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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | GBJ1504-F | 1,5000 | ![]() | 5128 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | GBJ1504 | Standard | Gbj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,05 V @ 7,5 a | 10 µa @ 400 V | 15 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
DDTC114EUA-7-F | 0,2500 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTC114 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT5A100P5-13 | 0,1607 | ![]() | 9060 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SDT5A100 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 660 mv @ 5 a | 50 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR20150CTFP-G | - - - | ![]() | 7639 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR20150 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-SBR20150CTFP-G | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 10a | 880 mv @ 10 a | 100 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5397S-T | - - - | ![]() | 8372 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5397 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1,5 a | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMM5242B-7 | - - - | ![]() | 5864 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Zmm5242 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXT13N20DE6TC | - - - | ![]() | 8134 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXT13N20D | 1,1 w | SOT-23-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 10.000 | 20 v | 4.5 a | 100na | Npn | 230 MV @ 45 Ma, 4,5a | 300 @ 1a, 2v | 96 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847BT-7-F | 0,2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | BC847 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTC143EUA-7 | 0,1000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTC143 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV19W-7-G | - - - | ![]() | 6299 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BAV19 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BAV19W-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR20150CTP | - - - | ![]() | 7177 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 isolierte RegisterKarte | MBR20150CT | Schottky | Ito-220s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MBR20150CTPDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 100 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DCX144EU-7 | - - - | ![]() | 8017 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DCX144 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFLR1200-7-G | - - - | ![]() | 6826 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | DFLR1200 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DFLR1200-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF20200CT | - - - | ![]() | 2750 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Mbrf20200ctdi | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 890 mv @ 10 a | 100 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT585B3V3T-7 | 0,2300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT585 | 350 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMG7401SFG-13 | 0,5800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMG7401 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 9,8a (ta) | 4,5 V, 20V | 11mohm @ 12a, 20V | 3v @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 25 V | 2987 PF @ 15 V | - - - | 940 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fcx617ta | 0,6400 | ![]() | 952 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FCX617 | 2 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 15 v | 3 a | 100na | Npn | 400mv @ 50 Ma, 5a | 300 @ 200 Ma, 2V | 120 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3027LFG-13 | 0,2588 | ![]() | 3943 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN3027 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN3027LFG-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 5.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 18,6 MOHM @ 10a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 11.3 NC @ 10 V | ± 25 V | 580 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
G20H150CTW | - - - | ![]() | 9915 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Schottky | To-220ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-G20H150CTW | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 20a | 820 mv @ 10 a | 8 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD4448DW-7-F | 0,4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBD4448 | Standard | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 75 V | 250 Ma | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 2,5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APD245VGTR-G1 | - - - | ![]() | 5064 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | APD245 | Schottky | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA144ECA-7 | 0,3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTA144 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-ddta144eca-7dkr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA143TE-7-F | 0,0483 | ![]() | 5942 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTA143 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN65D8LT-13 | 0,0260 | ![]() | 9305 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMN65 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN65D8LT-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 210 mA (TA) | 5v, 10V | 5ohm @ 115 mA, 10V | 2v @ 250 ähm | 0,4 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 24 PF @ 25 V. | - - - | 300 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
FZT458TC | - - - | ![]() | 9922 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT458 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 400 V | 300 ma | 100na | Npn | 500mv @ 6ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ddz6v8bsf-7 | 0,2000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Ddz6v8 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 7,5 µa @ 4 V. | 6.66 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Fmmt455tc | - - - | ![]() | 4115 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt455 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 140 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 700mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S8MCQ-13 | 0,2786 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S8MC | Standard | SMC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-s8mcq-13tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 985 mv @ 8 a | 2,7 µs | 10 µa @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 45PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C5v6q-7-F | 0,2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7,14% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 370 MW | SOD-123 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
BC847C-13-F | 0,2000 | ![]() | 364 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC847 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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