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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
SBG1025L-T Diodes Incorporated SBG1025L-T - - -
RFQ
 ECAD 6247 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab SBG1025 Schottky To-263ab (d²pak) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 25 v 450 mV @ 10 a 1 ma @ 25 v -65 ° C ~ 125 ° C. 10a - - -
BAV20W-7-F Diodes Incorporated BAV20W-7-F 0,2400
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123 BAV20 Standard SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 150 v 1,25 V @ 200 Ma 50 ns 100 NA @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C. 200 ma 5PF @ 0V, 1MHz
DST3906DJ-7 Diodes Incorporated DST3906DJ-7 0,0589
RFQ
 ECAD 6008 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-963 DST3906 300 MW SOT-963 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 40V 200 ma 50na (ICBO) 2 PNP (Dual) 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 300 MHz
DDZ23Q-7 Diodes Incorporated DDZ23Q-7 - - -
RFQ
 ECAD 3274 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 DDZ23 310 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 19 v 23.19 v 35 Ohm
BZX84C8V2-13-F-79 Diodes Incorporated BZX84C8V2-13-F-79 - - -
RFQ
 ECAD 6666 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet Bzx84 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZX84C8V2-13-F-79DI Ear99 8541.10.0050 10.000
DCP55-13 Diodes Incorporated DCP55-13 - - -
RFQ
 ECAD 5160 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa DCP55 1 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 60 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 2V 200 MHz
MBRD20150CT-13 Diodes Incorporated MBRD20150CT-13 0,6000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MBRD20150 Schottky To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 2.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 10a 900 mv @ 10 a 50 µa @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C.
SD930-T Diodes Incorporated SD930-T - - -
RFQ
 ECAD 6341 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-201ad, axial Schottky Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.200 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 480 mv @ 9 a 800 µA @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C. 9a 900PF @ 4V, 1 MHz
UF1007-T Diodes Incorporated UF1007-T 0,4600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial UF1007 Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,7 V @ 1 a 75 ns 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4v, 1 MHz
DMT6011LSS-13 Diodes Incorporated DMT6011LSS-13 0,2119
RFQ
 ECAD 8301 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMT6011LSS-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 10.6a (ta) 4,5 V, 10 V. 11mohm @ 10a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 22.2 NC @ 10 V ± 20 V 1072 PF @ 30 V - - - 1.4W (TA)
S1BB-13 Diodes Incorporated S1BB-13 - - -
RFQ
 ECAD 8350 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB S1B Standard SMB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 1,1 V @ 1 a 3 µs 5 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4v, 1 MHz
DMN65D8LT-13 Diodes Incorporated DMN65D8LT-13 0,0260
RFQ
 ECAD 9305 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 DMN65 MOSFET (Metalloxid) SOT-523 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN65D8LT-13TR Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 60 v 210 mA (TA) 5v, 10V 5ohm @ 115 mA, 10V 2v @ 250 ähm 0,4 NC @ 4,5 V. ± 20 V 24 PF @ 25 V. - - - 300 MW (TA)
B3L30LP-7-2477 Diodes Incorporated B3L30LP-7-2477 - - -
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung 8-Powerudfn Schottky U-DFN3030-8 - - - 31-B3L30LP-7-2477 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 450 mV @ 3 a 1 ma @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
BZT52C8V2-13-F-79 Diodes Incorporated BZT52C8V2-13-F-79 - - -
RFQ
 ECAD 9109 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet BZT52 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZT52C8V2-13-F-79DI Ear99 8541.10.0050 10.000
BSN20-7 Diodes Incorporated BSN20-7 0,3300
RFQ
 ECAD 148 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BSN20 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 50 v 500 mA (TA) 4,5 V, 10 V. 1,8OHM @ 220 mA, 10 V. 1,5 V @ 250 ähm 0,8 nc @ 10 v ± 20 V 40 PF @ 10 V - - - 600 MW (TA)
BAT54SW-7 Diodes Incorporated BAT54SW-7 - - -
RFQ
 ECAD 9536 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bat54 Schottky SOT-323 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Serie Verbindung 30 v 200 Ma (DC) 1 V @ 100 mA 5 ns 2 µa @ 25 V. -65 ° C ~ 125 ° C.
