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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | Ntljd3181pztag | - - - | ![]() | 7416 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | Ntljd31 | MOSFET (Metalloxid) | 710 MW | 6-WDFN (2x2) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 2.2a | 100mohm @ 2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 7.8nc @ 4.5V | 450pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5HN01M-TL-H | - - - | ![]() | 1524 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 5HN01 | MOSFET (Metalloxid) | MCP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 100 mA (ta) | 4 V, 10V | 7.5OHM @ 50 mA, 10V | - - - | 1,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6.2 PF @ 10 V | - - - | 150 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Njvmjd31t4g | 0,6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NJVMJD31 | 1,56 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 40 v | 3 a | 50 µA | Npn | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 10 @ 3a, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3416LT3 | 0,0200 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | MMBT3416 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTB75N03L09G | - - - | ![]() | 1540 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NTB75 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 30 v | 75a (TC) | 5v | 8mohm @ 37,5a, 5V | 2v @ 250 ähm | 75 NC @ 5 V. | ± 20 V | 5635 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW66GLT1G | 0,2100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCW66 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 800 mA | 20na | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH5818-tl-e | - - - | ![]() | 2233 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ech8305-tl-e | 0,2300 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | MOSFET (Metalloxid) | 8-Ech | - - - | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 4a (ta) | 85mohm @ 2a, 10V | - - - | 34 NC @ 10 V. | 1680 PF @ 20 V | - - - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTLJD2104PTBG | - - - | ![]() | 6864 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | Ntljd21 | MOSFET (Metalloxid) | 700 MW | 6-WDFN (2x2) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 2.4a | 90 MOHM @ 3a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 8nc @ 4,5 V | 467PF @ 6v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP17N08 | - - - | ![]() | 4965 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP1 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 80 v | 16,5a (TC) | 10V | 115mohm @ 8.25a, 10V | 4v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 25 V | 450 PF @ 25 V. | - - - | 65W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZ1SMB5919BT3G | 0,8300 | ![]() | 7259 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SZ1SMB5919 | 3 w | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857BWT1G | 0,1600 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC857 | 150 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD5N30TF | - - - | ![]() | 6634 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FQD5 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 300 V | 4.4a (TC) | 10V | 900mohm @ 2.2a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 30 v | 430 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EFC3C001NUZTCG | - - - | ![]() | 8068 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, WLCSP | EFC3C001 | MOSFET (Metalloxid) | 1.6W | 4-WLCSP (1,26x1.26) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-efc3c001nuztcg-488 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | - - - | - - - | - - - | 1,3 V @ 1ma | 15nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -Tor, 2,5 V. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFSC0D9N04CL | 5.0500 | ![]() | 8318 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | NTMFSC0 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 313a (TC) | 4,5 V, 10 V. | - - - | 2v @ 250 ähm | 143 NC @ 10 V | ± 20 V | 8500 PF @ 20 V | - - - | 83W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD5C632NLT4G | 4.8200 | ![]() | 1936 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 29a (TA), 155a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,5 MOHM @ 50A, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 34 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 5700 PF @ 25 V. | - - - | 4W (TA), 115W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Mur550aPf | - - - | ![]() | 4983 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | Mur55 | Standard | Axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 520 v | 1,15 V @ 5 a | 95 ns | 5 µA @ 520 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ27T1 | - - - | ![]() | 3453 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ27 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD4809NA-1G | - - - | ![]() | 5704 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | NTD48 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 30 v | 9,6a (TA), 58A (TC) | 4,5 V, 11,5 V. | 9mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1456 PF @ 12 V. | - - - | 1,3W (TA), 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z4687T1G | 0,0534 | ![]() | 7149 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | MM5Z4687 | 500 MW | SOD-523 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-mm5Z4687T1GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 4 µa @ 2 V. | 4.3 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS5C628NLT3G | 4.0800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 60 v | 150a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,4 MOHM @ 50A, 10V | 2v @ 135 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 3600 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 110 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5253BTR | - - - | ![]() | 7994 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5253 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 na @ 19 V | 25 v | 35 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDMC7208S | 1,8000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMC7208 | MOSFET (Metalloxid) | 800 MW | 8-Power33 (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 12a, 16a | 9mohm @ 12a, 10V | 3v @ 250 ähm | 18nc @ 10v | 1130pf @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1816S-TL-E | 1.3600 | ![]() | 880 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SD1816 | 1 w | Tp-fa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 700 | 100 v | 4 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 200 Ma, 2a | 140 @ 500 mA, 5V | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1228 | 0,5700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIG074E8-TL-H | - - - | ![]() | 3566 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | TIG074 | Standard | SOT-28FL/ECH8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | - - - | 400 V | 150 a | 5,4 V @ 2,5 V, 100a | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
FLZ9V1C | - - - | ![]() | 4502 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | FLZ9 | 500 MW | SOD-80 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 27.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 300 na @ 6 v | 9.1 v | 6.6 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2464-tl-e | 1.1000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MGSF3454XT1 | 0,2900 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJNS3213RBU | - - - | ![]() | 5688 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | Fjns32 | 300 MW | To-92s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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