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Diskrete Halbleiterprodukte(2)

Bild	Produktnummer	Preis (USD)	Menge	ECAD	Verfügbare Menge	Gewicht (kg)	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Technologie	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	Standardpaket	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)
	CC-C2-B15-0322	15.0000	Anfrage		30	0,00000000	CoolCAD	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-4	SiCFET (Siliziumkarbid)	TO-247	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt	3892-CC-C2-B15-0322	5	N-Kanal	1200 V	12A (Ta)	15V	135 mOhm bei 10 A, 15 V	3,2 V bei 5 mA	40 nC bei 15 V	+15V, -5V	1810 pF bei 200 V	Standard	100 W (Tc)
	CC-CN-23-0123	15.0000	Anfrage		10	0,00000000	CoolCAD	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	SiCFET (Siliziumkarbid)	TO-247-3	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt	3892-CC-CN-23-0123	5			20A (Ta)		85 mOhm bei 10 A, 15 V	2,4 V bei 5 mA	16 nC bei 5 V		810 pF bei 200 V	Standard