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Diskrete Halbleiterprodukte(4)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Technologie | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | ECCN | HTSUS | Standardpaket | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | FET-Funktion |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CGD65B130S2-T13 | 6.7400 |  | 4 | 0,00000000 | Cambridge GaN-Geräte | ICeGaN™ | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerVDFN | GaNFET (Galliumnitrid) | 8-DFN (5x6) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | - | 650 V | 12A (Tc) | 9V, 20V | 182 mOhm bei 900 mA, 12 V | 4,2 V bei 4,2 mA | 2,3 nC bei 12 V | +20V, -1V | Strommessung | |
 | CGD65A130S2-T13 | 6.5600 | | 3 | 0,00000000 | Cambridge GaN-Geräte | ICeGaN™ | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 16-PowerVDFN | GaNFET (Galliumnitrid) | 16-DFN (8x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.500 | - | 650 V | 12A (Tc) | 12V | 182 mOhm bei 900 mA, 12 V | 4,2 V bei 4,2 mA | 2,3 nC bei 12 V | +20V, -1V | Strommessung | |
 | CGD65A055S2-T07 | 15.8000 | | 967 | 0,00000000 | Cambridge GaN-Geräte | ICeGaN™ | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 16-PowerVDFN | GaNFET (Galliumnitrid) | 16-DFN (8x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 650 V | 27A (Tc) | 12V | 77 mOhm bei 2,2 A, 12 V | 4,2 V bei 10 mA | 6 nC bei 12 V | +20V, -1V | Strommessung | ||
 | CGD65B200S2-T13 | 4.7800 | | 4 | 0,00000000 | Cambridge GaN-Geräte | ICeGaN™ | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerVDFN | GaNFET (Galliumnitrid) | 8-DFN (5x6) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | - | 650 V | 8,5 A (Tc) | 9V, 20V | 280 mOhm bei 600 mA, 12 V | 4,2 V bei 2,75 mA | 1,4 nC bei 12 V | +20V, -1V | Strommessung |
2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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