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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DMG1029SVQ-7-52 Diodes Incorporated DMG1029SVQ-7-52 0,0622
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 ECAD 6781 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMG1029 MOSFET (Metalloxid) 450 MW (TA) SOT-563 Herunterladen 31-DMG1029SVQ-7-52 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-und p-kanal-krementär 60 v 500 mA (TA), 360 mA (TA) 1,7OHM @ 500 mA, 10V, 4OHM @ 500 mA, 10V 2,5 V @ 250 um, 3 V @ 250 µa 0,3nc @ 4,5 V, 0,28nc @ 4,5 V. 30pf @ 25v, 25pf @ 25v Standard
DMC67D8UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMC67D8UFDBQ-7 0,1279
RFQ
 ECAD 4081 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMC67 MOSFET (Metalloxid) 580 MW (TA) U-DFN2020-6 (Typ B) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMC67D8UFDBQ-7DI Ear99 8541.21.0095 3.000 N-und p-kanal-krementär 60 V, 20V 390 Ma (TA), 2,9a (TA) 4OHM @ 500 mA, 10 V, 72MOHM @ 3,5A, 4,5 V. 2,5 V BEI 250 UA, 1,25 V @ 250 µA 0,4pc @ 4,5 V, 7,3nc @ 4,5 V. 41pf @ 25v, 443pf @ 16V - - -
SDM10P45-7-F Diodes Incorporated SDM10P45-7-F - - -
RFQ
 ECAD 7368 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-523 SDM10 Schottky SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 45 V 600 mv @ 50 mA 1 µa @ 10 V -40 ° C ~ 125 ° C. 100 ma 6PF @ 10V, 1 MHz
PDS4150Q-13 Diodes Incorporated PDS4150Q-13 1.5200
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 ECAD 4102 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 PDS4150 Schottky PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 810 mv @ 8 a 10 µA @ 150 V -65 ° C ~ 175 ° C. 4a - - -
BAS16V-7 Diodes Incorporated Bas16v-7 0,4100
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 ECAD 48 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 Bas16 Standard SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Unabhängig 75 V 200 ma 1,25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C.
DDTB142TC-7 Diodes Incorporated DDTB142TC-7 0,3900
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 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Aktiv DDTB142 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
FCX593TA Diodes Incorporated Fcx593ta 0,5300
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 ECAD 112 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa FCX593 1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 100 v 1 a 100na PNP 300mv @ 25 mA, 250 mA 100 @ 500 mA, 5V 50 MHz
SBR10200CTB-13 Diodes Incorporated SBR10200CTB-13 - - -
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 ECAD 2326 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab SBR10200 Superbarriere To-263ab (d²pak) - - - 1 (unbegrenzt) 31-SBR10200CTB-13TR Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 5a 920 mv @ 5 a 20 ns 50 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
RS1K-13 Diodes Incorporated RS1K-13 - - -
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 ECAD 3609 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA RS1K Standard SMA Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
FMMTA13TC Diodes Incorporated Fmmta13tc - - -
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 ECAD 8840 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmta13 330 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 40 v 300 ma 100na NPN - Darlington 900 mV @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100 mA, 5V - - -
ZDT6757TA Diodes Incorporated Zdt6757ta - - -
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 ECAD 4369 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-223-8 ZDT6757 2.75W Sm8 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN, PNP 500mv @ 10 mA, 100 mA 50 @ 100 mA, 5V 30 MHz
FR1K-13-F Diodes Incorporated FR1K-13-F - - -
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 ECAD 5962 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB Fr1k Standard SMB - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a - - -
BAT54CDW-7 Diodes Incorporated BAT54CDW-7 - - -
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 ECAD 8806 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bat54 Schottky SOT-363 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Paar Gemeinsame Kathode Passen 30 v 200 Ma (DC) 1 V @ 100 mA 5 ns 2 µa @ 25 V. -65 ° C ~ 125 ° C.
