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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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Fmmt549ta | 0,4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt549 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 750 MV @ 200ma, 2a | 100 @ 500 mA, 2V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
ZXTN25020DFLTA | 0,4200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTN25020 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 2 a | 50na (ICBO) | Npn | 270 MV @ 450 Ma, 4,5a | 300 @ 10ma, 2v | 215 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DCX144EU-7 | - - - | ![]() | 8017 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DCX144 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856ASQ-7-F | 0,0483 | ![]() | 1081 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC856 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
Fmmta13ta | - - - | ![]() | 3667 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmta13 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 300 ma | 100na | NPN - Darlington | 900 mV @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
MMBTA06-7-F | 0,2200 | ![]() | 258 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA06 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
DN350T05-7 | 0,3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DN350T05 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 350 V | 500 mA | 50na (ICBO) | Npn | 1v @ 5 ma, 50 mA | 20 @ 50 Ma, 10 V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC25D0UVT-7 | 0,4100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMC25 | MOSFET (Metalloxid) | 1.2W | TSOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 25 V, 30 V | 400 Ma, 3,2a | 4OHM @ 400 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 0,7nc @ 8v | 26.2PF @ 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DST3906DJ-7 | 0,0589 | ![]() | 6008 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-963 | DST3906 | 300 MW | SOT-963 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40V | 200 ma | 50na (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
FZT689BTA | 0,7300 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT689 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 450 MV @ 20 Ma, 3a | 400 @ 2a, 2v | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2041LSD-13 | 0,5100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMN2041 | MOSFET (Metalloxid) | 1.16W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 7.63a | 28mohm @ 6a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 15.6nc @ 10v | 550pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||
DCX114TH-7 | 0,0945 | ![]() | 9135 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DCX114 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
2DC2412R-7 | 0,0621 | ![]() | 3327 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2DC2412 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 180 @ 1ma, 6v | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
Bas7006ta | - - - | ![]() | 2726 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas7006 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 70 V | 15 Ma (DC) | 410 mv @ 1 mA | 200 na @ 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5241BT-7-G | - - - | ![]() | 1090 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MMBZ5241BT-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5242BW-13-F | - - - | ![]() | 4890 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-MMBZ5242BW-13-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ztx655stoa | - - - | ![]() | 8783 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX655 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 150 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 1a | 50 @ 500 mA, 5V | 30 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857BS-7-F | 0,0423 | ![]() | 5630 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC857 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5259BT-7-G | - - - | ![]() | 6857 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MMBZ5259BT-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ztx651stz | 0,8600 | ![]() | 9202 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX651 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 60 v | 2 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | - - - | 175MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
AZ23C3V3-7-F | 0,3500 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C3V3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 3.3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD4448HAQW-7 | - - - | ![]() | 7352 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBD4448HA | Standard | SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Kombinierte Gemeinsame -Anode | 80 v | 250 Ma | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 70 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT3009LFVW-13 | 0,2192 | ![]() | 7511 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | DMT3009 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12A (TA), 50A (TC) | 3,8 V, 10 V. | 11mohm @ 14.4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 823 PF @ 15 V | - - - | 2,3 W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
MMBT5401-7 | - - - | ![]() | 8572 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT5401 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 150 v | 600 mA | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMG3415UFY4-7 | - - - | ![]() | 8712 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMG3415 | MOSFET (Metalloxid) | DFN2015H4-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 16 v | 2,5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 39mohm @ 4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 10 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 281.9 PF @ 10 V | - - - | 400 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP1022UFDF-13 | 0,1733 | ![]() | 2401 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMP1022 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (typ f) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 12 v | 9,5a (TA) | 1,2 V, 4,5 V. | 14,8 MOHM @ 4A, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 48,3 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 2712 PF @ 10 V | - - - | 730 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C5V6W-7-F-79 | - - - | ![]() | 9345 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | AZ23C5v6 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | AZ23C5V6W-7-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5242B-7 | - - - | ![]() | 4981 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5242B | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN6069SFVW-13 | 0,1885 | ![]() | 9300 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | DMN6069 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN6069SFVW-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 4a (ta), 14a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 69mohm @ 3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 740 PF @ 30 V | - - - | 2,5 W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
MMBD7000-7 | - - - | ![]() | 8286 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD7000 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 75 V | 300 mA (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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