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Diskette HalblerProdukte (26937)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Triactyp Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - Im Zustand (VTM) (max) Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) Aktuell - Aus dem Zustand (max) SCR -Typ Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
MCR12DCNT4 onsemi MCR12DCNT4 - - -
RFQ
 ECAD 7915 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MCR12 Dpak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 2.500 40 ma 800 V 12 a 1 v 100a @ 60Hz 20 ma 1,9 v 7.8 a 10 µA Standardwiederherherster
NDF06N60ZH onsemi NDF06N60ZH - - -
RFQ
 ECAD 3422 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack NDF06 MOSFET (Metalloxid) To-220-2 Full Pack Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 7.1a (TC) 10V 1,2OHM @ 3a, 10V 4,5 V @ 100 µA 47 NC @ 10 V ± 30 v 1107 PF @ 25 V. - - - 35W (TC)
FYP1504DNTU onsemi FYP1504DNTU - - -
RFQ
 ECAD 9852 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Fyp15 Schottky To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 15a 670 mv @ 15 a 1 ma @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C.
NDD60N900U1-35G onsemi NDD60N900U1-35G - - -
RFQ
 ECAD 7222 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa NDD60 MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 600 V 5.7a (TC) 10V 900mohm @ 2,5a, 10 V 4v @ 250 ähm 12 NC @ 10 V ± 25 V 360 PF @ 50 V - - - 74W (TC)
BZX84C36LT1G onsemi BZX84C36LT1G 0,1600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Onsemi BZX84CXXXLT1G Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZX84C36 225 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 25.2 V. 36 v 90 Ohm
2N5460 onsemi 2N5460 - - -
RFQ
 ECAD 4445 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 135 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2N5460 350 MW To-92 (to-226) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1.000 P-Kanal 7pf @ 15V 40 v 1 ma @ 15 v 750 mV @ 1 µA
FJV1845FMTF onsemi FJV1845fmtf 0,2400
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 FJV1845 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 120 v 50 ma 50na (ICBO) Npn 300 mV @ 1ma, 10 mA 300 @ 1ma, 6v 110 MHz
1N5253B_T50R onsemi 1N5253B_T50R - - -
RFQ
 ECAD 8704 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5253 500 MW Do-35 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 Ma 100 na @ 19 V 25 v 35 Ohm
NXH300B100H4Q2F2SG onsemi NXH300B100H4Q2F2SG 204.7500
RFQ
 ECAD 6759 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 194 w Standard 53-PIM/Q2Pack (93x47) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NXH300B100H4Q2F2SG Ear99 8541.29.0095 12 Dual Gemeinsame Quelle TRABENFELD STOPP 1118 v 73 a 2,25 V @ 15V, 100a 800 µA Ja 6.323 NF @ 20 V
NVLJD4007NZTAG onsemi NVLJD4007NZTAG - - -
RFQ
 ECAD 6549 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-WDFN Exponierte Pad NVLJD4007 MOSFET (Metalloxid) 755 MW 6-WDFN (2x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 30V 245 Ma 7ohm @ 125 mA, 4,5 V. 1,5 V @ 100 µA 0,75nc @ 4,5 V 20pf @ 5v Logikpegel -tor
MAC97A8RLRPG onsemi MAC97A8RLRPG - - -
RFQ
 ECAD 7120 0.00000000 Onsemi - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) MAC97 To-92 (to-226) - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 2.000 Einzel 10 ma Logik - Sensitive Gate 600 V 600 mA 2 v 8a @ 60Hz 5 Ma
MURHF860CT onsemi Murhf860ct - - -
RFQ
 ECAD 1775 0.00000000 Onsemi SwitchMode ™ Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack Murhf8 Standard To-220fp Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 4a 2,8 V @ 4 a 35 ns 10 µa @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C.
BDX54BG onsemi BDX54BG - - -
RFQ
 ECAD 7646 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 BDX54 65 w To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 80 v 8 a 500 ähm PNP - Darlington 2v @ 12 ma, 3a 750 @ 3a, 3v - - -
MBR140SFT1G onsemi MBR140SFT1G 0,4300
RFQ
 ECAD 5596 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123F MBR140 Schottky SOD-123FL Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a - - -
FFA60UA60DN onsemi FFA60UA60DN 2.5500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 FFA60UA60 Standard To-3pn Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 30a 2,2 V @ 30 a 90 ns 100 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C.
