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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
KBP404G Diodes Incorporated KBP404G 0,7400
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 ECAD 9572 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, KBP KBP404 Standard KBP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 35 1,1 V @ 4 a 5 µa @ 400 V 4 a Einphase 400 V
DMN3300U-7 Diodes Incorporated DMN3300U-7 0,4600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN3300 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 2a (ta) 1,5 V, 4,5 V. 150 MOHM @ 4,5A, 4,5 V. 1V @ 250 ähm ± 12 V 193 PF @ 10 V. - - - 700 MW (TA)
DDC122TU-7-F Diodes Incorporated DDC122TU-7-F - - -
RFQ
 ECAD 5317 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC122 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma - - - 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 100 @ 1ma, 5V 200 MHz 220 Ohm - - -
FMMT591QTA Diodes Incorporated Fmmt591qta 0,3900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmt591 500 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 1 a 100na PNP 350 mV @ 100 mA, 1a 100 @ 500 mA, 5V 150 MHz
ZXMD63N02XTC Diodes Incorporated ZXMD63N02XTC - - -
RFQ
 ECAD 4311 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) ZXMD63 MOSFET (Metalloxid) 1.04W 8-msop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 2 n-kanal (dual) 20V 2.5a 130 MOHM @ 1,7A, 4,5 V. 3v @ 250 ähm 6nc @ 4,5 V 700PF @ 15V Logikpegel -tor
SBR2A40SA-13 Diodes Incorporated SBR2A40SA-13 0,1523
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 ECAD 4690 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SBR2A40 Superbarriere SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 40 v 550 mV @ 2 a 500 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a - - -
ZVP3310ASTOB Diodes Incorporated ZVP3310ASTOB - - -
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 ECAD 1943 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 MOSFET (Metalloxid) E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 P-Kanal 100 v 140 mA (TA) 10V 20ohm @ 150 mA, 10V 3,5 V @ 1ma ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 625 MW (TA)
MMBZ5258BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5258BT-7-F 0,0736
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 ECAD 2079 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOT-523 MMBZ5258 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 27 V 36 v 70 Ohm
1N4148WT-7-G Diodes Incorporated 1N4148WT-7-G - - -
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 ECAD 3950 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet 1N4148 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1N4148WT-7-GDI Ear99 8541.10.0070 3.000
DDZ27DS-7 Diodes Incorporated DDZ27DS-7 0,3000
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 ECAD 6902 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2,5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 DDZ27 200 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 21 v 27 v 45 Ohm
DXT5551P5-13 Diodes Incorporated DXT5551P5-13 0,4800
RFQ
 ECAD 407 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 DXT5551 2,25 w PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 5.000 160 v 600 mA 50na (ICBO) Npn 200mv @ 5ma, 50 mA 80 @ 10ma, 5V 130 MHz
DMP1011LFV-13 Diodes Incorporated DMP1011LFV-13 0,2761
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMP1011 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 12 v 19A (TC) 2,5 V, 4,5 V. 11,7 MOHM @ 12A, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 9,5 NC @ 6 V -6v 913 PF @ 6 V - - - 2.16W
MMBZ5234B-7 Diodes Incorporated MMBZ5234B-7 - - -
RFQ
 ECAD 4833 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5234B 350 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 4 V 6.2 v 7 Ohm
SF10CG-B Diodes Incorporated SF10CG-B - - -
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 ECAD 7119 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 950 mv @ 1 a 35 ns 10 µA @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 75PF @ 4V, 1 MHz
BZX84C2V7Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C2V7Q-7-F 0,0357
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 ECAD 2200 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 7,41% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-BZX84C2V7Q-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 20 µa @ 1 V 2,7 v 100 Ohm
DMP21D0UFD-7 Diodes Incorporated DMP21D0UFD-7 0,4800
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 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-udfn DMP21 MOSFET (Metalloxid) X1-DFN1212-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 820 Ma (TA) 1,5 V, 4,5 V. 495mohm @ 800 mA, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 3 NC @ 4,5 V. ± 8 v 80 PF @ 10 V - - - 490 MW (TA)
DDTC113ZKA-7-F Diodes Incorporated DDTC113ZKA-7-F - - -
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 ECAD 3355 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTC113 200 MW SC-59-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 33 @ 5ma, 5v 250 MHz 1 Kohms 10 Kohms
BZT52C10S-7-F Diodes Incorporated BZT52C10S-7-F 0,2800
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 7 v 10 v 20 Ohm
DDA114YU-7 Diodes Incorporated DDA114YU-7 0,4200
RFQ
 ECAD 637 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv DDA114 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1034-DDA114YU-7DKR Ear99 8541.21.0075 3.000
DF1506S Diodes Incorporated DF1506s 0,9408
RFQ
 ECAD 6054 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel DF1506 Standard Df-s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1,5 a 10 µa @ 600 V 1,5 a Einphase 600 V
DXTN26070CY-13 Diodes Incorporated DXTN26070CY-13 0,1320
RFQ
 ECAD 8236 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa DXTN26070 700 MW SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.500 70 V 2 a 50na (ICBO) Npn 300 mv @ 100 mA, 1a 200 @ 100 Ma, 2V 220 MHz
BZX84C8V2Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C8V2Q-7-F 0,0357
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6,1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-BZX84C8V2Q-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 700 NA @ 5 V. 8.2 v 15 Ohm
DDTA123TKA-7-F Diodes Incorporated DDTA123TKA-7-F - - -
RFQ
 ECAD 1005 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTA123 200 MW SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 5 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 2.2 Kohms
BAV99DW-7-F Diodes Incorporated BAV99DW-7-F 0,3300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAV99 Standard SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Paar Serie Verbindung 75 V 215 Ma (DC) 1,25 V @ 150 mA 4 ns 2,5 µa @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C.
MBR1645 Diodes Incorporated MBR1645 - - -
RFQ
 ECAD 3271 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 MBR1645 Schottky To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen MBR1645DI Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 630 mv @ 16 a 200 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a 450pf @ 4V, 1 MHz
DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated DMG4800LK3-13 0,5800
RFQ
 ECAD 9337 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMG4800 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 10a (ta) 4,5 V, 10 V. 17mohm @ 9a, 10V 1,6 V @ 250 ähm 8,7 NC @ 5 V. ± 25 V 798 PF @ 10 V. - - - 1,71W (TA)
SB550-T Diodes Incorporated SB550-T 0,2960
RFQ
 ECAD 8727 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-201ad, axial SB550 Schottky Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.200 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 670 mv @ 5 a 500 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
DDTC124ECA-7-F Diodes Incorporated DDTC124ECA-7-F 0,2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTC124 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5ma, 5V 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
BAT750-7 Diodes Incorporated Bat750-7 - - -
RFQ
 ECAD 2413 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bat750 Schottky SOT-23-3 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 490 mv @ 750 mA 10 ns 100 µa @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 750 Ma 175PF @ 0V, 1MHz
DMC4029SSD-13 Diodes Incorporated DMC4029SSD-13 0,2893
RFQ
 ECAD 8763 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMC4029 MOSFET (Metalloxid) 1,8W (TA) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-und p-kanal-krementär 40V 9a (ta), 6,5a (ta) 24MOHM @ 6A, 10V, 45MOHM @ 5A, 10V 3v @ 250 ähm 8,8nc @ 4,5 V, 10,6nc @ 4,5 V. 1060pf @ 20V, 1154pf @ 20V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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