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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Strom - Hold (ih) (max) | Aktuell | Stromspannung | Spannung - Isolation | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Spannung - Im Zustand (VTM) (max) | Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) | Aktuell - Aus dem Zustand (max) | SCR -Typ | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | BC550CTA | 0,3500 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC550 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD95N02R | - - - | ![]() | 6533 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NTD95 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 24 v | 12a (ta), 32a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5mohm @ 20a, 10V | 2v @ 250 ähm | 21 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 2400 PF @ 20 V | - - - | 1,25W (TA), 86W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2090CT | - - - | ![]() | 3442 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | MBR2090 | Schottky | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MBR2090CTOS | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 90 v | 10a | 850 mV @ 10 a | 100 µa @ 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2328AOBU | - - - | ![]() | 3112 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | KSC2328 | 1 w | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 6.000 | 30 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 2v @ 30 mA, 1,5a | 100 @ 500 mA, 2V | 120 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mm3z51vt1g | 0,4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | MM3Z51 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 35.7 V. | 51 v | 180 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTQD6968NR2G | - - - | ![]() | 8822 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | NTQD69 | MOSFET (Metalloxid) | 1.39W | 8-tssop | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 6.2a | 22mohm @ 7a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 17nc @ 4,5V | 630pf @ 16v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NST847BPDP6T5G | 0,3900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-963 | NST847 | 350 MW | SOT-963 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 600mv @ 5 mA, 100 mA / 700 mV @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V / 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP27P06 | 2.1000 | ![]() | 5711 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP27 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2156-FQP27P06-488 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 27a (TC) | 10V | 70 MOHM @ 13.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 43 NC @ 10 V | ± 25 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD5N40TM | - - - | ![]() | 1242 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FQD5 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 400 V | 3.4a (TC) | 10V | 1,6OHM @ 1,7a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 30 v | 460 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NFAL3512L5BT | - - - | ![]() | 5738 | 0.00000000 | Onsemi | SPM® | Rohr | Veraltet | K. Loch | 31-Powerdip-Modul (1.385 ", 35,17 mm) | IGBT | NFAL3512 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 6 | 1 Phase -Wechselrichter | 35 a | 1,2 kv | 2500 VRMs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCR100-8RLG | - - - | ![]() | 7996 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MCR10 | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 2.000 | 5 Ma | 600 V | 800 mA | 800 mV | 10a @ 60Hz | 200 µA | 1,7 v | 10 µA | Sensibler tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJB42CT4G | 1.2100 | ![]() | 8922 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MJB42 | 2 w | D²pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 100 v | 6 a | 700 ähm | PNP | 1,5 V @ 600 Ma, 6a | 15 @ 3a, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1830 | 0,5600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | Verkäfer undefiniert | 2156-2SD1830-488 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTMSD2P102LR2G | - - - | ![]() | 3251 | 0.00000000 | Onsemi | Fetky ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | NTMSD2 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 2.3a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 90 MOHM @ 2,4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 750 PF @ 16 V | Schottky Diode (Isolier) | 710 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NJVMJD210T4G | 0,8400 | ![]() | 8938 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NJVMJD210 | 1,4 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 25 v | 5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 1,8 V @ 1a, 5a | 45 @ 2a, 1V | 65 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP032N08B-F102 | 2.9800 | ![]() | 602 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FDP032 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 80 v | 120a (TC) | 10V | 3,3 MOHM @ 100A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 144 NC @ 10 V | ± 20 V | 10965 PF @ 40 V | - - - | 263W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C39_T50A | - - - | ![]() | 7178 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55C39 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,3 V @ 100 mA | 100 na @ 28 v | 39 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC559ABU | - - - | ![]() | 9503 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC559 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTS2101pt1 | - - - | ![]() | 3583 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | NTS210 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 1,4a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 100mohm @ 1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 6.4 NC @ 5 V. | ± 8 v | 640 PF @ 8 V. | - - - | 290 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC2712YT1G | - - - | ![]() | 5093 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MSC27 | 200 MW | SC-59 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100na | Npn | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 2MA, 6V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2n5062g | - - - | ![]() | 4276 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2n5062 | To-92 (to-226) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 5.000 | 5 Ma | 100 v | 800 mA | 800 mV | 10a @ 60Hz | 200 µA | 1,7 v | 510 ma | 10 µA | Sensibler tor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTJD4105CT4 | - - - | ![]() | 6570 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NTJD4105 | MOSFET (Metalloxid) | 270 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N und p-kanal | 20V, 8v | 630 Ma, 775 mA | 375MOHM @ 630 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 3nc @ 4,5V | 46PF @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCR8SM | - - - | ![]() | 2558 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | To-220-3 | MCR8 | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Mcr8smos | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 6 Ma | 600 V | 8 a | 1 v | 80a @ 60Hz | 200 µA | 1,8 v | 10 µA | Sensibler tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC636TAR | - - - | ![]() | 3006 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC636 | 1 w | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD200T4G | 0,6100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD200 | 1,4 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 25 v | 5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 1,8 V @ 1a, 5a | 45 @ 2a, 1V | 65 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH041N65EFLN4 | - - - | ![]() | 3352 | 0.00000000 | Onsemi | FRFET®, Superfet® II | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | FCH041 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 650 V | 76a (TC) | 10V | 41mohm @ 38a, 10V | 5v @ 7,6 mA | 298 NC @ 10 V. | ± 20 V | 12560 PF @ 100 V | - - - | 595W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJL0281AG | - - - | ![]() | 1707 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | MJL02 | 180 w | To-264 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 25 | 260 V | 15 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 500 mA, 5a | 75 @ 3a, 5v | 30 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ntns3164nzt5g | 0,4000 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | NTNS3164 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 20 v | 361 Ma (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 700 MOHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,8 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 24 PF @ 10 V | - - - | 155 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSBC144EPDXV6T1 | - - - | ![]() | 1633 | 0.00000000 | Onsemi | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | NSBC144 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2n5038g | 11.2700 | ![]() | 918 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 2n5038 | 140 w | To-204 (to-3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 90 v | 20 a | - - - | Npn | 2,5 V @ 5a, 20a | 20 @ 12a, 5V | - - - |
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