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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4731at/r | 0,0500 |  | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2439-1n4731at/rtr | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 1 V | 4.3 v | 9 Ohm | ||||||||||||
| RBV806 | 1.2500 | | 100 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2439-RBV806 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 4 a | 10 µa @ 600 V | 8 a | Einphase | 600 V | |||||||||||
 | HVR320BULK | 0,7500 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-HVR320Bulk | 8541.10.0000 | 500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2000 v | 2,2 V @ 3 a | 10 µA @ 2000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 36PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| RBV5002 | 1.8300 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, RBV-25 | Standard | RBV-25 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2439-RBV5002 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 25 a | 10 µA @ 200 V. | 50 a | Einphase | 200 v | |||||||||||
| BR1001 | 0,9500 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, BR-10 | BR1001 | Standard | BR-10 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-BR1001 | 8541.10.0000 | 200 | 1,1 V @ 5 a | 10 µa @ 100 V. | 10 a | Einphase | 100 v | |||||||||||
| 1N4730at/r | 0,1500 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2439-1n4730at/rtr | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 50 µa @ 1 V | 3,9 v | 9 Ohm | ||||||||||||
| BR2501 | 2.7400 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 4 Quadratmeter, BR-50 | Standard | BR-50 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-BR2501 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 12.5 a | 10 µa @ 100 V. | 25 a | Einphase | 100 v | ||||||||||||
| MBRA210L | 0,3900 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Schottky | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-MBRA210L | 8541.10.0000 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 10 v | 350 mV @ 2 a | 700 µa @ 10 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||
| 1n5338a | 0,4100 | | 9 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 5 w | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-1n5338a | 8541.10.0000 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µa @ 1 V | 5.1 v | 1,5 Ohm | ||||||||||||
| 1N4749Bulk | 0,1800 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-1n4749Bulk | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 18,2 V. | 24 v | 25 Ohm | ||||||||||||
| 1n5818t/r | 0,1000 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Schottky | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-1n5818t/rtr | 8541.10.0000 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 1 ma @ 30 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| 1N4761at/r | 0,0500 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-1n4761at/rtr | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 56 V | 75 V | 175 Ohm | ||||||||||||
| 1N4738T/r | 0,0500 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-1n4738t/rtr | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 6 V | 8.2 v | 4,5 Ohm | ||||||||||||
| 1N4005Bulk | 0,1300 | | 7 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2439-1n4005Bulk | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 1N5361Abulk | 0,2300 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 5 w | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-1n5361abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 19.4 V. | 27 v | 5 Ohm | ||||||||||||
| 1N4728Abulk | 0,1500 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2439-1n4728Abulk | 1.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | ||||||||||||
| FBR804 | 1.3800 | | 200 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, BR-10 | Standard | BR-10 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-FBR804 | 8541.10.0000 | 200 | 1,3 V @ 4 a | 10 µa @ 400 V | 8 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||
| 1n5822t/r | 0,3700 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-1n5822t/rtr | 8541.10.0000 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 525 mv @ 3 a | 2 ma @ 40 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
| MR854BULK | 0,2100 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-MR854Bulk | 8541.10.0000 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,25 V @ 3 a | 150 ns | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 28PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 1N4732Abulk | 0,1200 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2439-1n4732Abulk | 1.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 1 V | 4,7 v | 8 Ohm | ||||||||||||
| 1N5400T/r | 0,0900 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-1n5400t/rtr | 8541.10.0000 | 1,250 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 mv @ 3 a | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 28PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | 1N5250BT/r | 0,0400 | | 40 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-1n5250BT/RTR | 8541.10.0000 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 15 V | 20 v | 25 Ohm | ||||||||||||
| 1N4006Bulk | 0,1300 | | 48 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2439-1n4006Bulk | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 1N5230BT/r | 0,0400 | | 50 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-1n5230BT/RTR | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 4,7 v | 19 Ohm | ||||||||||||
| 1N4753Abulk | 0,1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-1n4753Abulk | 8541.10.0000 | 1.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 27,4 V | 36 v | 50 Ohm | ||||||||||||
| 1N4753at/r | 0,0600 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-1n4753at/rtr | 8541.10.0000 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 27,4 V | 36 v | 50 Ohm | ||||||||||||
| Byd33gbulk | 0,2100 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Lawine | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2439-byd33gbulk | 8541.10.0000 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 1 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.3a | - - - | ||||||||||
| 1N4004T/r | 0,0230 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2439-1n4004t/rtr | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| KBL402 | 1.1000 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbl | Standard | Kbl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2439-KBL402 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 4 a | 10 µA @ 200 V. | 4 a | Einphase | 200 v | |||||||||||
| BR610 | 0,3900 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, BR-6 | Standard | BR-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2439-BR610 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V @ 3 a | 10 µa @ 1000 V | 6 a | Einphase | 1 kv |
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