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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
MMSZ5234B-7 Diodes Incorporated MMSZ5234B-7 - - -
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 ECAD 6584 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ5234 500 MW SOD-123 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 4 V 6.2 v 7 Ohm
DN0150BLP4-7 Diodes Incorporated DN0150BLP4-7 - - -
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn DN0150 450 MW X2-DFN1006-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 200 @ 2ma, 6v 60 MHz
DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated DMP6023LFGQ-13 0,7800
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 ECAD 642 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMP6023 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 60 v 7.7a (ta) 4,5 V, 10 V. 25mohm @ 5a, 10V 3v @ 250 ähm 53.1 NC @ 10 V ± 20 V 2569 PF @ 30 V - - - 1W (TA)
DMP2040UFDF-13 Diodes Incorporated DMP2040UFDF-13 0,1382
RFQ
 ECAD 2500 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMP2040 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 P-Kanal 20 v 13a (TC) 2,5 V, 4,5 V. 32mohm @ 8,9a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 19 NC @ 8 V ± 12 V 834 PF @ 10 V. - - - 1,8W (TA)
DPBT8105-7 Diodes Incorporated DPBT8105-7 0,3300
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 ECAD 74 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DPBT8105 600 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 1 a 100na PNP 600mv @ 100 mA, 1a 100 @ 500 mA, 5V 150 MHz
FZT458TC Diodes Incorporated FZT458TC - - -
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 ECAD 9922 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT458 2 w SOT-223-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 4.000 400 V 300 ma 100na Npn 500mv @ 6ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V 50 MHz
ZTX415STOA Diodes Incorporated Ztx415stoa - - -
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 ECAD 8367 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX415 680 MW E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 100 v 500 mA 100NA (ICBO) Npn - avalanche -modus 500mv @ 1ma, 10 mA 25 @ 10ma, 10V 40 MHz
BC847BVN-7 Diodes Incorporated BC847BVN-7 0,4300
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 ECAD 161 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 BC847 150 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 600mv @ 5 mA, 100 mA / 650 mV @ 5 mA, 100 mA 200 @ 2MA, 5V / 220 @ 2MA, 5V 300 MHz, 200 MHz
BSS138DW-7-F Diodes Incorporated BSS138DW-7-F 0,4600
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 ECAD 7 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 MOSFET (Metalloxid) 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 50V 200 ma 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. 1,5 V @ 250 ähm - - - 50pf @ 10v Logikpegel -tor
DDTA114YUA-7 Diodes Incorporated DDTA114YUA-7 - - -
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 ECAD 1898 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTA114 200 MW SOT-323 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 68 @ 10ma, 5V 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
ZVN2120A Diodes Incorporated ZVN2120A - - -
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 ECAD 5373 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) MOSFET (Metalloxid) To-92 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 200 v 180 ma (ta) 10V 10ohm @ 250 mA, 10V 3V @ 1ma ± 20 V 85 PF @ 25 V. - - - 700 MW (TA)
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated DMS3015SSS-13 0,4400
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMS3015 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 11a (ta) 4,5 V, 10 V. 11,9 MOHM @ 11A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 30.6 NC @ 10 V. ± 12 V 1276 PF @ 15 V Schottky Diode (Körper) 1,55W (TA)
BZX84C3V6-7-F Diodes Incorporated BZX84C3V6-7-F 0,1700
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 ECAD 68 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 1 V 3.6 V 90 Ohm
DMN2065UW-7 Diodes Incorporated DMN2065UW-7 0,3700
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 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMN2065 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 2.8a (TA) 1,5 V, 4,5 V. 56mohm @ 2a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 5.4 NC @ 4.5 V ± 12 V 400 PF @ 10 V. - - - 430 MW (TA)
AZ23C4V3-7-F Diodes Incorporated AZ23C4V3-7-F 0,4100
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 ECAD 14 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 AZ23C4v3 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 4.3 v 95 Ohm
APT13003EZTR-G1 Diodes Incorporated APT13003EZTR-G1 - - -
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 ECAD 5959 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads APT13003 1,1 w To-92 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen APT13003EZTR-G1DI Ear99 8541.29.0095 2.000 465 v 1,5 a - - - Npn 400 mV @ 250 mA, 1a 13 @ 500 mA, 2V 4MHz
DDTB142TC-7-F Diodes Incorporated DDTB142TC-7-F - - -
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 ECAD 8356 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTB142 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 500 mA 500NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 100 @ 5ma, 5v 200 MHz 470 Ohm
HER601-T Diodes Incorporated HER601-T - - -
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 ECAD 9252 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch R-6, axial HER601 Standard R-6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1,2 V @ 6 a 60 ns 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 6a - - -
BZT52C33-13 Diodes Incorporated BZT52C33-13 - - -
RFQ
 ECAD 2021 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 23.1 V. 33 v 80 Ohm
1N5252B-T Diodes Incorporated 1N5252b-t - - -
RFQ
 ECAD 4194 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5252 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 Ma 100 Na @ 18 V. 24 v 33 Ohm
DSRHD08-13 Diodes Incorporated DSRHD08-13 - - -
RFQ
 ECAD 2670 0.00000000 Dioden Eingenbaut Diodestar ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Flache Leitungen DSRHD08 Standard 4-T Minidip Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 1,1 V @ 1 a 10 µa @ 800 V 1 a Einphase 800 V
DMN3018SFGQ-13 Diodes Incorporated DMN3018SFGQ-13 0,1731
RFQ
 ECAD 9962 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMN3018 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 8.5a (TA) 4,5 V, 10 V. 21mohm @ 10a, 10V 2,1 V @ 250 ähm 13.2 NC @ 10 V ± 25 V 697 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
DDTC113TE-7 Diodes Incorporated DDTC113TE-7 0,1100
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 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv DDTC113 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1034-DDTC113TE-7DKR Ear99 8541.21.0075 3.000
MMBT2907AT-7 Diodes Incorporated MMBT2907AT-7 - - -
RFQ
 ECAD 7140 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 MMBT2907A 150 MW SOT-523 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 600 mA 10NA (ICBO) PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 200 MHz
2N5551 Diodes Incorporated 2N5551 - - -
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 ECAD 9847 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 2N5551 625 MW To-92 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 160 v 200 ma - - - Npn 200mv @ 5ma, 50 mA 80 @ 10ma, 5V 300 MHz
FZT653TA Diodes Incorporated FZT653ta 0,6800
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT653 2 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 100 v 2 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 100 @ 500 mA, 2V 175MHz
ZTX696BSTOB Diodes Incorporated ZTX696BSTOB - - -
RFQ
 ECAD 2525 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX696B 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 180 v 500 mA 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 5ma, 200 mA 150 @ 200 Ma, 5V 70 MHz
FZT558 Diodes Incorporated FZT558 - - -
RFQ
 ECAD 7246 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT558 2 w SOT-223-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 400 V 200 ma 100na PNP 500mv @ 6ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V 50 MHz
SDT15H50P5-7D Diodes Incorporated SDT15H50P5-7D 0,2578
RFQ
 ECAD 9879 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 Schottky PowerDi ™ 5 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-SDT15H50P5-7DTR Ear99 8541.10.0080 1.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 470 mv @ 15 a 500 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 15a - - -
GDZ3V3LP3-7 Diodes Incorporated GDZ3V3LP3-7 0,2700
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 ECAD 24 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 0201 (0603 Metrik) Gdz3v3 250 MW X3-DFN0603-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 10 µa @ 1 V 3.3 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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