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Diskette HalblerProdukte (13379)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Geschwindigkeit	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Diodentyp	Spannung - Peak Reverse (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
SBR30E45CTB-13	- - -	RFQ	3125	Dioden Eingenbaut	SBR®	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	SBR30	Superbarriere		To-263	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	800	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)												1 Paar Gemeinsamer Kathode	45 V	15a	550 mv @ 15 a		480 µa @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
ZTX855	1.0200	RFQ	7432	Dioden Eingenbaut	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	E-Line-3			1,2 w	E-line (bis 92 kompatibel)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0075	4.000																						150 v	4 a			50na (ICBO)			Npn	260mv @ 400 mA, 4a	100 @ 1a, 5V	90 MHz
BZT52C3V9S-7	- - -	RFQ	6758	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SC-76, SOD-323	BZT52		200 MW	SOD-323	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																900 mv @ 10 mA		3 µa @ 1 V									3,9 v	90 Ohm
BC847BT-7-F	0,2200	RFQ	1	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-523	BC847		150 MW	SOT-523	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																						45 V	100 ma			15NA (ICBO)			Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	200 @ 2MA, 5V	100 MHz
BZT52C15-13-F-79	- - -	RFQ	1162	Dioden Eingenbaut	*	Band & Rollen (TR)	Veraltet					BZT52				- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	BZT52C15-13-F-79DI	Ear99	8541.10.0050	10.000
MMBZ5242BQ-7-F	0,1900	RFQ	5794	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																900 mv @ 10 mA		1 µa @ 9,1 V									12 v	30 Ohm
BAW56-7	- - -	RFQ	7942	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BAW56	Standard		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												1 Paar -Gemeinsamer -Anode	75 V	300 mA (DC)	1,25 V @ 150 mA	4 ns	2,5 µa @ 75 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
Fcx555ta	0,5400	RFQ	28	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa	FCX555		2.1 w	SOT-89-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0075	1.000																						180 v	700 Ma			20na (ICBO)			PNP	400 mv @ 25 mA, 250 mA	100 @ 100 Ma, 5V	100 MHz
DMN6069SFGQ-13	0,7100	RFQ	3	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn	DMN6069	MOSFET (Metalloxid)		PowerDI3333-8	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	60 v	18a (TC)	4,5 V, 10 V.	50mohm @ 4,5a, 10 V	3v @ 250 ähm	25 NC @ 10 V	± 20 V	1480 PF @ 30 V	- - -	2.4W
B390-13-F	1.6300	RFQ	5	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	Do-214AB, SMC	B390	Schottky		SMC	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	3.000	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													90 v		790 mv @ 3 a		500 µa @ 90 V	-55 ° C ~ 125 ° C.	3a	100pf @ 4v, 1 MHz
ZXT10P20DE6TC	- - -	RFQ	4939	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6	ZXT10P20D		1,1 w	SOT-26	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	10.000																						20 v	2,5 a			100na			PNP	350 MV @ 150 Ma, 2,5a	150 @ 2a, 2v	180 MHz
PD3Z284C3V9-7	0,1465	RFQ	2394	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5,13%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	PowerDi ™ 323	PD3Z284		500 MW	PowerDi ™ 323	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																1,1 V @ 100 mA		3 µa @ 1 V									3,9 v	90 Ohm
SBR3045SCTB-13	- - -	RFQ	7314	Dioden Eingenbaut	SBR®	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	SBR3045	Superbarriere		To-263ab (d²pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	SBR3045SCTB-13DI	Ear99	8541.10.0080	800	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												1 Paar Gemeinsamer Kathode	45 V	15a	700 mv @ 15 a		500 µa @ 45 V	- - -
Bas20W-7	0,4400	RFQ	839	Dioden Eingenbaut	*	Klebeband (CT) Schneiden	Aktiv					Bas20				Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	1034-BAS20W-7DKR	Ear99	8541.10.0070	3.000
BZX84B5V6-7-F-79	- - -	RFQ	9263	Dioden Eingenbaut	*	Band & Rollen (TR)	Veraltet					Bzx84				- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	BZX84B5V6-7-F-79DI	Ear99	8541.10.0050	3.000
