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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkt (Hfe) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | 2SD1950-T2-Az | - - - | ![]() | 4942 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 559-2SD1950-T2-Aztr | Veraltet | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hzs7a2l-jta-e | 0,1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KGF6N05D-400 | - - - | ![]() | 6341 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 20-Uflga, CSP | KGF6 | MOSFET (Metalloxid) | 2,5 W (TA) | 20-WLCSP (2.48x1.17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n-kanal (dual) Gemeinsame Quelle | 5,5 v | 12a (ta) | 3mohm @ 6a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 4nc @ 3,5V | 630pf @ 5.5V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BCR3AM-12B#B00 | - - - | ![]() | 2607 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tasche | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | To-92 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 559-BCR3AM-12B#B00 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.000 | Einzel | Standard | 600 V | 3 a | 1,5 v | 30a @ 60Hz | 15 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | 2SK3573-ZK-E1-Az | 2.4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HAT1038RJ-EL | 1.1300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJH65D27BDPQ-A0#T0 | - - - | ![]() | 8786 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | RJH65D27 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hz6.2bp-e | 0,3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR8FM-12LB#BB0 | - - - | ![]() | 3103 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | Hz5cll90ta | 1.0000 | ![]() | 3891 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | 1sss88-e | 0,2200 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 250 V | 1 V @ 100 mA | 100 ns | 200 NA @ 250 V | 175 ° C. | 200 ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | 2SK3814-Az | 1.5200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | MOSFET (Metalloxid) | To-251 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 60a (TC) | 8.7mohm @ 30a, 10V | - - - | 95 NC @ 10 V | 5450 PF @ 10 V. | - - - | 1W (TA), 84W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hzs22-1ltd-e | 0,1000 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | RJH1CF4RDPQ-80#T2 | - - - | ![]() | 5019 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RJH1CF4 | Standard | 156,2 w | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | 1200 V | 40 a | 2,5 V @ 15V, 20a | - - - | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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