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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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DMN3023L-7 | 0,3700 | ![]() | 305 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN3023 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6.2a (ta) | 2,5 V, 10 V. | 25mohm @ 4a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 18,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 873 PF @ 15 V | - - - | 900 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GDZ7V5LP3-7 | 0,3300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,23% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0201 (0603 Metrik) | Gdz7v5 | 250 MW | X3-DFN0603-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 500 na @ 4 v | 7,5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C8V2S-7 | - - - | ![]() | 8490 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 500 NA @ 5 V. | 8.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
DMN61D9U-7 | - - - | ![]() | 5313 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN61 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 380 Ma (TA) | 1,8 V, 5 V. | 2OHM @ 50 Ma, 5V | 1V @ 250 ähm | 0,4 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 28.5 PF @ 30 V | - - - | 370 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR5H150VPTR-E1 | - - - | ![]() | 2654 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | Schottky | Do-201 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 920 mv @ 5 a | 8 µA @ 150 V | 175 ° C (max) | 5a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
DMP3160L-7 | 0,4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP3160 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2.7a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 122mohm @ 2,7a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | ± 20 V | 227 PF @ 10 V | - - - | 1.08W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
AZ23C22-7-F | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,62% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C22 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 na @ 17 v | 22.06 v | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFLS130LQ-7 | 0,5500 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | DFLS130 | Schottky | PowerDi ™ 123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 360 mv @ 1,5 a | 1 ma @ 30 v | -40 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 76PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
DDZX24C-13 | 0,0321 | ![]() | 9808 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Ddzx24 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DDZX24C-13DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 19 v | 24 v | 35 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ddz5v6csf-7 | 0,1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Ddz5v6 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 7,5 µa @ 2 V | 5.76 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT6016LPS-13 | 0,5700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMT6016 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 10.6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 864 PF @ 30 V | - - - | 1.23W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Zdt795ata | - - - | ![]() | 2141 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT795A | 2.75W | Sm8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 140V | 500 mA | 100NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250mv @ 50 mA, 500 mA | 300 @ 10ma, 2v | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMG7401SFG-13 | 0,5800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMG7401 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 9,8a (ta) | 4,5 V, 20V | 11mohm @ 12a, 20V | 3v @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 25 V | 2987 PF @ 15 V | - - - | 940 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
BZX84C11W-7-F | 0,3400 | ![]() | 8574 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bzx84 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT660VD1-13 | 0,1725 | ![]() | 1032 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Schottky | To-252, (d-pak) typt th | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-SDT660VD1-13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 500 mV @ 6 a | 30 mA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXTN19100CZTA | 0,7400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | ZXTN19100 | 2,4 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 v | 5.25 a | 50na (ICBO) | Npn | 350 MV @ 525 Ma, 5,25a | 200 @ 100 Ma, 2V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
BZX84C24W-7 | - - - | ![]() | 5204 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 6% | -65 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bzx84 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 16,8 V. | 24 v | 70 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ztx690b | 0,8900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX690 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 45 V | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 5ma, 1a | 400 @ 1a, 2v | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C4V7-13-F | 0,2100 | ![]() | 215 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 2 V | 4,7 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
FZT757ta | 0,8300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT757 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 5V | 30 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
DDTA115TUA-7-F | 0,0435 | ![]() | 7218 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTA115 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZDT694TC | - - - | ![]() | 2743 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT694 | 2.75W | Sm8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 120 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 500mv @ 5ma, 400 mA | 400 @ 200 Ma, 2V | 130 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmdt4401-7-f | 0,4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mmdt4401 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 600 mA | - - - | 2 NPN (Dual) | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDA113TU-7-F | 0,4900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDA113 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 1kohm | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
MMSTA13-7-F | 0,0840 | ![]() | 7822 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMSTA13 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5233bs-7-F | 0,0756 | ![]() | 5230 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBZ5233 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 3,5 V | 6 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX549 | 0,6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX549 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX549-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 750 MV @ 200ma, 2a | 100 @ 500 mA, 2V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMG3N60SJ3 | - - - | ![]() | 6210 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | DMG3N60 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 650 V | 2.8a (TC) | 10V | 3,5 Ohm @ 1,5a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 12,6 NC @ 10 V. | ± 30 v | 354 PF @ 25 V. | - - - | 41W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX601 | 0,8700 | ![]() | 3098 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX601 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX601-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 160 v | 1 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1,2 V @ 10ma, 1a | 2000 @ 500 mA, 10V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZX5T851ZTA | - - - | ![]() | 8141 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | ZX5T851 | 2.1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 5 a | 20na (ICBO) | Npn | 230 MV @ 300 Ma, 6a | 100 @ 2a, 1V | 130 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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