sopa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,3 V @ 1,5 a | 5 µA @ 1000 V | 1,5 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SMB5914B-13 | - - - | | 8955 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1SMB5914 | 550 MW | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 75 µa @ 1 V | 3.6 V | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMS3014SFG-13 | - - - | | 3411 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMS3014 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMS3014SFG-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 9,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 13mohm @ 10.4a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 45,7 NC @ 10 V. | ± 12 V | 4310 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52C2V4-7-G | - - - | | 6744 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BZT52 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C2V4-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52C2V7LP-7B-79 | - - - | | 8495 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BZT52 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C2V7LP-7B-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52C3V0S-7-F-79 | - - - | | 4665 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BZT52 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C3V0S-7-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C6V8-7-G | - - - | | 5154 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bzx84 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZX84C6V8-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMN2024U-7 | 0,4800 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN2024 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6.8a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 25mo @ 6,5a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 7.1 NC @ 4.5 V. | ± 10 V | 647 PF @ 10 V. | - - - | 800 MW | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rabf24-13 | - - - | | 4743 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Rabf24 | Standard | 4-Sopa | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,3 V @ 2 a | 5 µa @ 400 V | 2 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rabf26-13 | - - - | | 7338 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Rabf26 | Standard | 4-Sopa | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,3 V @ 2 a | 5 µa @ 600 V | 2 a | Einphase | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RDBF151U-13 | 0,1945 | | 1186 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | RDBF151 | Standard | DBF | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1,3 V @ 1,5 a | 5 µa @ 100 V. | 1,5 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RDBF154U-13 | 0,1945 | | 7864 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | RDBF154 | Standard | DBF | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1,3 V @ 1,5 a | 5 µa @ 400 V | 1,5 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RDBF156U-13 | 0,1945 | | 3223 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | RDBF156 | Standard | DBF | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1,3 V @ 1,5 a | 5 µa @ 600 V | 1,5 a | Einphase | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RDBF158U-13 | 0,1945 | | 6018 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | RDBF158 | Standard | DBF | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1,3 V @ 1,5 a | 5 µa @ 800 V | 1,5 a | Einphase | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RDBF31-13 | 0,6400 | | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | RDBF31 | Standard | DBF | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1,3 V @ 2,5 a | 5 µa @ 100 V. | 3 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RDBF38-13 | 0,2456 | | 4896 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | RDBF38 | Standard | DBF | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1,3 V @ 2,5 a | 5 µa @ 800 V | 3 a | Einphase | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | KBP410g | 0,7400 | | 9316 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBP | KBP410 | Standard | KBP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1,1 V @ 4 a | 5 µA @ 1000 V | 4 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DGTD65T40S1PT | - - - | | 8753 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | DGTD65 | Standard | 341 w | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 40a, 7,9ohm, 15 V. | 145 ns | Feldstopp | 650 V | 80 a | 160 a | 2,4 V @ 15V, 40a | 1,15 MJ (EIN), 350 µJ (AUS) | 219 NC | 58ns/245ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DGTD65T50S1PT | - - - | | 2449 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | DGTD65 | Standard | 375 w | To-247 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 50a, 7,9ohm, 15 V. | 80 ns | Feldstopp | 650 V | 100 a | 200 a | 2,4 V @ 15V, 50a | 770 µJ (EIN), 550 µJ (AUS) | 287 NC | 58ns/328ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXPD4000DH-7 | 0,1934 | | 4510 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 120 v | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 8-vdfn | ZXPD4000 | V-DFN3030-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZXPD4000DH-7di | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2a | NPN - Darlington | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMT10H4M5LPS-13 | 0,8469 | | 7961 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMT10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMT10H4M5LPS-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 19A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.3mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 4843 PF @ 50 V | - - - | 2,3 W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DMT47M2LDV-13 | 0,3704 | | 3271 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT47 | MOSFET (Metalloxid) | 2,34W (TA), 14,8 W (TC) | PowerDI3333-8 (Typ UXC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMT47M2LDV-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 11,9a (TA), 30,2a (TC) | 10.8mohm @ 20a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 14nc @ 10v | 891PF @ 20V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMT47M2LDVQ-13 | 0,4631 | | 6883 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT47 | MOSFET (Metalloxid) | 2,34W (TA), 14,8 W (TC) | PowerDI3333-8 (Typ UXC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMT47M2LDVQ-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 11,9a (TA), 30,2a (TC) | 10.8mohm @ 20a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 14nc @ 10v | 891PF @ 20V | - - - |
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