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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | DMPH4029LFGQ-13 | 0,2701 | ![]() | 9535 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMPH4029 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMPH4029LFGQ-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 8a (ta), 22a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1626 PF @ 20 V | - - - | 1.2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
FZT489ta | 0,6400 | ![]() | 347 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT489 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30 v | 1 a | 100na | Npn | 600mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 1a, 2v | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT13003LZTR-G1 | - - - | ![]() | 6804 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | APT13003 | 800 MW | To-92 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | APT13003LZTR-G1DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 450 V | 800 mA | - - - | Npn | 500mv @ 40 mA, 200 mA | 6 @ 300 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
DMP2170U-7 | 0,3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP2170 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.1a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 90 MOHM @ 3,5A, 4,5 V. | 1,25 V @ 250 ähm | 7,8 NC @ 10 V | ± 12 V | 303 PF @ 10 V. | - - - | 780 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT20A100CTFP | 0,6232 | ![]() | 7890 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SDT20 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 670 mv @ 10 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Fmmt458qta | 0,4900 | ![]() | 4429 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt458 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 400 V | 225 Ma | 100na | Npn | 500mv @ 6ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB152W | - - - | ![]() | 7806 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, mb-w | Standard | Mb-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MB152WDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 a | 10 µA @ 200 V. | 15 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZ5v6b-7 | 0,2800 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | UDZ5v6 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µa @ 2,5 V | 5.6 v | 60 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
DDZX24C-13 | 0,0321 | ![]() | 9808 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Ddzx24 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DDZX24C-13DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 19 v | 24 v | 35 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
BC847C-13-F | 0,2000 | ![]() | 364 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC847 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ztx651stoa | - - - | ![]() | 6243 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX651 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 60 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | - - - | 175MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5237BS-7 | - - - | ![]() | 9784 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | MMSZ5237B | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µA @ 6,5 V. | 8.2 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX753 | 0,8600 | ![]() | 1591 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX753 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX753-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | - - - | 140 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXTDAM832TA | - - - | ![]() | 7737 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | ZXTDAM832 | 1.7W | 8-mlp (3x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 15 v | 4,5a | 25na | 2 NPN (Dual) | 280 MV @ 50 Ma, 4,5a | 200 @ 3a, 2v | 120 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4733a-t | - - - | ![]() | 5433 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4733 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 1 V | 5.1 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMP3F36N8TA | - - - | ![]() | 5464 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZXMP3F36N8TADI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 7.2a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 43,9 NC @ 15 V | ± 20 V | 2265 PF @ 15 V | - - - | 1,56W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3030LFG-13 | - - - | ![]() | 6766 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN3030 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | 31-DMN3030LFG-13 | Veraltet | 1 | N-Kanal | 30 v | 5.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 18mohm @ 10a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 17.4 NC @ 10 V. | ± 25 V | 751 PF @ 10 V. | - - - | 900 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
BAS70W-04-7 | - - - | ![]() | 7630 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas70 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DZ9F3V6S92-7 | 0,3500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-923 | DZ9F3 | 200 MW | SOD-923 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 3.6 V | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B0530WSQ-13-F | 0,4700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | B0530 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 450 MV @ 500 mA | 500 µa @ 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 500 mA | 58PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
DMP3050LVT-7 | 0,5200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMP3050 | MOSFET (Metalloxid) | TSOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 50mohm @ 4,5a, 10 V | 2v @ 250 ähm | 10.5 NC @ 10 V | ± 25 V | 620 PF @ 15 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2dd1766q-13 | - - - | ![]() | 4863 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2dd1766 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 32 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 800mv @ 200 Ma, 2a | 120 @ 500 mA, 3V | 220 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA143TE-7-F | 0,0483 | ![]() | 5942 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTA143 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXTP05120HFFTA | 0,5700 | ![]() | 87 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-3 Flache Leitungen | ZXTP05120 | 1,5 w | SOT-23F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 120 v | 1 a | 10 µA | PNP - Darlington | 2v @ 2ma, 2a | 3000 @ 1a, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4751a-t | - - - | ![]() | 5418 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4751 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 22,8 V. | 30 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
FRS1ME-7 | 0,0718 | ![]() | 8976 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219aa | Standard | Do-219aa | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-FRS1ME-7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 5PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP3018SSS-13 | 0,6300 | ![]() | 3241 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMP3018 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 10.5a (TA), 25a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 11.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 25 V | 2714 PF @ 15 V | - - - | 1.2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN6069SFGQ-13 | 0,7100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN6069 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 50mohm @ 4,5a, 10 V | 3v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1480 PF @ 30 V | - - - | 2.4W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA123JKA-7-F | - - - | ![]() | 3620 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA123 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
AZ23C5v6q-7-F | - - - | ![]() | 3804 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 7,14% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C5v6 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 na @ 1 v | 5.6 v | 40 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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