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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | FQD4P40TM-Am002 | - - - | ![]() | 3742 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Fqd4 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 400 V | 2.7a (TC) | 10V | 3,1OHM @ 1,35A, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 680 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 50 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1344-TB-E | 0,0600 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDY4001CZ | - - - | ![]() | 7846 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | FDY40 | MOSFET (Metalloxid) | 446 MW | SOT-563F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 200 mA, 150 mA | 5OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,1NC @ 4,5V | 60pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTMS4706NR2 | - - - | ![]() | 3226 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | NTMS47 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 6.4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 10.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 950 PF @ 24 V | - - - | 830 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124EET1 | 0,0200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC124 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1J | 0,5100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RS1 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB085BGE-60 | - - - | ![]() | 4212 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-RB085BGE-60 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB20N6S2 | - - - | ![]() | 1762 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FGB2 | Standard | 125 w | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 390 V, 7a, 25 Ohm, 15 V | - - - | 600 V | 28 a | 40 a | 2,7 V @ 15V, 7a | 25 µJ (EIN), 58 µJ (AUS) | 30 NC | 7.7ns/87ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGD3N60LSDTM | 1.3600 | ![]() | 7055 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FGD3N60 | Standard | 40 w | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 480 V, 3A, 470OHM, 10V | 234 ns | - - - | 600 V | 6 a | 25 a | 1,5 V @ 10V, 3a | 250 µJ (EIN), 1MJ (AUS) | 12,5 NC | 40ns/600ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5227BLT1H | - - - | ![]() | 6088 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 950 mv @ 10 mA | 15 µa @ 1 V | 3.6 V | 24 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqa34n20l | - - - | ![]() | 5784 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | Fqa3 | MOSFET (Metalloxid) | To-3p | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 200 v | 34a (TC) | 5v, 10V | 75mohm @ 17a, 10V | 2v @ 250 ähm | 72 NC @ 5 V. | ± 20 V | 3900 PF @ 25 V. | - - - | 210W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH3421-tl-e | 0,1800 | ![]() | 225 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Flache Leitungen | MOSFET (Metalloxid) | 3-mcph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 800 mA (TA) | 890MOHM @ 400 mA, 10V | - - - | 4,8 nc @ 10 v | 165 PF @ 20 V | - - - | 900 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD23N03R | - - - | ![]() | 8327 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Ntd23 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 25 v | 3,8a (TA), 17,1a (TC) | 4V, 5V | 45mohm @ 6a, 10V | 2v @ 250 ähm | 3,76 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 225 PF @ 20 V | - - - | 1,14W (TA), 22,3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVH082N65S3F | 5.5464 | ![]() | 7556 | 0.00000000 | Onsemi | Superfet® III, FRFET® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NVH082N65S3F | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 40a (TC) | 10V | 82mohm @ 20a, 10V | 5v @ 1ma | 81 NC @ 10 V | ± 30 v | 3410 PF @ 400 V | - - - | 313W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C466NWFT1G | 1.6800 | ![]() | 9075 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 15a (ta), 49a (TC) | 10V | 8.1MOHM @ 15a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 625 PF @ 25 V. | - - - | 3,5 W (TA), 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS020N06CT1G | 1.5600 | ![]() | 5557 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS020 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 60 v | 9A (TA), 28a (TC) | 10V | 19,6 MOHM @ 4A, 10V | 4V @ 20 ähm | 5.8 NC @ 10 V | ± 20 V | 355 PF @ 30 V | - - - | 3.4W (TA), 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA13_D75Z | - - - | ![]() | 5074 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPSA13 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 1.2 a | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH3478-TL-WZ | - - - | ![]() | 5494 | 0.00000000 | Onsemi | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | MCH3478 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 1,8 V, 4,5 V. | ± 12 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1845FBU | - - - | ![]() | 1738 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSC1845 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 120 v | 50 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 300 @ 1ma, 6v | 110 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMA5945BT3 | - - - | ![]() | 2395 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA5945 | 1,5 w | SMA | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 500 NA @ 51,7 V. | 68 v | 120 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ka33vbu | - - - | ![]() | 5073 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 6% | -20 ° C ~ 75 ° C. | K. Loch | To-226-2, to-92-2 (to-226ac) | Ka33 | 200 MW | To-92-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 33 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4H013NFT1G | - - - | ![]() | 2634 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 25 v | 43a (TA), 269a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,9 MOHM @ 30a, 10 V. | 2,1 V @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 3923 PF @ 12 V | - - - | 2,7W (TA), 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NHPV15S600G | - - - | ![]() | 2375 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | NHPV15 | Standard | To-220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 3,2 V @ 15 a | 50 ns | 60 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mur3040 | 2.8500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5930brl | - - - | ![]() | 9476 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1n5930 | 3 w | Axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 12,2 V. | 16 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mur1615ct | - - - | ![]() | 4664 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | Mur16 | Standard | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 8a | 975 mv @ 8 a | 35 ns | 5 µa @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH3356-TL-W. | - - - | ![]() | 4668 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | CPH3356 | MOSFET (Metalloxid) | 3-cph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 137mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,4 V @ 1ma | 3,3 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 250 PF @ 10 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZBZX84B7V5LT1G | 0,2100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SZBZX84 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 5 V | 7,5 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4548D-TD-E | 0,1800 | ![]() | 194 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMMSZ5256ET1G | 0,1032 | ![]() | 9431 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, SZMMSZ52XXXT1G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SZMMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 23 v | 30 v | 49 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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