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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | Aktuell | Stromspannung | Spannung - Isolation | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDD6680 | - - - |  | 7368 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD668 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 12a (ta), 46a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10mohm @ 12a, 10V | 3v @ 250 ähm | 18 NC @ 5 V. | ± 20 V | 1230 PF @ 15 V | - - - | 3,3 W (TA), 56 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NSBC114EDXV6T1 | - - - | | 9873 | 0.00000000 | Onsemi | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | NSBC114 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N6517ta | 0,4500 | | 17 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N6517 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 350 V | 500 mA | 50na (ICBO) | Npn | 1v @ 5 ma, 50 mA | 20 @ 50 Ma, 10 V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC848BLT3 | 0,0200 | | 310 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | BC848 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | 0,2200 | | 10 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCW32 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 32 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 200 @ 2MA, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTP52N10 | - - - | | 7815 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | NTP52N | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | NTP52N10OS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 60a (ta) | 10V | 30mohm @ 26a, 10V | 4v @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 3150 PF @ 25 V. | - - - | 214W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NVMFS5C410NLWFAFT1G | 4.4500 | | 8995 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 50a (TA), 330a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,82 MOHM @ 50A, 10 V. | 2v @ 250 ähm | 143 NC @ 10 V | ± 20 V | 8862 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MGB15N40CLT4 | - - - | | 1090 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MGB15 | Logik | 150 w | D²pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 300 V, 6,5a, 1kohm | - - - | 440 v | 15 a | 50 a | 2,9 V @ 4V, 25a | - - - | -/4 µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N6001B_T50A | - - - | | 9837 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6001 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 NA @ 8.4 V. | 11 v | 18 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC184LC_D27Z | - - - | | 1804 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC184 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 200 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 130 @ 100 mA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MPS6521g | - - - | | 2146 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MPS652 | 625 MW | To-92 (to-226) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 25 v | 100 ma | 50na (ICBO) | Npn | 500mv @ 5ma, 50 mA | 300 @ 2MA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DTC144EET1 | - - - | | 5102 | 0.00000000 | Onsemi | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | DTC144 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NSVMMBT2222ATT1G | 0,3800 | | 13 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | NSVMMBT2222 | 150 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | - - - | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C430NLAFT1G | 2.7700 | | 6522 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 38a (TA), 200A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,4mohm @ 50a, 10V | 2v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 4300 PF @ 20 V | - - - | 3,8 W (TA), 110 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55C22_T26A | - - - | | 6255 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55C22 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,3 V @ 100 mA | 100 na @ 17 v | 22 v | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MBT3904DW1T1G | 0,2400 | | 45 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MBT3904 | 150 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 ma | - - - | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FJZ945GTF | - - - | | 2226 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-623F | FJZ945 | 100 MW | SOT-623F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 1ma, 6v | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4250 | - - - | | 7184 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | PN425 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | PN4250-NDR | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 40 v | 500 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 250 @ 100 µA, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ntlus4c12ntag | - - - | | 5411 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | Ntlus4 | MOSFET (Metalloxid) | 6-udfn (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6.8a (ta) | 3,3 V, 10 V. | 9mohm @ 9a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1172 PF @ 15 V | - - - | 630 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C450NLT1G | - - - | | 4183 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 110a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,8 MOHM @ 40A, 10V | 2v @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 2100 PF @ 20 V | - - - | 3,7W (TA), 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5408 | - - - | | 9264 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | 1N5408 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,2 V @ 3 a | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1417S-TD-E | 0,7000 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SA1417 | 500 MW | PCP | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 100 Ma, 5V | 120 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STK554U392C-E | - - - | | 2028 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | 29-ssip-modul, 21 Leads, Gebildete-Leads | IGBT | STK554 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 80 | 3 Phase Wechselrichter | 15 a | 600 V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MR751RLG | - - - | | 3703 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Geschmack, axial | MR75 | Standard | Mikrode -taste | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 900 mv @ 6 a | 25 µa @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MR756 | - - - | | 1889 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Geschmack, axial | MR75 | Standard | Mikrode -taste | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 900 mv @ 6 a | 25 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fdh400_t50a | - - - | | 9145 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | FDH400 | Standard | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 150 v | 1,1 V @ 300 mA | 50 ns | 100 NA @ 150 V | 175 ° C (max) | 200 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MJD210TF | - - - | | 3901 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD21 | 1,4 w | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 25 v | 5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 1,8 V @ 1a, 5a | 45 @ 2a, 1V | 65 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N7002_L99Z | - - - | | 3803 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 115 Ma (TA) | 5v, 10V | 7.5OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 200 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTD4302-1G | - - - | | 8419 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | NTD43 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 30 v | 8,4a (TA), 68a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10Mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 24 V | - - - | 1,04W (TA), 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC848ALT1 | - - - | | 8635 | 0.00000000 | Onsemi | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | BC848 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 |
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