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Diskette HalblerProdukte (13379)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SBR8U60P5-13d | 0,2194 |  | 5577 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SBR8U60 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBR8U60P5-13DDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 60 v | 530 mv @ 8 a | 600 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||||||||
 | ZXMN3B01FTC | 0,1721 | | 3752 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXMN3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZXMN3B01FTCDI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 30 v | 1.7a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 150 MOHM @ 1,7A, 4,5 V. | 700 MV @ 250 um (min) | 2,93 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 258 PF @ 15 V | - - - | 625 MW (TA) | |||||||||||||
 | BZT52C22SQ-7-F | - - - | | 6904 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5,68% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C22SQ-7-FDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 15,4 V. | 22 v | 55 Ohm | |||||||||||||||||||
 | DMC3401LDW-7 | 0,4200 | | 55 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMC3401 | MOSFET (Metalloxid) | 290 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-und p-kanal-krementär | 30V | 800 Ma (TA), 550 Ma (TA) | 400MOHM @ 590 mA, 10V, 900MOHM @ 420 Ma, 10 V | 1,6 V @ 250 µA, 2,6 V @ 250 µA | 1,2nc @ 10v, 800pc @ 10v | 50pf @ 15V, 19PF @ 15V | - - - | ||||||||||||||||
 | DMG1023UVQ-13 | 0,0805 | | 4456 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DMG1023 | MOSFET (Metalloxid) | 530 MW (TA) | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMG1023UVQ-13DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 1.03a (TA) | 750 MOHM @ 430 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,622nc @ 4,5 V. | 59pf @ 16v | - - - | |||||||||||||||
 | DMG7430LFGQ-7 | 0,2384 | | 9976 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMG7430 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMG7430LFGQ-7DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 10.5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 11Mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 26.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1281 PF @ 15 V | - - - | 900 MW (TA) | |||||||||||||
| DMN10H170SFGQ-7 | 0,2780 | | 1029 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN10H170SFGQ-7DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 2,9a (TA), 8,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 122mohm @ 3,3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 14.9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 870.7 PF @ 25 V. | - - - | 940 MW (TA) | |||||||||||||
 | DMN10H220LK3-13 | 0,4300 | | 7131 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMN10 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 7.5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 220mohm @ 2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6.7 NC @ 10 V | ± 20 V | 384 PF @ 25 V. | - - - | 18.7W (TC) | ||||||||||||||
| DMN2005UFGQ-13 | 0,3938 | | 8795 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN2005 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN2005UFGQ-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 18A (TA), 50A (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 4,6 MOHM @ 13,5a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 164 NC @ 10 V. | ± 12 V | 6495 PF @ 10 V | - - - | 1.05W (TA) | |||||||||||||
| DMN2050LQ-7 | 0,1722 | | 3876 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN2050 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN2050LQ-7DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 5.9a (TA) | 2 V, 4,5 V. | 29mohm @ 5a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 6,7 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 532 PF @ 10 V. | - - - | 1.4W | |||||||||||||
 | DMN31D5UDA-7B | 0,0298 | | 4643 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | DMN31 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN0806-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN31D5UDA-7BDI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 n-kanal (dual) | 400 mA (TA) | 1,5OHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | - - - | |||||||||||||||||||
| DMN3401LDW-7 | 0,4200 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN3401 | MOSFET (Metalloxid) | 290 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 800 mA (TA) | 400mohm @ 590 mA, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 1,2nc @ 10v | 50pf @ 15V | - - - | ||||||||||||||||
| DMN4035L-7 | 0,0993 | | 9970 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN4035 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN4035L-7di | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 4.6a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 4.3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 12,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 574 PF @ 20 V | - - - | 720 MW | |||||||||||||
| DMN4035LQ-7 | 0,4000 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN4035 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 4.6a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 42mohm @ 4.3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 12,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 574 PF @ 20 V | - - - | 720 MW | ||||||||||||||
 | DMN6022SSS-13 | 0,2435 | | 4341 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMN6022 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN6022SSS-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 6.9a (ta) | 6 V, 10V | 29mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 2110 PF @ 30 V | - - - | 2.1W (TA) | |||||||||||||