LZ52C30WS Diodes Incorporated LZ52C30WS - - -
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 ECAD 9378 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Lets Kaufen ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 1206 (3216 Metrik) LZ52C 500 MW 1206 - - - 31-lz52C30WS Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 22 v 30 v 80 Ohm
PR1501S-A Diodes Incorporated PR1501S-A - - -
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 ECAD 4766 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1,2 V @ 1,5 a 150 ns 5 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 20pf @ 4v, 1 MHz
BCX6825TA Diodes Incorporated BCX6825ta 0,4400
RFQ
 ECAD 205 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa BCX6825 1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 20 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 100 mA, 1a 160 @ 500 mA, 1V 100 MHz
DMN2040UVT-7 Diodes Incorporated DMN2040UVT-7 0,0927
RFQ
 ECAD 2540 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMN2040 MOSFET (Metalloxid) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 20 v 6.7a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 24MOHM @ 6.2a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 7,5 NC @ 4,5 V ± 8 v 667 PF @ 10 V. - - - 1,2 W (TA)
DTH810D Diodes Incorporated DTH810D 0,9300
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 ECAD 48 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Standard TO220AC (Typ WX) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-DTH810d Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 2 V @ 8 a 85 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 40pf @ 4v, 1 MHz
ZUMT491TA Diodes Incorporated Zumt491ta 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Zumt491 500 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 60 v 1 a 100na Npn 500mv @ 100 mA, 1a - - - - - -
MMSZ5245B-7-F Diodes Incorporated MMSZ5245B-7-F 0,2200
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ5245 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 11 v 15 v 16 Ohm
MMBZ5248BW-7 Diodes Incorporated MMBZ5248BW-7 0,2200
RFQ
 ECAD 422 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1034-mmbz5248bw-7dkr Ear99 8541.10.0050 3.000
MSB25MH-13 Diodes Incorporated MSB25MH-13 0,2238
RFQ
 ECAD 3133 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Flache Leitungen MSB25 Standard 4-msbl Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 2.500 1,1 V @ 2,5 a 5 µA @ 1000 V 2,5 a Einphase 1 kv
BC847PN-7-F Diodes Incorporated BC847PN-7-F 0,3400
RFQ
 ECAD 1134 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 600mv @ 5 mA, 100 mA / 650 mV @ 5 mA, 100 mA 200 @ 2MA, 5V / 220 @ 2MA, 5V 300 MHz, 200 MHz
DDTA144EE-7-F Diodes Incorporated Ddta144ee-7-f 0,0605
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 ECAD 6394 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-523 DDTA144 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
BAL99-7-F Diodes Incorporated BAL99-7-F 0,1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BAL99 Standard SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 75 V 1,25 V @ 150 mA 4 ns 2,5 µa @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 300 ma 2PF @ 0V, 1MHz
DSS60600MZ4Q-13 Diodes Incorporated DSS60600MZ4Q-13 0,5700
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 ECAD 5871 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 1,2 w SOT-223-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 60 v 6 a 100NA (ICBO) PNP 350 MV @ 600 Ma, 6a 150 @ 500 mA, 2V 100 MHz
ZTX653STZ Diodes Incorporated Ztx653stz 0,8600
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX653 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 100 v 2 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 200 Ma, 2a - - - 175MHz
ZXMP10A13FTA Diodes Incorporated ZXMP10A13FTA 0,5800
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXMP10 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 100 v 600 mA (TA) 6 V, 10V 1ohm @ 600 mA, 10V 4v @ 250 ähm 3,5 NC @ 10 V. ± 20 V 141 PF @ 50 V - - - 625 MW (TA)
DDZ5V6BSF-7 Diodes Incorporated Ddz5v6bsf-7 0,2100
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2,5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F Ddz5v6 500 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 7,5 µa @ 2 V 5.6 v 80 Ohm
DMP21D0UFD-7 Diodes Incorporated DMP21D0UFD-7 0,4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-udfn DMP21 MOSFET (Metalloxid) X1-DFN1212-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 820 Ma (TA) 1,5 V, 4,5 V. 495mohm @ 800 mA, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 3 NC @ 4,5 V. ± 8 v 80 PF @ 10 V - - - 490 MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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