Anfrage
Stückliste
Kontaktieren Sie uns

Tel: +86-0755-83501315

E-Mail:sales@sic-components.com

Anmelden

Deutsch

Diskrete Halbleiterprodukte(9)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion
GE12047BCA3	1.0000	Anfrage	4	GE Aerospace	SiC-Leistung	Kasten	Aktiv	-55°C ~ 150°C (Tc)	Fahrgestellmontage	Modul	GE12047	Siliziumkarbid (SiC)	1250W	-	herunterladen	Nicht RoHS-konform	Nicht zutreffend	Anbieter nicht definiert	4014-GE12047BCA3	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Dual)	1200 V (1,2 kV)	475A	4,4 mOhm bei 475 A, 20 V	4,5 V bei 160 mA	1248 nC bei 18 V	29300pF bei 600V	-
GE17080CDA3	2.0000	Anfrage	5	GE Aerospace	SiC-Leistung	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (Tc)	Fahrgestellmontage	Modul	GE17080	Siliziumkarbid (SiC)	2350W		herunterladen	Nicht RoHS-konform	Nicht zutreffend	REACH betroffen	4014-GE17080CDA3	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Halbbrücke)	1700 V (1,7 kV)	765A	2,23 mOhm bei 765 A, 20 V	4,5 V bei 160 mA	2414 nC bei 18 V	58000pF bei 900V	-
GE12050EEA3	3.0000	Anfrage	9	GE Aerospace	SiC-Leistung	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (Tc)	Fahrgestellmontage	Modul	GE12050	Siliziumkarbid (SiC)	1250 W (Tc)	-	herunterladen	Nicht RoHS-konform	Nicht zutreffend	Anbieter nicht definiert	4014-GE12050EEA3	EAR99	8541.29.0095	1	6 N-Kanal (3-Phasen-Brücke)	1200 V (1,2 kV)	475A (Tc)	4,4 mOhm bei 475 A, 20 V	4,5 V bei 160 mA	1248 nC bei 18 V	29300pF bei 600V	-
GE12047CCA3	1.0000	Anfrage	22	GE Aerospace	SiC-Leistung	Kasten	Aktiv	-55°C ~ 150°C (Tc)	Fahrgestellmontage	Modul	GE12047	Siliziumkarbid (SiC)	1250W	-	herunterladen	Nicht RoHS-konform	Nicht zutreffend	REACH betroffen	4014-GE12047CCA3	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Halbbrücke)	1200 V (1,2 kV)	475A	4,4 mOhm bei 475 A, 20 V	4,5 V bei 160 mA	1248 nC bei 18 V	29300pF bei 600V	-
GE17042CCA3	1.0000	Anfrage	2	GE Aerospace	-	Schüttgut	Aktiv	175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	Modul	GE17042	Siliziumkarbid (SiC)	1250W	-	herunterladen	Nicht RoHS-konform	Nicht zutreffend	REACH betroffen	4014-GE17042CCA3	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Halbbrücke)	1700 V (1,7 kV)	425A (Tc)	4,45 mOhm bei 425 A, 20 V	4,5 V bei 160 mA	1207 nC bei 18 V	29100pF bei 900V	-
GE12160CEA3	3.0000	Anfrage	5	GE Aerospace	SiC-Leistung	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (Tc)	Fahrgestellmontage	Modul	GE12160	Siliziumkarbid (SiC)	3,75 kW (Tc)	-	herunterladen	Nicht RoHS-konform	Nicht zutreffend	Anbieter nicht definiert	4014-GE12160CEA3	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Halbbrücke)	1200 V (1,2 kV)	1.425 kA (Tc)	1,5 mOhm bei 475 A, 20 V	4,5 V bei 480 mA	3744 nC bei 18 V	90000pF bei 600V	-
GE17045EEA3	3.0000	Anfrage	8	GE Aerospace	SiC-Leistung	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (Tc)	Fahrgestellmontage	Modul	GE17045	Siliziumkarbid (SiC)	1250 W (Tc)	-	herunterladen	Nicht RoHS-konform	Nicht zutreffend	Anbieter nicht definiert	4014-GE17045EEA3	EAR99	8541.29.0095	1	6 N-Kanal (3-Phasen-Brücke)	1700 V (1,7 kV)	425A (Tc)	4,45 mOhm bei 425 A, 20 V	4,5 V bei 160 mA	1207 nC bei 18 V	29100pF bei 900V	-
GE17042BCA3	1.0000	Anfrage	4	GE Aerospace	-	Schüttgut	Aktiv	175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	Modul	GE17042	Siliziumkarbid (SiC)	1250W	-	herunterladen	Nicht RoHS-konform	Nicht zutreffend	REACH betroffen	4014-GE17042BCA3	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Dual)	1700 V (1,7 kV)	425A (Tc)	4,45 mOhm bei 425 A, 20 V	4,5 V bei 160 mA	1207 nC bei 18 V	29100pF bei 900V	-
GE17140CEA3	3.0000	Anfrage	5	GE Aerospace	SiC-Leistung	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (Tc)	Fahrgestellmontage	Modul	GE17140	Siliziumkarbid (SiC)	3,75 kW	-	herunterladen	Nicht RoHS-konform	Nicht zutreffend	Anbieter nicht definiert	4014-GE17140CEA3	EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Halbbrücke)	1700 V (1,7 kV)	1.275 kA	1,5 Ohm bei 1275 A, 20 V	4,5 V bei 480 mA	3621 nC bei 18 V	82nF bei 600V	-