NSBC114EPDXV6T5 onsemi NSBC114EPDXV6T5 0,0700
RFQ
 ECAD 242 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 8.000
BFL4037-S onsemi BFL4037-S 0,5900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1
BC856BDW1T3G onsemi BC856BDW1T3G 0,2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 380 MW SC-88/SC70-6/SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 65 V 100 ma 15NA (ICBO) 2 PNP (Dual) 650 mv @ 5ma, 100 mA 220 @ 2MA, 5V 100 MHz
2SA1346-AC onsemi 2SA1346-AC 0,1900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 1
HUF75645S3S onsemi HUF75645S3S - - -
RFQ
 ECAD 4793 0.00000000 Onsemi Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab HUF75 MOSFET (Metalloxid) D²pak (to-263) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 100 v 75a (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10V 4v @ 250 ähm 238 NC @ 20 V ± 20 V 3790 PF @ 25 V. - - - 310W (TC)
1N754ATR onsemi 1N754ATR - - -
RFQ
 ECAD 9019 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N754 500 MW Do-35 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 v 6,8 v 5 Ohm
FQB7P06TM onsemi FQB7P06TM - - -
RFQ
 ECAD 8858 0.00000000 Onsemi QFET® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab FQB7 MOSFET (Metalloxid) D²pak (to-263) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 P-Kanal 60 v 7a (TC) 10V 410mohm @ 3,5a, 10V 4v @ 250 ähm 8.2 NC @ 10 V ± 25 V 295 PF @ 25 V. - - - 3,75W (TA), 45W (TC)
FDFMA2P859T onsemi Fdfma2p859t - - -
RFQ
 ECAD 6995 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad FDFMA2 MOSFET (Metalloxid) Mikrofet 2x2 Dünn Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 v 3a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 120 MOHM @ 3A, 4,5 V. 1,3 V @ 250 ähm 6 NC @ 4,5 V. ± 8 v 435 PF @ 10 V. Schottky Diode (Isolier) 1.4W (TA)
FDP060AN08A0 onsemi FDP060AN08A0 2.9800
RFQ
 ECAD 6002 0.00000000 Onsemi Powertrench® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FDP060 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 75 V 16A (TA), 80A (TC) 6 V, 10V 6mohm @ 80a, 10V 4v @ 250 ähm 95 NC @ 10 V ± 20 V 5150 PF @ 25 V. - - - 255W (TC)
EMX1DXV6T1 onsemi EMX1DXV6T1 - - -
RFQ
 ECAD 6766 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 EMX1 500 MW SOT-563 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 4.000 50V 100 ma 500NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 400mv @ 5ma, 50 mA 120 @ 1ma, 6v 180 MHz
NTPF082N65S3F onsemi NTPF082N65S3F 7.2800
RFQ
 ECAD 683 0.00000000 Onsemi Superfet® III Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack NTPF082 MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 40a (TC) 10V 82mohm @ 20a, 10V 5v @ 4ma 70 nc @ 10 v ± 30 v 3240 PF @ 400 V - - - 48W (TC)
1N5925BRLG onsemi 1N5925BRLG 0,3900
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N5925 3 w Axial Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 6.000 1,5 V @ 200 Ma 5 µa @ 8 V. 10 v 4,5 Ohm
FJP5355TU onsemi FJP5355TU - - -
RFQ
 ECAD 6827 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet - - - K. Loch To-220-3 FJP535 50 w To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 440 v 5 a - - - Npn 400 MV @ 800 Ma, 2,5a 7 @ 2,5a, 2v 4MHz
SBAS16DXV6T1G onsemi SBAS16DXV6T1G 0,1154
RFQ
 ECAD 5860 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 SBAS16 Standard SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 4.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Unabhängig 100 v 200 Ma (DC) 1,25 V @ 150 mA 6 ns 1 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
MBRM140T3 onsemi MBRM140T3 - - -
RFQ
 ECAD 2396 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-216aa MBRM140 Schottky PowerMite Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 12.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 40 V 1a - - -
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    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

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    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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