SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max)
RM80N100T2 Rectron USA RM80N100T2 0,5100
RFQ
ECAD 3123 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM80N100T2 8541.10.0080 5.000 N-Kanal 100 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 8.5Mohm @ 40a, 10V 2,2 V @ 250 ähm ± 20 V 5480 PF @ 50 V - - - 125W (TC)
RM7N600IP Rectron USA RM7N600IP 0,5500
RFQ
ECAD 9307 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-251-3 Stub Leads, ipak MOSFET (Metalloxid) To-251 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM7N600IP 8541.10.0080 4.000 N-Kanal 600 V 7a (TC) 10V 580MOHM @ 3a, 10V 4v @ 250 ähm ± 30 v 587 PF @ 50 V - - - 63W (TC)
RM110N85T2 Rectron USA RM110N85T2 0,5800
RFQ
ECAD 5450 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM110N85T2 8541.10.0080 4.000 N-Kanal 85 V 110a (TC) 10V 6mohm @ 55a, 10V 4,5 V @ 250 ähm ± 20 V 3870 PF @ 40 V - - - 145W (TC)
1N4001-T Rectron USA 1N4001-t 0,0220
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-1n4001-ttr Ear99 8541.10.0080 5.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1 V @ 1 a 200 NA @ 1000 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
RM140N82T2 Rectron USA RM140N82T2 0,5400
RFQ
ECAD 9860 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM140N82T2TR 8541.10.0080 5.000 N-Kanal 82 v 140a (TC) 10V 6mohm @ 20a, 10V 4v @ 250 ähm ± 20 V 7900 PF @ 40 V - - - 220W (TC)
RM2312 Rectron USA RM2312 0,0440
RFQ
ECAD 5226 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM2312TR 8541.10.0080 30.000 N-Kanal 20 v 4,5a (TA) 1,8 V, 4,5 V. 33mohm @ 4,5a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm ± 12 V 500 PF @ 8 V. - - - 1,25W (TA)
RM70P30LD Rectron USA RM70P30LD 0,2800
RFQ
ECAD 8708 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM70P30LDTR 8541.10.0080 25.000 P-Kanal 30 v 70a (TC) 4,5 V, 10 V. 7.2Mohm @ 20a, 10V 2,5 V @ 250 ähm ± 20 V 3450 PF @ 25 V. - - - 90W (TC)
HFM105W-W Rectron USA HFM105W-W 0,0280
RFQ
ECAD 3082 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Standard Smx Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-HFM105W-WTR Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1,3 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 V 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
RM6N800HD Rectron USA RM6N800HD 0,7900
RFQ
ECAD 3479 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM6N800HDTR 8541.10.0080 8.000 N-Kanal 800 V 6a (TC) 10V 900mohm @ 4a, 10V 4v @ 250 ähm ± 30 v 1320 PF @ 50 V - - - 98W (TC)
RS1007M Rectron USA Rs1007m 0,9800
RFQ
ECAD 4048 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, RS-10M Standard Rs-10m Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RS1007M Ear99 8541.10.0080 1.800 1,1 V @ 5 a 5 µA @ 1000 V 10 a Einphase 1 kv
R1200F Rectron USA R1200F 0,0390
RFQ
ECAD 3782 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-R1200FTR Ear99 8541.10.0080 20.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 2,5 V @ 500 mA 500 ns 5 µa @ 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 500 mA - - -
RS201L Rectron USA RS201L 0,7000
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, RS-2L Standard RS-2L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RS201L Ear99 8541.10.0080 300 1,1 V @ 2 a 2 µa @ 50 V 2 a Einphase 50 v
2N7002K Rectron USA 2N7002K 0,0330
RFQ
ECAD 9136 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (Metalloxid) SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-2N7002KTR 8541.10.0080 30.000 N-Kanal 60 v 300 mA (TA) 5v, 10V 2OHM @ 500 mA, 10V 1,9 V @ 250 ähm ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 350 MW (TA)
RM150N100HD Rectron USA RM150N100HD 0,9500
RFQ
ECAD 1451 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM150N100HDTR 8541.10.0080 8.000 N-Kanal 100 v 150a (TC) 10V 4.2mohm @ 70a, 10 V. 4v @ 250 ähm +20V, -12v 6680 PF @ 50 V - - - 275W (TC)
RM2333A Rectron USA RM2333a 0,0680
RFQ
ECAD 4902 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM2333atr 8541.10.0080 30.000 P-Kanal 12 v 6a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 30mohm @ 6a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm ± 12 V 1100 PF @ 6 V - - - 1,8W (TA)
RM30P30D3 Rectron USA RM30P30D3 0,2200
RFQ
ECAD 5866 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) 8-dfn-ep (3x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM30P30D3TR 8541.10.0080 25.000 P-Kanal 30 v 30a (ta) 4,5 V, 10 V. 10Mohm @ 15a, 10V 2v @ 250 ähm ± 20 V 2150 PF @ 25 V. - - - 40W (TA)
