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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Transistortyp | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | HZS18-1LTD-E | 0,1000 | | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| Hz6b2re-e | 0,0600 | | 20 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| Hzs22-2td-e | 0,1000 | | 100 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA2520T1H-T1-AT | 0,7800 | | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | MOSFET (Metalloxid) | 8-VSOF | - - - | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 10a (ta) | 13,2mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 10.8 NC @ 5 V. | 1100 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||
| 2SJ211 (0) -T1B -A | 0,2900 | | 21 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hvc142a-nkrf-e | 0,1500 | | 216 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RJK03M6DNS-00#J5 | 0,4600 | | 25 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-Hwson (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 16a (ta) | 9,2mohm @ 8a, 10V | - - - | 7.1 NC @ 4.5 V. | 1190 PF @ 10 V. | - - - | 12,5 W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| Rd4.7JS-T4 | 0,0600 | | 25 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Hzm16nb2tl-e | - - - | | 4628 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP89N04MUK-S18-AY | - - - | | 5418 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | NP89N04 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 90a (TC) | 10V | 3,3 MOHM @ 45A, 10V | 4v @ 250 ähm | 102 NC @ 10 V | ± 20 V | 5850 PF @ 25 V. | - - - | 1,8W (TA), 147W (TC) | |||||||||||||||||
 | Hzu5.1b1jtrf | 0,1300 | | 147 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC5820WU-TL-H | 0,2400 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | UPA2451BTL-E1-A | 0,6100 | | 65 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-vfdfn exponiert Pad | UPA2451 | MOSFET (Metalloxid) | 700 MW | 6-Hwson | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8.2a | 20mohm @ 4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 9.2nc @ 4v | 540PF @ 10V | Logikpegel -tor |
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