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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Strom - Hold (ih) (max) | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | MBR6045WTG | - - - | ![]() | 7344 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-3 | MBR6045 | Schottky | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MBR6045WTGOS | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 30a | 620 mv @ 30 a | 1 ma @ 45 v | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N968B_T50R | - - - | ![]() | 9545 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N968 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA @ 15,2 V | 20 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSBC144EPDXV6T1 | - - - | ![]() | 1633 | 0.00000000 | Onsemi | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | NSBC144 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6000B_T50A | - - - | ![]() | 4985 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6000 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 na @ 8 v | 10 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSVPZTA92T1G | 0,2600 | ![]() | 94 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75637P3 | - - - | ![]() | 9776 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Hufa75 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-Kanal | 100 v | 44a (TC) | 10V | 30mohm @ 44a, 10V | 4v @ 250 ähm | 108 NC @ 20 V | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 155W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1035H | - - - | ![]() | 2676 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | MBR103 | Schottky | To-220-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 840 mv @ 20 a | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS79C | - - - | ![]() | 4224 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS79 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 800 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVTFS5820NLWFTWG | - - - | ![]() | 7972 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NVTFS5820 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 60 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 11,5 MOHM @ 8.7a, 10 V | 2,3 V @ 250 ähm | 28 NC @ 10 V | ± 20 V | 1462 PF @ 25 V. | - - - | 3.2W (TA), 21W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC548A | - - - | ![]() | 6153 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC548 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MTB50P03HDLG | - - - | ![]() | 3212 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MTB50 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 5v | 25mohm @ 25a, 5V | 2v @ 250 ähm | 100 nc @ 5 V | ± 15 V | 4900 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAC997A8RLRP | - - - | ![]() | 4170 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MAC997 | To-92 (to-226) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 2.000 | Einzel | 10 ma | Logik - Sensitive Gate | 600 V | 800 mA | 2 v | 8a @ 60Hz | 5 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS110 | - - - | ![]() | 9086 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BSS11 | MOSFET (Metalloxid) | To-92-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 50 v | 170 mA (ta) | 10ohm @ 170 mA, 10V | 2V @ 1ma | 40 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4412-5-TB-E | 0,1100 | ![]() | 63 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V3LT1 | - - - | ![]() | 1370 | 0.00000000 | Onsemi | BZX84CXXXLT1G | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C3 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4672A | 1.4000 | ![]() | 1843 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS4672 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 11a (ta) | 4,5 v | 13MOHM @ 11A, 4,5 V. | 2v @ 250 ähm | 49 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 4766 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6007B_T50R | - - - | ![]() | 5674 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6007 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 na @ 15 V | 20 v | 48 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD31CRLG | 0,9400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD31 | 1,56 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.800 | 100 v | 3 a | 50 µA | Npn | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 10 @ 3a, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJW21193 | - - - | ![]() | 4646 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MJW21 | 200 w | To-247-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MJW21193OS | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 250 V | 16 a | 100 µA | PNP | 4v @ 3,2a, 16a | 20 @ 8a, 5V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFAF20U20DNTU | - - - | ![]() | 7589 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | Ffaf20 | Standard | To-3Pf | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 20a | 1,2 V @ 20 a | 40 ns | 20 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856BWT1G | 0,1500 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC856 | 150 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP19N20 | 1.6500 | ![]() | 835 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP19 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 19,4a (TC) | 10V | 150 MOHM @ 9.7a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 30 v | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR140SFT3 | - - - | ![]() | 5574 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-123F | MBR140 | Schottky | SOD-123FL | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBRA8160T3G | - - - | ![]() | 1313 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SBRA81 | Schottky | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 720 mv @ 1 a | 200 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD3055RLG | 0,8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD3055 | 1,75 w | Dpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.800 | 60 v | 10 a | 50 µA | Npn | 8v @ 3,3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | 2MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5610 | 0,4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 656 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NZ8F7V5SMX2WT5G | 0,0456 | ![]() | 6216 | 0.00000000 | Onsemi | NZ8F | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,27% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 2-xdfn | 250 MW | 2-X2DFNW (1x0.6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NZ8F7V5SMX2WT5GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 900 mv @ 10 mA | 500 na @ 4 v | 7,5 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4C032NT1G | - - - | ![]() | 3206 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 13a (ta), 38a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7.35MOHM @ 30a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 15,2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 770 PF @ 15 V | - - - | 2,46W (TA), 21,6 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC32716TF | - - - | ![]() | 3915 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC327 | 625 MW | To-92-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 800 mA | 100na | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N968B_S00Z | - - - | ![]() | 2771 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N968 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µA @ 15,2 V | 20 v | 25 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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