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Diskette HalblerProdukte (26937)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - Im Zustand (VTM) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Aktuell - Aus dem Zustand (max) SCR -Typ Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1)
MSC2712YT1G onsemi MSC2712YT1G - - -
RFQ
 ECAD 5093 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MSC27 200 MW SC-59 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 100na Npn 500mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 2MA, 6V 50 MHz
2N5062G onsemi 2n5062g - - -
RFQ
 ECAD 4276 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 110 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2n5062 To-92 (to-226) - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 5.000 5 Ma 100 v 800 mA 800 mV 10a @ 60Hz 200 µA 1,7 v 510 ma 10 µA Sensibler tor
NTJD4105CT4 onsemi NTJD4105CT4 - - -
RFQ
 ECAD 6570 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NTJD4105 MOSFET (Metalloxid) 270 MW SC-88/SC70-6/SOT-363 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N und p-kanal 20V, 8v 630 Ma, 775 mA 375MOHM @ 630 mA, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 3nc @ 4,5V 46PF @ 20V Logikpegel -tor
MCR8SM onsemi MCR8SM - - -
RFQ
 ECAD 2558 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 110 ° C. K. Loch To-220-3 MCR8 To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Mcr8smos Ear99 8541.30.0080 50 6 Ma 600 V 8 a 1 v 80a @ 60Hz 200 µA 1,8 v 10 µA Sensibler tor
BC636TAR onsemi BC636TAR - - -
RFQ
 ECAD 3006 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC636 1 w To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 45 V 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 2V 100 MHz
MJD200T4G onsemi MJD200T4G 0,6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MJD200 1,4 w Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 25 v 5 a 100NA (ICBO) Npn 1,8 V @ 1a, 5a 45 @ 2a, 1V 65 MHz
FCH041N65EFLN4 onsemi FCH041N65EFLN4 - - -
RFQ
 ECAD 3352 0.00000000 Onsemi FRFET®, Superfet® II Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 FCH041 MOSFET (Metalloxid) To-247-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 450 N-Kanal 650 V 76a (TC) 10V 41mohm @ 38a, 10V 5v @ 7,6 mA 298 NC @ 10 V. ± 20 V 12560 PF @ 100 V - - - 595W (TC)
MJL0281AG onsemi MJL0281AG - - -
RFQ
 ECAD 1707 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa MJL02 180 w To-264 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 25 260 V 15 a 10 µA (ICBO) Npn 1v @ 500 mA, 5a 75 @ 3a, 5v 30 MHz
NTNS3164NZT5G onsemi Ntns3164nzt5g 0,4000
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn NTNS3164 MOSFET (Metalloxid) SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 8.000 N-Kanal 20 v 361 Ma (TA) 1,5 V, 4,5 V. 700 MOHM @ 200 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,8 NC @ 4,5 V ± 8 v 24 PF @ 10 V - - - 155 MW (TA)
NSBC144EPDXV6T1 onsemi NSBC144EPDXV6T1 - - -
RFQ
 ECAD 1633 0.00000000 Onsemi * Klebeband (CT) Schneiden Veraltet NSBC144 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 4.000
2N5038G onsemi 2n5038g 11.2700
RFQ
 ECAD 918 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2n5038 140 w To-204 (to-3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 100 90 v 20 a - - - Npn 2,5 V @ 5a, 20a 20 @ 12a, 5V - - -
NVH4L060N090SC1 onsemi NVH4L060N090SC1 20.3300
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 NVH4L060 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-4l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NVH4L060N090SC1 Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 900 V 46a (TC) 15 V, 18 V. 84mohm @ 20a, 15V 4,3 V @ 5ma 87 NC @ 15 V +22V, -8v 1770 PF @ 450 V - - - 221W (TC)
NRVTS1045EMFST3G onsemi NRVTS1045EMFST3G 0,3147
RFQ
 ECAD 5020 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NRVTS1045 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 600 mv @ 10 a 50 µa @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 300PF @ 45V, 1 MHz
SS16T3 onsemi SS16T3 - - -
RFQ
 ECAD 4650 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SS16 Schottky SMA Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 720 mv @ 1 a 200 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
