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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | NDS8425 | - - - | ![]() | 9050 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | NDS842 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 7.4a (ta) | 2,7 V, 4,5 V. | 22mohm @ 7,4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1098 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
GBU6B | 1.4900 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU6 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 100 V. | 6 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJF2955G | 1.9500 | ![]() | 371 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MJF2955 | 2 w | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 90 v | 10 a | 1 µA | PNP | 2,5 V @ 3,3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | 2MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR160 | - - - | ![]() | 3423 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | MBR160 | Schottky | Axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MBR160OS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 750 mV @ 1 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SJD31CT4 | 0,2400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5230BLT1 | - - - | ![]() | 1164 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 2 V. | 4,7 v | 19 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
NVATS5A114PLZT4G | - - - | ![]() | 4608 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Nvats5 | MOSFET (Metalloxid) | Atpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 60a (ta) | 4 V, 10V | 16mohm @ 28a, 10V | 2,6 V @ 1ma | 92 NC @ 10 V | ± 20 V | 4000 PF @ 20 V | - - - | 72W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZ1SMB5921BT3G | 0,8300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SZ1SMB5921 | 3 w | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 5,2 V. | 6,8 v | 2,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMM3Z7V5T1G | 0,3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | SZMM3 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 5 V | 7,5 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mch3444-tl-e | 0,0700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hufa76419d3st | - - - | ![]() | 5610 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | HUFA76419 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 20A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 37mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 27,5 NC @ 10 V. | ± 16 v | 900 PF @ 25 V. | - - - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD70N03R-1 | 0,1500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP5N20 | - - - | ![]() | 8046 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP5 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 4,5a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,25A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 7,5 NC @ 10 V | ± 30 v | 270 PF @ 25 V. | - - - | 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC6320c | - - - | ![]() | 6101 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | FDC6320 | MOSFET (Metalloxid) | 700 MW | Supersot ™ -6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 25 v | 220 mA, 120 mA | 4OHM @ 400 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 0,4nc @ 4,5 V | 9.5PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BS108G | - - - | ![]() | 7347 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | BS108 | MOSFET (Metalloxid) | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-Kanal | 200 v | 250 mA (TA) | 2V, 2,8 v | 8ohm @ 100 mA, 2,8 V. | 1,5 V @ 1ma | ± 20 V | 150 PF @ 25 V. | - - - | 350 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5277BRL | - - - | ![]() | 3128 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2333Ytu | - - - | ![]() | 5210 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | KSC2333 | 15 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2832-kSC2333Ytu-488 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V | 2 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 100 mA, 500 mA | 40 @ 100 Ma, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTTFS016N06CTAG | 0,6525 | ![]() | 4866 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NTTFS016 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NTTFS016N06CTAGTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 60 v | 8A (TA), 32A (TC) | 10V | 16.3mohm @ 5a, 10V | 4 V @ 25 µA | 6,9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 489 PF @ 30 V | - - - | 2,5 W (TA), 36W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMDF6N02HDR2 | 0,4000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVB440MFSWFT1G | 0,6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NRVB440 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 650 mv @ 4 a | 800 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76439S3S | - - - | ![]() | 6706 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Hufa76 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 75a, 10V | 3v @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 16 v | 2745 PF @ 25 V. | - - - | 155W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMTS0D4N04CTXG | 10.9100 | ![]() | 6468 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | NVMTS0 | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFNW (8.3x8.4) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 79,8a (TA), 558a (TC) | 10V | 0,45 MOHM @ 50A, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 251 NC @ 10 V | ± 20 V | 16500 PF @ 20 V | - - - | 5W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SURS8120T3G | - - - | ![]() | 5255 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SURS8120 | Standard | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 875 mv @ 1 a | 35 ns | 2 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH6341-TL-H | - - - | ![]() | 1542 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | MCH63 | MOSFET (Metalloxid) | 6-mcph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 5a (ta) | 4 V, 10V | 59mohm @ 3a, 10V | - - - | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 430 PF @ 10 V. | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR6045WT | - - - | ![]() | 4945 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-3 | MBR6045 | Schottky | To-247-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MBR6045WTOS | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 30a | 620 mv @ 30 a | 1 ma @ 45 v | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SVC342L-V-AA | 1.0000 | ![]() | 1531 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.59.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDSH40120CDN | 19.4900 | ![]() | 7339 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | NDSH40120 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NDSH40120CDN | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 20a | 1,75 V @ 20 a | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZBZX84C22LT1G | 0,1800 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, SZBZX84CXXXLT1G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SZBZX84 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 15.4 v | 22 v | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTK3142PT1H | - - - | ![]() | 9088 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NTK3142PT1HTR | Veraltet | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJNS3206RBU | - - - | ![]() | 4954 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | Fjns32 | 300 MW | To-92s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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