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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
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![]() | RDBF158U-13 | 0,1945 | ![]() | 6018 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | RDBF158 | Standard | DBF | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1,3 V @ 1,5 a | 5 µa @ 800 V | 1,5 a | Einphase | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RDBF31-13 | 0,6400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | RDBF31 | Standard | DBF | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1,3 V @ 2,5 a | 5 µa @ 100 V. | 3 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RDBF38-13 | 0,2456 | ![]() | 4896 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | RDBF38 | Standard | DBF | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1,3 V @ 2,5 a | 5 µa @ 800 V | 3 a | Einphase | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP410g | 0,7400 | ![]() | 9316 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBP | KBP410 | Standard | KBP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1,1 V @ 4 a | 5 µA @ 1000 V | 4 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1045CT-LS | - - - | ![]() | 5618 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MBR104 | Schottky | To-220ab | - - - | 31-MBR1045CT-LS | Veraltet | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 5a | 650 mv @ 5 a | 100 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C8V2W-7-F | 0,0630 | ![]() | 9601 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,1% | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bzx84 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DCX122TH-13 | - - - | ![]() | 9292 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | DCX122 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-DCX122TH-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMV834ATA | - - - | ![]() | 6117 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | ZMV834 | SOD-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 51.7pf @ 2V, 1 MHz | Einzel | 25 v | 6.5 | C2/C20 | 200 @ 3V, 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ33Q-7 | 0,0508 | ![]() | 7376 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ33 | 310 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 27 v | 32.97 v | 75 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ADTA113ZUAQ-13 | - - - | ![]() | 6805 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | ADTA113 | 330 MW | SOT-323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ADTA113ZUAQ-13DI | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC06065FP | 3.6450 | ![]() | 3142 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | DSC06 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | ITO-220AC (Typ WX) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-dsc06065fp | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 266PF @ 100MV, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2060CT-E1 | - - - | ![]() | 9121 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | Schottky | To-220-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 10a | 810 mv @ 10 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ZXMN3A01FQTA | 0,2308 | ![]() | 9062 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXMN3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 31-Zxmn3a01fqtatr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1,8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 120 MOHM @ 2,5A, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | 3,9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 190 PF @ 25 V. | - - - | 625 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH6010SPS-13 | 0,3648 | ![]() | 1084 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH6010 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMTH6010SPS-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 13,5a (TA), 100A (TC) | 10V | 8mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 38.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2841 PF @ 30 V | - - - | 2,6 W (TA), 167W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ10DSF-7 | 0,2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Ddz10 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 7,5 µa @ 9,44 V. | 10.19 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Fmmtl717qta | 0,1724 | ![]() | 9509 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-FMMTL717QTATR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 1,25 a | 10na | PNP | 290mv @ 50 mA, 1,25a | 300 @ 100 mA, 2 V | 205 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH45M5SFVWQ-13 | 0,3197 | ![]() | 9424 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-DMTH45M5SFVWQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 18a (TA), 71a (TC) | 10V | 5,5 MOHM @ 25a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 13.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 1083 PF @ 20 V | - - - | 3,5 W (TA), 51W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH6004SCT | 1.5750 | ![]() | 2366 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | DMTH6004 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMTH6004SCTDI-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 100a (TC) | 10V | 3,65 MOHM @ 100A, 10V | 4v @ 250 ähm | 95.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4556 PF @ 30 V | - - - | 2,8 W (TA), 136 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C5V1TS-7-F | 0,4300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bzx84 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84B5V6Q-7-F | 0,2200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5261b-t | - - - | ![]() | 8962 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5261 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 36 v | 47 v | 105 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT12H7M9LPSW-13 | 0,6920 | ![]() | 2264 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DMT12 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMT12H7M9LPSW-13TR | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C7V5T-7-F | 0,0630 | ![]() | 5812 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-523 | Bzx84 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 5 V | 7,5 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ602-F | 1.4000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | GBJ602 | Standard | Gbj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1 V @ 3 a | 5 µa @ 200 V. | 6 a | Einphase | 200 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMGD7N45SSD-13 | 1.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMGD7 | MOSFET (Metalloxid) | 1.64W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 450 V | 500 mA (TA) | 4OHM @ 400 mA, 10V | 4,5 V @ 1ma | 6,9nc @ 10v | 256PF @ 25V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
BAT54SW-13-F-2477 | - - - | ![]() | 3014 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Schottky | SOT-323 | - - - | 31-bat54SW-13-F-2477 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 30 v | 200 ma | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
G20H100CTW | 0,8400 | ![]() | 5835 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-G20H100CTW | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 20a | 770 mv @ 10 a | 4 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMP2065UQ-13 | 0,0911 | ![]() | 3658 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP2065 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMP2065UQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 60MOHM @ 4,2a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 10.2 NC @ 4.5 V. | ± 12 V | 808 PF @ 15 V | - - - | 900 MW | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH32M5LPSQ-13 | 1.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH32 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 170a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,2 MOHM @ 30a, 10V | 3V @ 1ma | 68 NC @ 10 V. | ± 16 v | 3944 PF @ 25 V. | - - - | 3,2 W (TA), 100 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9705Q-7 | 0,0508 | ![]() | 4980 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9705 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 13.6 V. | 18 v |
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