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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
BZX84C27S-7 Diodes Incorporated BZX84C27S-7 0,1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv ± 7,04% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bzx84 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 2 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 100 Na @ 18,9 V. 27 v 80 Ohm
BZX84C16-7 Diodes Incorporated BZX84C16-7 - - -
RFQ
 ECAD 1295 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 11.2 V. 16 v 40 Ohm
MMBZ5237BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5237BT-7-F 0,0736
RFQ
 ECAD 6675 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOT-523 MMBZ5237 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µA @ 6,5 V. 8.2 v 8 Ohm
BC817-25-7-F Diodes Incorporated BC817-25-7-F 0,2100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC817 310 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100na Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 160 @ 100 mA, 1V 100 MHz
DMN3069L-13 Diodes Incorporated DMN3069L-13 0,0608
RFQ
 ECAD 2007 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN3069 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN3069L-13TR Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 30 v 5.3a (ta) 4,5 V, 10 V. 30mohm @ 4a, 10V 1,8 V @ 250 ähm 8.1 NC @ 10 V ± 20 V 309 PF @ 15 V - - - 800 MW
MMBZ5259BTS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5259BTS-7-F 0,1300
RFQ
 ECAD 3038 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5259 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 3 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 100 na @ 30 v 39 v 80 Ohm
ZVN2120ASTOB Diodes Incorporated ZVN2120ASTOB - - -
RFQ
 ECAD 1113 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 MOSFET (Metalloxid) E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 200 v 180 ma (ta) 10V 10ohm @ 250 mA, 10V 3V @ 1ma ± 20 V 85 PF @ 25 V. - - - 700 MW (TA)
SBR0330CW-7 Diodes Incorporated SBR0330CW-7 0,4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 SBR0330 Superbarriere SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 150 Ma 580 MV @ 200 Ma 5 µa @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C.
SDT40A100CTFP Diodes Incorporated SDT40A100CTFP 0,8700
RFQ
 ECAD 2374 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte SDT40 Schottky ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen SDT40A100CTFPDI Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 20a 720 mv @ 20 a 120 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
ZXSBMR16PT8TA Diodes Incorporated ZXSBMR16PT8TA - - -
RFQ
 ECAD 7021 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-223-8 SBMR16PT8 Schottky Sm8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0070 1.000 750 mV @ 1 a 10 µa @ 30 V 400 ma Einphase 40 v
BZT585B4V3T-7 Diodes Incorporated BZT585B4V3T-7 0,2300
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 3 µa @ 1 V 4.3 v 150 Ohm
DMTH4008LFDFW-13 Diodes Incorporated DMTH4008LFDFW-13 0,2226
RFQ
 ECAD 4680 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMTH4008 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (SWP) (Typ F) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 40 v 11.6a (ta) 4,5 V, 10 V. 11,5 MOHM @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 14.2 NC @ 10 V. ± 20 V 1030 PF @ 20 V - - - 990 MW (TA)
BZT52C3V0-7 Diodes Incorporated BZT52C3V0-7 - - -
RFQ
 ECAD 2046 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 10 µa @ 1 V 3 v 95 Ohm
SBL1650CT Diodes Incorporated SBL1650CT - - -
RFQ
 ECAD 3854 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 SBL1650 Schottky To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 50 v 16a 700 mv @ 8 a 500 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C.
