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Diskette HalblerProdukte (5680)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Spannung - Bewort	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Frequenz	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	Aktuelle Bewertung (Verstärker)	Strom - Hold (ih) (max)	Strom - Test	Leistung - Ausgang	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Triactyp	Spannung - Staat	Strom - Auf Status (It (RMS)) (max)	Spannung - Gate Trigger (VGT) (max)	Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM)	Strom - Gate Trigger (IGT) (max)	Spannung - Im Zustand (VTM) (max)	Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max)	Aktuell - Aus dem Zustand (max)	SCR -Typ	RAUSCHFIGUR	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Spannung - Test	Transistortyp	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
Hzu11a1ltrf-e	0,1200	RFQ	108	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv										- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0050	3.000
Rkz11cku#p6	0,0900	RFQ	132	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv										- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0050	4.000
UPA810T-T1-A	0,4300	RFQ	807	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363				200 MW	SOT-363	Herunterladen	Nicht Anwendbar				Ear99	8541.21.0075	3.000								9db																															12V	100 ma		2 NPN (Dual)	70 @ 7ma, 3v	4,5 GHz	1,2 dB @ 1 GHz
Hat2088r-el-e	- - -	RFQ	9069	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	HAT2088		MOSFET (Metalloxid)		8-Sop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500			N-Kanal						200 v	2a (ta)	10V	440Mohm @ 1a, 10V	- - -	13 NC @ 10 V	± 30 v	450 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA)
Hz3b3-e	0,1000	RFQ	34	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv										Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1
RJK1576DPA-00#J5A	1.7009	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn	RJK1576		MOSFET (Metalloxid)		WPAK (3F) (5x6)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	-1161-RJK1576DPA-00#J5ACT	Ear99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal						150 v	25a (ta)	10V	58mohm @ 12.5a, 10V	- - -	19 NC @ 10 V	± 30 v	1200 PF @ 25 V.	- - -	65W (TC)
BCR3FM-12RB#BH0	- - -	RFQ	6268	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Rohr	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	BCR3				To-220fpa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.30.0080	50	Einzel																		Standard	600 V	3 a	1,5 v	30a @ 60Hz	15 Ma
RJS6005WDPK-00#T0	- - -	RFQ	6586	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-3 Full Pack			SIC (Silicon Carbide) Schottky		To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																												1 Paar Gemeinsamer Kathode	600 V	15a (DC)	1,8 V @ 15 a	15 ns	10 µa @ 600 V	-55 ° C ~ 155 ° C.
2SK2373ze-tl-e	0,3100	RFQ	36	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv										Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	3.000
RJU60C3SDPD-E0#J2	- - -	RFQ	4977	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			Standard		To-252	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	3.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)																													600 V		2.1 V @ 30 a	90 ns	1 µa @ 600 V	150 ° C (max)	10a	- - -
Hz4b2td-e	- - -	RFQ	9100	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv										Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1.498
RJL5014DPK-00#T0	- - -	RFQ	6822	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Rohr	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	RJL5014		MOSFET (Metalloxid)		To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1			N-Kanal						500 V	19a (ta)	10V	400mohm @ 9.5a, 10V	- - -	43 NC @ 10 V	± 30 v	1700 PF @ 25 V.	- - -	150W (TC)
HAT2197R-EL-E	- - -	RFQ	9694	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	HAT2197		MOSFET (Metalloxid)		8-Sop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500			N-Kanal						30 v	16a (ta)	4,5 V, 10 V.	6,7 MOHM @ 8A, 10V	- - -	18 NC @ 4,5 V.	± 20 V	2650 PF @ 10 V	- - -	2,5 W (TA)
BCR16CM-12LC#BB0	- - -	RFQ	8351	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Rohr	Veraltet		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3					To-220ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.30.0080	25	Einzel																		Standard	600 V	16 a	1,5 v	96a @ 60Hz	50 ma
NP180N04TUJ-E1-AY	- - -	RFQ	1491	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab)			MOSFET (Metalloxid)		To-263-7	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	800			N-Kanal						40 v	180a (TC)	10V	1,5 MOHM @ 90A, 10V	4v @ 250 ähm	230 NC @ 10 V.	± 20 V	14250 PF @ 25 V.	- - -	1,8W (TA), 348W (TC)
BCR30AM-12LB#B00	4.0642	RFQ	3205	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Rohr	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	BCR30				To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.30.0080	30	Einzel																		Standard	600 V	30 a	2,5 v	300A @ 60Hz	50 ma
NE3521M04-T2-A	0,2100	RFQ	39	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Schüttgut	Veraltet	4 v			4-smd, Flache Leitungen		20GHz	Gaas HJ-FET			Herunterladen	Nicht Anwendbar				Ear99	8541.21.0075	3.000	N-Kanal			70 Ma		6 Ma	- - -	11db																					0,85 dB												2 v
CR03AM-16A-A#BD0	- - -	RFQ	7913	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Rohr	Aktiv		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)	CR03M-16				To-92	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	559-CR03AM-16A-A#BD0	Ear99	8541.30.0080	1					3 ma															800 V	470 Ma	800 mV	20a @ 60Hz	30 µA	1,8 v	300 ma	100 µA	Standardwiederherherster
Rkz12bku#p6	0,2600	RFQ	20	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv										- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0050	4.000
NP82N04MLG-S18-AY	2.3500	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Rohr	Veraltet		175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	900			N-Kanal						40 v	82a (TC)		4,2mohm @ 41a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	150 NC @ 10 V.		9 PF @ 25 V.	- - -	1,8W (TA), 143W (TC)
5p4sma-Az	1.7200	RFQ	790	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv										Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.30.0080	1
NE4210S01-T1B	1.0000	RFQ	5276	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Schüttgut	Veraltet	4 v			4-smd		12GHz	Hfet		Smd	Herunterladen	Nicht Anwendbar				Ear99	8541.21.0075	4.000				15 Ma		10 ma	- - -	13 dB																					0,5 dB												2 v
RJK03J4DPA-00#J5A	0,1800	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv										- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.31.0001	3.000
Rd27js-t1-Az	0,0600	RFQ	316	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv										- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0050	1
RJK03K1DPA-00#J5A	0,7200	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv										- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	3.000
2SK3430-Z-E1-Az	- - -	RFQ	6765	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000			N-Kanal						40 v	80A (TC)	4 V, 10V	7.3mohm @ 40a, 10V	- - -	50 nc @ 10 v	± 20 V	2800 PF @ 10 V	- - -	1,5 W (TA), 84W (TC)
1S2076ta-e	0,1000	RFQ	435	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv					1S2076					Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	1
HZC10TRF-E	0,1000	RFQ	48	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv										- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0050	4.000
UPA2807T1L-E1-AT	0,6500	RFQ	144	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv										Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000
Rkz9.1bku#p6	0,1100	RFQ	56	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv										- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0050	3.000

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (5680)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²