MMBZ5235ELT1 onsemi Mmbz5235elt1 - - -
RFQ
 ECAD 6045 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 5 V 6,8 v 5 Ohm
1N5366BG onsemi 1N5366BG 0,4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch T-18, axial 1N5366 5 w Axial Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.000 1,2 V @ 1 a 500 NA @ 29.7 V. 39 v 14 Ohm
VN2410LZL1G onsemi VN2410LZL1G - - -
RFQ
 ECAD 7394 0.00000000 Onsemi - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet - - - K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) VN2410 MOSFET (Metalloxid) To-92 (to-226) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 240 V 200 Ma (TA) 2,5 V, 10 V. 10ohm @ 500 mA, 10V 2V @ 1ma ± 20 V 125 PF @ 25 V. - - - 350 MW (TC)
FDMC8360LET40 onsemi Fdmc8360let40 2.0700
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn FDMC8360 MOSFET (Metalloxid) Power33 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 40 v 27a (TA), 141a (TC) 4,5 V, 10 V. 2,1 MOHM @ 27A, 10V 3v @ 250 ähm 80 nc @ 10 v ± 20 V 5300 PF @ 20 V - - - 2,8 W (TA), 75 W (TC)
1N6005B_T50R onsemi 1N6005B_T50R - - -
RFQ
 ECAD 1324 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N6005 500 MW Do-35 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 Ma 100 Na @ 12 V. 16 v 36 Ohm
MMDF2N02ER2 onsemi MMDF2N02ER2 - - -
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MMDF2 MOSFET (Metalloxid) 2W 8-soic Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MMDF2N02ER2OS Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 25 v 3.6a 100mohm @ 2,2a, 10 V 3v @ 250 ähm 30nc @ 10v 532pf @ 16v Logikpegel -tor
MMBZ5246B onsemi MMBZ5246B - - -
RFQ
 ECAD 1235 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ52 350 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 Na @ 12 V. 16 v 17 Ohm
BCP56T3G onsemi BCP56T3G 0,3800
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BCP56 1,5 w SOT-223 (to-261) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 4.000 80 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 2V 130 MHz
FCU850N80Z onsemi FCU850N80Z 1.1305
RFQ
 ECAD 5391 0.00000000 Onsemi Superfet® II Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa FCU850 MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 800 V 6a (TC) 10V 850mohm @ 3a, 10V 4,5 V @ 600 ähm 29 NC @ 10 V ± 20 V 1315 PF @ 100 V - - - 75W (TC)
MPS8098G onsemi MPS8098G - - -
RFQ
 ECAD 5335 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper MPS809 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 5.000 60 v 500 mA 100na Npn 400mv @ 5 mA, 100 mA 100 @ 1ma, 5V 150 MHz
NTD3055-150-1 onsemi NTD3055-150-1 0,1000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet NTD30 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen = NTD3055-150 Ear99 8541.29.0095 75
KSA733CGTA onsemi KSA733CGTA - - -
RFQ
 ECAD 3252 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads KSA733 250 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 mA, 100 mA 200 @ 1ma, 6v 180 MHz
FJNS3211RTA onsemi FJNS3211RTA - - -
RFQ
 ECAD 2366 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet K. Loch To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper Fjns32 300 MW To-92s Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 22 Kohms
FQT1N80TF-WS onsemi FQT1N80TF-WS 0,9700
RFQ
 ECAD 4846 0.00000000 Onsemi QFET® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-3 Fqt1n80 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N-Kanal 800 V 200 Ma (TC) 10V 20ohm @ 100 mA, 10 V. 5 V @ 250 ähm 7.2 NC @ 10 V ± 30 v 195 PF @ 25 V. - - - 2.1W (TC)
NVG800A75L4DSB2 onsemi NVG800A75L4DSB2 - - -
RFQ
 ECAD 8986 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch 15-Powerdip-Modul (2,827 ", 71,80 mm) NVG800 Standard AHPM15-CEC Herunterladen 488-NVG800A75L4DSB2 1 Halbbrückke Wechselrichter - - - 750 V 800 a 1,6 V @ 15V, 600A 1 Ma NEIN 43000 PF @ 30 V
NVMFS5C430NLWFT1G onsemi NVMFS5C430NLWFT1G - - -
RFQ
 ECAD 4703 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NVMFS5 MOSFET (Metalloxid) 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 40 v 200a (TC) 4,5 V, 10 V. 1,5 MOHM @ 50a, 10V 2v @ 250 ähm 70 nc @ 10 v ± 20 V 4300 PF @ 20 V - - - 3,8 W (TA), 110 W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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