DDC143TH-7 Diodes Incorporated DDC143th-7 0,0945
RFQ
 ECAD 2945 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DDC143 150 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma - - - 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 4.7kohm - - -
GBPC2508W Diodes Incorporated GBPC2508W - - -
RFQ
 ECAD 4513 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Tablett Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC2508 Standard Gbpc-w Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen GBPC2508WDI Ear99 8541.10.0080 100 1,1 V @ 12.5 a 5 µa @ 800 V 25 a Einphase 800 V
MMBZ5232BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5232BT-7-F 0,0736
RFQ
 ECAD 1042 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOT-523 MMBZ5232 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 3 V 5.6 v 11 Ohm
DMN5L06T-7 Diodes Incorporated DMN5L06T-7 - - -
RFQ
 ECAD 1303 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 DMN5L06 MOSFET (Metalloxid) SOT-523 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 50 v 280 Ma (TA) 1,8 V, 2,7 V. 3OHM @ 200 Ma, 2,7 V. 1,2 V @ 250 ähm ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 150 MW (TA)
ZXMN3A01FTC Diodes Incorporated ZXMN3A01FTC - - -
RFQ
 ECAD 1899 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXMN3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 30 v 1,8a (ta) 4,5 V, 10 V. 120 MOHM @ 2,5A, 10 V 1V @ 250 ähm 3,9 NC @ 10 V. ± 20 V 190 PF @ 25 V. - - - 625 MW (TA)
DMC3035LSD-13 Diodes Incorporated DMC3035LSD-13 - - -
RFQ
 ECAD 3488 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMC3035 MOSFET (Metalloxid) 2W 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N und p-kanal 30V 6.9a, 5a 35mohm @ 6.9a, 10V 2,1 V @ 250 ähm 8.6nc @ 10v 384PF @ 15V Logikpegel -tor
DMPH6050SPDQ-13 Diodes Incorporated DMPH6050SPDQ-13 1.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMPH6050 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 p-kanal (dual) 26a (TC) 48mohm @ 5a, 10V 3v @ 250 ähm 14.5nc @ 4,5 V 1525PF @ 30V - - -
DMT8030LFDF-7 Diodes Incorporated DMT8030LFDF-7 0,2915
RFQ
 ECAD 6806 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMT8030LFDF-7TR Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 80 v 7.5a (ta) 4,5 V, 10 V. 25mohm @ 5a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 10.4 NC @ 10 V ± 20 V 641 PF @ 25 V. - - - 1.2W (TA)
DMN2450UFB4Q-7B Diodes Incorporated DMN2450UFB4Q-7B 0,0434
RFQ
 ECAD 7545 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn DMN2450 MOSFET (Metalloxid) X2-DFN1006-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN2450UFB4Q-7BTR Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 20 v 1a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 400 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. 900 MV @ 250 ähm 1,3 NC @ 10 V. ± 12 V 56 PF @ 16 V. - - - 500 MW (TA)
ZXMN10A08E6QTA Diodes Incorporated ZXMN10A08E6QTA 0,3561
RFQ
 ECAD 3806 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 MOSFET (Metalloxid) SOT-26 - - - UnberÜHrt Ereichen 31-Zxmn10a08e6qtatr Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 100 v 1,5a (ta) 6 V, 10V 250 MOHM @ 3.2a, 10 V 4v @ 250 ähm 7,7 NC @ 10 V ± 20 V 405 PF @ 50 V - - - 1.1W (TA)
BZX84C16Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C16Q-7-F 0,0357
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,63% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-BZX84C16Q-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 11.2 V. 16 v 40 Ohm
DCP51-16-13 Diodes Incorporated DCP51-16-13 - - -
RFQ
 ECAD 9530 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa DCP51 1 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 45 V 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 200 MHz
RDBF2510-13 Diodes Incorporated RDBF2510-13 0,2272
RFQ
 ECAD 9890 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Flache Leitungen RDBF2510 Standard DBF Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 1,3 V @ 2,5 a 5 µA @ 1000 V 2,5 a Einphase 1 kv
DMT69M8LFV-13 Diodes Incorporated DMT69M8LFV-13 0,7100
RFQ
 ECAD 5924 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT69 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (Typ UX) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 60 v 45a (TC) 4,5 V, 10 V. 9,5 MOHM @ 13,5a, 10V 3v @ 250 ähm 33,5 NC @ 10 V. ± 16 v 1925 PF @ 30 V - - - 42W (TC)
DMN3060LW-13 Diodes Incorporated DMN3060LW-13 0,0602
RFQ
 ECAD 1240 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMN3060 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN3060LW-13TR Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 30 v 2.6a (TA) 4,5 V, 10 V. 60MOHM @ 3.1a, 10V 1,8 V @ 250 ähm 5.6 NC @ 4.5 V ± 12 V 395 PF @ 15 V - - - 500 MW (TA)
DMPH4029LFGQ-13-52 Diodes Incorporated DMPH4029LFGQ-13-52 0,2139
RFQ
 ECAD 4615 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen 31-DMPH4029LFGQ-13-52 Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 40 v 8a (ta), 22a (TC) 4,5 V, 10 V. 29mohm @ 3a, 10V 3v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 1626 PF @ 20 V - - - 1.2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

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