ZVP1320FTA-50 Diodes Incorporated ZVP1320FTA-50 0,1423
RFQ
 ECAD 7084 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 31-ZVP1320FTA-50 Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 200 v 35 mA (ta) 10V 80OHM @ 50 Ma, 10V 3,5 V @ 1ma ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 350 MW (TA)
MMSZ5241B-7 Diodes Incorporated MMSZ5241B-7 - - -
RFQ
 ECAD 7283 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ5241B 500 MW SOD-123 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 2 µa @ 8,4 V 11 v 22 Ohm
FRS1ME-7 Diodes Incorporated FRS1ME-7 0,0718
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-219aa Standard Do-219aa Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-FRS1ME-7TR Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 5PF @ 4V, 1 MHz
MBR10200CD-G1 Diodes Incorporated MBR10200CD-G1 - - -
RFQ
 ECAD 6642 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MBR10200 Schottky To-252-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 80 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 5a 950 mv @ 5 a 150 µa @ 200 V. 150 ° C (max)
MMBZ5251BS-7 Diodes Incorporated MMBZ5251BS-7 0,1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
SDT5H100P5-7 Diodes Incorporated SDT5H100P5-7 0,4400
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 SDT5H100 Schottky PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 620 mv @ 5 a 100 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
DMT12H007LPS-13 Diodes Incorporated DMT12H007LPS-13 1.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMT12 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 31-DMT12H007LPS-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 120 v 90a (TC) 4,5 V, 10 V. 7,8 MOHM @ 30a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 49 NC @ 10 V. ± 20 V 3224 PF @ 60 V - - - 2.9W
B160-13 Diodes Incorporated B160-13 - - -
RFQ
 ECAD 6709 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA B160 Schottky SMA - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 110PF @ 4V, 1 MHz
SDM2U20CSP-7 Diodes Incorporated SDM2U20CSP-7 0,3800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 2-xdfn SDM2U20 Schottky X3-WLB1608-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 470 mv @ 2 a 150 µa @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 115PF @ 4V, 1 MHz
DMPH4029LFG-13 Diodes Incorporated DMPH4029LFG-13 0,2558
RFQ
 ECAD 5470 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMPH4029 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen DMPH4029LFG-13DI Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 40 v 8a (ta), 22a (TC) 4,5 V, 10 V. 29mohm @ 3a, 10V 3v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 1626 PF @ 20 V - - - 1.2W (TA)
DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated DMP58D0LFB-7 0,4100
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-Ufdfn DMP58 MOSFET (Metalloxid) X1-DFN1006-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 50 v 180 ma (ta) 2,5 V, 5 V. 8ohm @ 100 mA, 5V 2,1 V @ 250 ähm ± 20 V 27 PF @ 25 V. - - - 470 MW (TA)
SDM05U20S3-7 Diodes Incorporated SDM05U20S3-7 0,3900
RFQ
 ECAD 9108 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 SDM05 Schottky SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 390 mv @ 500 mA 160 µa @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 500 mA 10pf @ 5v, 1 MHz
BAV70T-7-F Diodes Incorporated BAV70T-7-F 0,2900
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-523 BAV70 Standard SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 85 V 75 Ma (DC) 1 V @ 50 Ma 4 ns 2 µa @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C.
BAT750-7 Diodes Incorporated Bat750-7 - - -
RFQ
 ECAD 2413 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bat750 Schottky SOT-23-3 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 490 mv @ 750 mA 10 ns 100 µa @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 750 Ma 175PF @ 0V, 1MHz
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    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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