RMD1N25ES9 Rectron USA Rmd1n25es9 0,0600
RFQ
ECAD 7475 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (Metalloxid) SOT-363-6L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RMD1N25ES9TR 8541.10.0080 30.000 N-Kanal 25 v 1.1a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 600 MOHM @ 500 Ma, 4,5 V. 1,1 V @ 250 ähm ± 12 V 30 PF @ 10 V - - - 800 MW (TA)
RM50N200HD Rectron USA RM50N200HD 1.2200
RFQ
ECAD 3890 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM50N200HDTR 8541.10.0080 8.000 N-Kanal 200 v 51a (TC) 10V 32mohm @ 10a, 10V 4v @ 250 ähm ± 20 V 1598 PF @ 100 V - - - 214W (TC)
DB157S-T Rectron USA DB157S-T 0,1500
RFQ
ECAD 9926 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel Standard Db-s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-DB157S-TTR Ear99 8541.10.0080 1.000 1 V @ 1,5 a 1 µA @ 1000 V 1,5 a Einphase 1 kv
RM48N100D3 Rectron USA RM48N100D3 0,2980
RFQ
ECAD 7315 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) 8-dfn-ep (3x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM48N100D3TR 8541.10.0080 25.000 N-Kanal 100 v 48a (TC) 4,5 V, 10 V. 13,6 MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250 ähm +20V, -12v 3280 PF @ 50 V - - - 61W (TC)
HVM5 Rectron USA HVM5 1.3100
RFQ
ECAD 9107 0.00000000 Rectron USA - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Axial Standard HVM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-HVM5 Ear99 8541.10.0080 1.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 5000 v 8 V @ 350 Ma 5 µA @ 5000 V. -20 ° C ~ 150 ° C. 350 Ma - - -
RM3139K Rectron USA RM3139K 0,0360
RFQ
ECAD 2553 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-723 MOSFET (Metalloxid) SOT-723 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM3139Ktr 8541.10.0080 80.000 P-Kanal 20 v 660 Ma (TA) 1,8 V, 4,5 V. 520mohm @ 1a, 4,5 V. 1,1 V @ 250 ähm ± 12 V 170 PF @ 16 V - - - 150 MW (TA)
RM5N150S8 Rectron USA RM5N150S8 0,4000
RFQ
ECAD 8016 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM5N150S8 8541.10.0080 300 N-Kanal 150 v 4.6a (TA) 4,5 V, 10 V. 75mohm @ 5a, 10V 3v @ 250 ähm ± 20 V 625 PF @ 75 V - - - 3.1W (TA)
R1800F Rectron USA R1800f 0,0520
RFQ
ECAD 7205 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-R1800FTR Ear99 8541.10.0080 20.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1800 v 2,5 V @ 500 mA 500 ns 5 µa @ 1800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 500 mA - - -
R2000-T Rectron USA R2000-t 0,0480
RFQ
ECAD 8935 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-R2000-TTR Ear99 8541.10.0080 5.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1,3 V @ 1 a 5 µA @ 2000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a - - -
RS2506M Rectron USA Rs2506m 1.3500
RFQ
ECAD 4762 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, Rs-25m Standard Rs-25m Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RS2506m Ear99 8541.10.0080 1.200 1 V @ 12.5 a 500 NA @ 800 V 25 a Einphase 800 V
RM2N650IP Rectron USA RM2N650IP 0,3000
RFQ
ECAD 7388 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-251-3 Stub Leads, ipak MOSFET (Metalloxid) To-251 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM2N650IP 8541.10.0080 40.000 N-Kanal 650 V 2a (TC) 10V 2,5OHM @ 1a, 10 V. 3,5 V @ 250 ähm ± 30 v 190 PF @ 50 V. - - - 23W (TC)
RS103M Rectron USA Rs103m 0,4700
RFQ
ECAD 5116 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, RS-1M Standard RS-1M Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RS103M Ear99 8541.10.0080 3.400 1,1 V @ 1 a 2 µa @ 200 V. 1 a Einphase 200 v
R5000F Rectron USA R5000f 0,1600
RFQ
ECAD 9523 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial Standard Do-15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-R5000ftr Ear99 8541.10.0080 4.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 5000 v 6,5 V @ 200 Ma 500 ns 5 µA @ 5000 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 200 ma 30pf @ 4v, 1 MHz
FM2000 Rectron USA FM2000 0,0490
RFQ
ECAD 9339 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Standard Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-FM2000TR Ear99 8541.10.0080 60.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 2000 v 1,1 V @ 1 a 2 µs 2 µA @ 2000 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus