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Diskette HalblerProdukte (26937)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - Im Zustand (VTM) (max) Aktuell - Aus dem Zustand (max) SCR -Typ Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
MJD117-1G onsemi MJD117-1g - - -
RFQ
 ECAD 8087 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MJD117 1,75 w I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 100 v 2 a 20 µA PNP - Darlington 3v @ 40 mA, 4a 1000 @ 2a, 3v 25 MHz
BC856BWT1G onsemi BC856BWT1G 0,1500
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BC856 150 MW SC-70-3 (SOT323) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 220 @ 2MA, 5V 100 MHz
BAT54CLT1 onsemi BAT54CLT1 - - -
RFQ
 ECAD 8245 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 (to-236) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 200 Ma (DC) 800 mV @ 100 mA 5 ns 2 µa @ 25 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
BZX84C2V4LT1G onsemi BZX84C2V4LT1G 0,1600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 8% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZX84C2 250 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 µa @ 1 V 2,4 v 100 Ohm
NVMFS5A160PLZWFT3G onsemi NVMFS5A160PLZWFT3G - - -
RFQ
 ECAD 4873 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NVMFS5 MOSFET (Metalloxid) 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 P-Kanal 60 v 15a (TA), 100A (TC) 4,5 V, 10 V. 7.7Mohm @ 50a, 10V 2,6 V @ 1ma 160 nc @ 10 v ± 20 V 7700 PF @ 20 V - - - 3,8 W (TA), 200W (TC)
FQP9N50 onsemi FQP9N50 - - -
RFQ
 ECAD 7797 0.00000000 Onsemi QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FQP9 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 9a (TC) 10V 730mohm @ 4,5a, 10 V 5 V @ 250 ähm 36 NC @ 10 V ± 30 v 1450 PF @ 25 V. - - - 147W (TC)
NTLJD3182FZTBG onsemi Ntljd3182fztbg - - -
RFQ
 ECAD 2039 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-WDFN Exponierte Pad Ntljd31 MOSFET (Metalloxid) 6-WDFN (2x2) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 2.2a (TA) 1,8 V, 4,5 V. 100mohm @ 2a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 7,8 NC @ 4,5 V. ± 8 v 450 PF @ 10 V Schottky Diode (Isolier) 710 MW (TA)
1SMB5953BT3G onsemi 1SMB5953BT3G 0,4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB 1SMB5953 3 w SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 2.500 1,5 V @ 200 Ma 1 µa @ 114 V 150 v 600 Ohm
FDMA6023PZT onsemi FDMA6023pzt 0,8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad FDMA6023 MOSFET (Metalloxid) 700 MW 6-microfet (2x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 20V 3.6a 60MOHM @ 3,6a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 17nc @ 4,5V 885PF @ 10V Logikpegel -tor
SMMUN2213LT1G onsemi SMMUN2213LT1G 0,3300
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Smmun2213 246 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 250 mV @ 300 µA, 10 mA 80 @ 5ma, 10V 47 Kohms 47 Kohms
MPS8099G onsemi MPS8099g - - -
RFQ
 ECAD 8592 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper MPS809 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 5.000 80 v 500 mA 100na Npn 400mv @ 5 mA, 100 mA 100 @ 1ma, 5V 150 MHz
MBRF40250TG onsemi MBRF40250TG 2.8900
RFQ
 ECAD 1205 0.00000000 Onsemi SwitchMode ™ Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack MBRF40250 Schottky To-220fp Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 250 V 970 mv @ 40 a 35 ns 30 µA @ 250 V -65 ° C ~ 150 ° C. 40a 500PF @ 5V, 1 MHz
NTB125N02RT4 onsemi NTB125N02RT4 - - -
RFQ
 ECAD 7233 0.00000000 Onsemi * Klebeband (CT) Schneiden Veraltet NTB12 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800
FDA16N50LDTU onsemi FDA16N50LDtu 2.7600
RFQ
 ECAD 347 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 (Gebildete Leads) FDA16N50 MOSFET (Metalloxid) To-3pn (L-Forming) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 2166-FDA16N50LDtu-488 Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 16,5a (TC) 10V 380MOHM @ 8.3A, 10V 5 V @ 250 ähm 45 nc @ 10 v ± 30 v 1945 PF @ 25 V. - - - 205W (TC)
BC547CTFR onsemi BC547CTFR 0,3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC547 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 300 MHz
2N5830 onsemi 2n5830 - - -
RFQ
 ECAD 8898 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 2n5830 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2N5830-NDR Ear99 8541.21.0095 2.000 100 v 200 ma 50na (ICBO) Npn 250mv @ 5 mA, 50 mA 80 @ 10ma, 5V - - -
NSVMMUN2113LT3G onsemi Nsvmmun2113lt3g - - -
RFQ
 ECAD 7572 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Nsvmmun2113 246 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 250 mV @ 300 µA, 10 mA 80 @ 5ma, 10V 47 Kohms 47 Kohms
FCPF360N65S3R0-F154 onsemi FCPF360N65S3R0-F154 - - -
RFQ
 ECAD 3700 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv FCPF360 - - - 488-FCPF360N65S3R0-F154 1
SZBZX84C3V3LT3G onsemi SZBZX84C3V3LT3G 0,1800
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Onsemi Automotive, AEC-Q101, SZBZX84CXXXLT1G Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SZBZX84 225 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 1 V 3.3 v 95 Ohm
BC856ALT1G onsemi BC856alt1g 0,1300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC856 300 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 125 @ 2MA, 5V 100 MHz
MMSZ39T1G onsemi MMSZ39T1G 0,2100
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ39 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 27.3 v 39 v 130 Ohm
SS16T3 onsemi SS16T3 - - -
RFQ
 ECAD 4650 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SS16 Schottky SMA Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 720 mv @ 1 a 200 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
MCR100-8RLG onsemi MCR100-8RLG - - -
RFQ
 ECAD 7996 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 110 ° C. K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) MCR10 To-92 (to-226) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 2.000 5 Ma 600 V 800 mA 800 mV 10a @ 60Hz 200 µA 1,7 v 10 µA Sensibler tor
FJNS3209RTA onsemi FJNS3209RTA - - -
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet K. Loch To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper Fjns32 300 MW To-92s Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms
MT5921BT1G onsemi MT5921BT1G - - -
RFQ
 ECAD 4124 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 3.000
MM5Z8V2T1 onsemi Mm5z8v2t1 - - -
RFQ
 ECAD 9842 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 MM5Z8 200 MW SOD-523 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MM5Z8V2T1OS Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 700 NA @ 5 V. 8.2 v 15 Ohm
MBR460MFST3G onsemi MBR460MFST3G - - -
RFQ
 ECAD 5757 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads MBR460 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 740 mv @ 4 a 200 µa @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C. 4a - - -
NTHD4N02FT1G onsemi Nthd4n02ft1g - - -
RFQ
 ECAD 4908 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-smd, Flaches Blei Nthd4n MOSFET (Metalloxid) Chipfet ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 2,9a (TJ) 2,5 V, 4,5 V. 80MOHM @ 2,9a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 4 NC @ 4,5 V. ± 12 V 300 PF @ 10 V. Schottky Diode (Isolier) 910 MW (TJ)
MPSH10_D75Z onsemi MPSH10_D75Z - - -
RFQ
 ECAD 4399 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads MPSH10 350 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 - - - 25 v 50 ma Npn 60 @ 4ma, 10V 650 MHz - - -
BD13716S onsemi BD13716S 0,5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 BD137 1,25 w To-126-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 60 v 1,5 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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