BAV170	- - -	RFQ	5039	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BAV170	Standard		SOT-23-3	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000	Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit												1 Paar Gemeinsamer Kathode	85 V	125 Ma (DC)	1,1 V @ 50 Ma	3 µs	5 Na @ 75 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
KBJ402G	0,8700	RFQ	26	Dioden Eingenbaut	- - -	Rohr	Aktiv		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4-SIP, KBJ	KBJ402	Standard		KBJ	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	20																1 V @ 2 a		5 µa @ 200 V.		4 a				Einphase	200 v
DMP2160U-7	0,4500	RFQ	45	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DMP2160	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	20 v	3.2a (ta)	1,8 V, 4,5 V.	80MOHM @ 1,5A, 4,5 V.	900 MV @ 250 ähm		± 12 V	627 PF @ 10 V.	- - -	1.4W (TA)
DMP6250SE-13	0,7000	RFQ	3	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa	DMP6250	MOSFET (Metalloxid)		SOT-223-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal	60 v	2.1a (ta)	4,5 V, 10 V.	250 MOHM @ 1A, 10V	3v @ 250 ähm	9.7 NC @ 10 V.	± 20 V	551 PF @ 30 V	- - -	1,8 W (TA), 14W (TC)
BAV199TQ-7-F	0,0736	RFQ	4494	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	SOT-523	BAV199	Standard		SOT-523	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	31-BAV199TQ-7-FTR	Ear99	8541.10.0070	3.000	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)												1 Paar Serie Verbindung	85 V	215 Ma (DC)	1,25 V @ 150 mA	3 µs	5 Na @ 75 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
SBL3045CT-LS	- - -	RFQ	4628	Dioden Eingenbaut	- - -	Schüttgut	Veraltet			K. Loch	To-220-3 Full Pack	SBL3045	Schottky		To-220ab	Herunterladen				31-SBL3045CT-LS	Veraltet		1	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												1 Paar Gemeinsamer Kathode	45 V	30a	550 mv @ 15 a		500 µa @ 45 V	-55 ° C ~ 125 ° C.
GBPC25005W	- - -	RFQ	5164	Dioden Eingenbaut	- - -	Tablett	Veraltet		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	4 Quadratmeter, gbpc-w	GBPC25005	Standard		Gbpc-w	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	GBPC25005WDI	Ear99	8541.10.0080	100																1,1 V @ 12.5 a		5 µa @ 50 V		25 a				Einphase	50 v
ZMM5228B-7	- - -	RFQ	9887	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80	Zmm5228		500 MW	Mini Melf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0050	2.500																1,5 V @ 200 Ma		10 µa @ 1 V									3,9 v	23 Ohm
2N7002-7-F	0,1900	RFQ	1	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000		N-Kanal	60 v	115 Ma (TA)	5v, 10V	7.5OHM @ 50 Ma, 5V	2,5 V @ 250 ähm		± 20 V	50 PF @ 25 V.	- - -	370 MW (TA)
MMBZ5242BT-7-F	0,0736	RFQ	9018	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SOT-523	MMBZ5242		150 MW	SOT-523	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																900 mv @ 10 mA		1 µa @ 9,1 V									12 v	30 Ohm
ZXM64P02XTA	1.3900	RFQ	11	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit)	ZXM64P02	MOSFET (Metalloxid)		8-msop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000		P-Kanal	20 v	3,5a (TA)	2,7 V, 4,5 V.	90 MOHM @ 2,4a, 4,5 V.	700 MV @ 250 um (min)	6,9 NC @ 4,5 V.	± 12 V	900 PF @ 15 V	- - -	1.1W (TA)
DMTH8012LPSQ-13	0,8700	RFQ	7	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	DMTH8012	MOSFET (Metalloxid)		PowerDI5060-8	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	80 v	10a (ta), 72a (TC)	4,5 V, 10 V.	17mohm @ 12a, 10V	3v @ 250 ähm	46,8 NC @ 10 V.	± 20 V	2051 PF @ 40 V	- - -	2,6 W (TA), 136 W (TC)
ZVN4424ZTA	- - -	RFQ	9808	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa		MOSFET (Metalloxid)		SOT-89-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal	240 V	300 mA (TA)	2,5 V, 10 V.	5.5OHM @ 500 mA, 10V	1,8 V @ 1ma		± 40 V	200 PF @ 25 V.	- - -	1W (TA)
ZXMN10A11K	- - -	RFQ	3490	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		To-252-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	100 v	2.4a (TA)	6 V, 10V	350 MOHM @ 2,6a, 10V	4v @ 250 ähm	5.4 NC @ 10 V	± 20 V	274 PF @ 50 V	- - -	2.11W (TA)
DDTA122LE-7	0,3600	RFQ	4	Dioden Eingenbaut	*	Band & Rollen (TR)	Aktiv					DDTA122				Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	1034-DDTA122LE-7DKR	Ear99	8541.21.0075	3.000

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (13379)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²