 | DMNH4006SPS-13 | 0,5968 | | 3369 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | DMNH4006 | MOSFET (Metalloxid) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMNH4006SPS-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 110a (TC) | 10V | 7mohm @ 50a, 10V | 4v @ 250 ähm | 50,9 NC @ 10 V. | 20V | 2280 PF @ 25 V. | - - - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||
| DMP2079LCA3-7 | 0,1027 | | 5282 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMP2079 | MOSFET (Metalloxid) | X4-DSN1006-3 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMP2079LCA3-7DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 20 v | 3.4a (TA) | 1,8 V, 8 V. | 78mohm @ 500 mA, 8v | 1,2 V @ 250 ähm | 1,1 NC @ 4,5 V. | -12V | 152 PF @ 10 V | - - - | 810 MW | |||||||||||||
 | DMP2109uvt-13 | 0,0874 | | 6996 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMP2109 | MOSFET (Metalloxid) | TSOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMP2109uvt-13di | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | P-Kanal | 20 v | 3.7a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 80MOHM @ 2,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 6 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 443 PF @ 10 V. | - - - | 1.2W (TA) | |||||||||||||
 | DMP2900UW-13 | 0,0498 | | 2364 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMP2900 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMP2900UW-13DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 20 v | 600 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 750 MOHM @ 430 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,7 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | 49 PF @ 16 V | - - - | 300 MW | |||||||||||||
 | DMP3007SCGQ-13 | 0,5835 | | 5273 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMP3007 | MOSFET (Metalloxid) | V-DFN3333-8 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMP3007SCGQ-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,8 MOHM @ 11,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 64.2 NC @ 10 V. | ± 25 V | 2826 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||
| DMP3007SCGQ-7 | 1.3800 | | 980 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMP3007 | MOSFET (Metalloxid) | V-DFN3333-8 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,8 MOHM @ 11,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 64.2 NC @ 10 V. | ± 25 V | 2826 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||
| DMP4011SK3Q-13 | 0,5555 | | 8804 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMP4011 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMP4011SK3Q-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 14a (ta), 74a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11mohm @ 9.8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 2747 PF @ 20 V | - - - | 1,8W (TA), 5W (TC) | |||||||||||||
| DMT10H009LH3 | 0,8644 | | 8310 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | DMT10 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMT10H009LH3DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 100 v | 84a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20,2 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 2309 PF @ 50 V | - - - | 96W (TC) | |||||||||||||
 | DMT10H009LPS-13 | 0,9100 | | 6685 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMT10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 10A (TA), 90A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 40,2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2309 PF @ 50 V | - - - | 1,3W (TA) | ||||||||||||||
| DMT10H015SK3-13 | 0,4122 | | 1151 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMT10 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMT10H015SK3-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 54a (TC) | 6 V, 10V | 14mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 30.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2343 PF @ 50 V | - - - | 1,8W (TA), 4,2W (TC) | |||||||||||||
| DMT3006LPB-13 | 0,2533 | | 4085 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMT3006 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 (Typs) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMT3006LPB-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 11A (TA), 35A (TC), 14A (TA), 50A (TC) | 11.1MOHM @ 11.5A, 10V, 6MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | - - - | |||||||||||||||||||
| DMT47M2LDVQ-7 | 1.1000 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT47 | MOSFET (Metalloxid) | 2,34W (TA), 14,8 W (TC) | PowerDI3333-8 (Typ UXC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 11,9a (TA), 30,2a (TC) | 10.8mohm @ 20a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 14nc @ 10v | 891PF @ 20V | - - - | ||||||||||||||||
 | DMT47M2SFVW-13 | 0,2451 | | 7657 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | DMT47 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMT47M2SFVW-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 15,4a (TA), 49,1a (TC) | 10V | 7,5 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 12.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 897 PF @ 20 V | - - - | 2,67W (TA), 27,1W (TC) | |||||||||||||
 | DMT47M2SFVWQ-13 | 0,3546 | | 9283 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | DMT47 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMT47M2SFVWQ-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 15,4a (TA), 49,1a (TC) | 10V | 7,5 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 12.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 897 PF @ 20 V | - - - | 2,67W (TA), 27,1W (TC) | |||||||||||||
 | DMT6012LFV-13 | 0,2478 | | 2623 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT6012 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (Typ UX) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMT6012LFV-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 43,3a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 22.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 1522 PF @ 30 V | - - - | 1,95W (TA), 33,78W (TC) |
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