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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMSZ4712T1 | - - - |  | 5209 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ47 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 Na @ 21,2 V. | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HGTG11N120CN | - - - | | 4308 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | HGTG11N120 | Standard | 298 w | To-247-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 150 | 960 V, 11A, 10OHM, 15 V. | Npt | 1200 V | 43 a | 80 a | 2,4 V @ 15V, 11a | 400 µJ (EIN), 1,3mj (AUS) | 100 nc | 23ns/180ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NVMFS5C628NT1G | 3.0400 | | 8707 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NVMFS5C628NT1GTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 60 v | 28a (TA), 150a (TC) | 10V | 3mohm @ 27a, 10V | 4v @ 135 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2630 PF @ 30 V | - - - | 3,7W (TA), 110 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD734E-AA | 0,2700 | | 307 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5833NT1G | - - - | | 8081 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5833 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 16a (ta) | 10V | 7,5 MOHM @ 40A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 32,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1714 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 112W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | KSE802STU | - - - | | 4850 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | KSE80 | 40 w | To-126-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.920 | 80 v | 4 a | 100 µA | NPN - Darlington | 2,5 V @ 30 Ma, 1,5a | 750 @ 1,5a, 3V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FFPF05U120sttu | - - - | | 4387 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack | FFPF05 | Standard | To-220f-2l | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 3,5 V @ 5 a | 100 ns | 5 µa @ 1200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MM5Z47VT5G | 0,2600 | | 16 | 0.00000000 | Onsemi | Mm5zxxxt1g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,38% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | MM5Z47 | 500 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 32.9 V. | 47 v | 170 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMFS4836NT1G | - - - | | 2521 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 11A (TA), 90A (TC) | 4,5 V, 11,5 V. | 4mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 28 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 2677 PF @ 12 V | - - - | 890 MW (TA), 55,6W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTD65N03R-35G | 0,1400 | | 524 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | NTD65 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 25 v | 65a (TC) | 8.4mohm @ 30a, 10V | 2v @ 250 ähm | 16 NC @ 5 V | 1400 PF @ 20 V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC2J022NUZTCG | - - - | | 5871 | 0.00000000 | Onsemi | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | EFC2J022 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 5.000 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NDF10N60ZG | - - - | | 6542 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | NDF10 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fp | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 10a (TC) | 10V | 750Mohm @ 5a, 10V | 4,5 V @ 100 µA | 68 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1645 PF @ 25 V. | - - - | 39W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFD021N08C | 3.2800 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 12-Powerwqfn | NTTFD021 | MOSFET (Metalloxid) | 1,7W (TA), 26W (TC) | 12-WQFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 80V | 6a (ta), 24a (TC) | 21mohm @ 7.8a, 10V | 4V @ 44 ähm | 8.4nc @ 10v | 572PF @ 40V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NVTYS007N04CTWG | 0,6142 | | 8578 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-1205, 8-LFPAK56 | MOSFET (Metalloxid) | 8-lfpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-nvtys007n04ctwgtr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 14A (TA), 49A (TC) | 10V | 8.6mohm @ 15a, 10V | 3,5 V @ 30 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 674 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBF1066T1G | - - - | | 2630 | 0.00000000 | Onsemi | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | SMBF1 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fdfme3n311zt | - - - | | 6587 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFDFN exponiert Pad | Fdfme3 | MOSFET (Metalloxid) | 6-microfet (1,6x1,6) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 1,8a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 299mohm @ 1,6a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,4 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 75 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 1.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fqpf13n10 | - - - | | 9768 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Fqpf1 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 8.7a (TC) | 10V | 180 MOHM @ 4,35A, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 25 V | 450 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79C43_T50R | - - - | | 3674 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX79C43 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 100 mA | 50 NA @ 30.1 V. | 43 v | 150 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MTP10N40E | - - - | | 6231 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTBG060N090SC1 | 15.1500 | | 800 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca | NTBG060 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 900 V | 5,8a (TA), 44a (TC) | 15 v | 84mohm @ 20a, 15V | 4,3 V @ 5ma | 88 NC @ 15 V | +19V, -10 V. | 1800 PF @ 450 V | - - - | 3.6W (TA), 211W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ka33vta | - - - | | 6935 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | ± 6% | -20 ° C ~ 75 ° C. | K. Loch | To-226-2, to-92-2 (to-226ac) | Ka33 | 200 MW | To-92-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.000 | 33 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fqu5n50TU | - - - | | 6782 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Fqu5 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | N-Kanal | 500 V | 3,5a (TC) | 10V | 1,8OHM @ 1,75a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 30 v | 610 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 50 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Murhb840ctt4g | - - - | | 7272 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Murhb840 | Standard | D²pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 4a | 2,2 V @ 4 a | 28 ns | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3704 | - - - | | 8303 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tasche | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 2SK3704 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ml | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 60 v | 45a (ta) | 4 V, 10V | 14mohm @ 23a, 10V | - - - | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 3500 PF @ 20 V | - - - | 2W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDD86102LZ | 1.6200 | | 4739 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD86102 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 8A (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 22,5 Mohm @ 8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 1540 PF @ 50 V | - - - | 3.1W (TA), 54W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC848BPDW1T1 | 0,0200 | | 33 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3149m | 0,3600 | | 3 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 2156-2SC3149m | 825 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD734f | 0,1400 | | 39 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 600 MW | 3-NP | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2156-2SD734f | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,219 | 20 v | 700 Ma | 1 µA (ICBO) | Npn | 300 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 50 Ma, 2V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5935BRLG | 0,4800 | | 46 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5935 | 3 w | Axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 20,6 V | 27 v | 23 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK4097LS | 1.7200 | | 334 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220fi (ls) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 500 V | 8.3a (TC) | 650Mohm @ 5a, 10V | - - - | 30 NC @ 10 V | 750 PF @ 30 V | - - - | 2W (TA), 35W (TC) |
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