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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Eingabekapazität (cies) @ vce | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
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![]() | KSD363R | - - - | ![]() | 6340 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | KSD363 | 40 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.200 | 120 v | 6 a | 1ma (ICBO) | Npn | 1v @ 100 mA, 1a | 40 @ 1a, 5V | 10 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJ11021g | 10.2800 | ![]() | 156 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | MJ11021 | 175 w | To-204 (to-3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 250 V | 15 a | 1ma | PNP - Darlington | 3,4 V @ 150 Ma, 15a | 400 @ 10a, 5v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1S922TR | - - - | ![]() | 6834 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1S92 | Standard | Do-35 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 30.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 150 v | 1,2 V @ 200 Ma | 100 NA @ 150 V | 200 ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBT80-10JS | - - - | ![]() | 9284 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SBT80 | Schottky | To-220ml | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 8a | 800 mV @ 3 a | 100 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3503DSTU | - - - | ![]() | 7280 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 2SC3503 | 7 w | To-126-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 60 | 300 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 2MA, 20 mA | 60 @ 10 ma, 10V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5551AE-TD-E | - - - | ![]() | 5509 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SC5551 | 1.3W | PCP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | - - - | 30V | 300 ma | Npn | 90 @ 50 Ma, 5V | 3,5 GHz | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS14 | 0,5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SS14 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5231c | 0,2400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5231 | 500 MW | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 17 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5387BRLG | 0,4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5387 | 5 w | Axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 na @ 144 v | 190 v | 450 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD243BG | - - - | ![]() | 6050 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 65 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 900 | 80 v | 6 a | 700 ähm | Npn | 1,5 V @ 1a, 6a | 15 @ 3a, 4V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC848CDW1T1G | 0,2600 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC848 | 380 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF2N80 | 1.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Fqpf2 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-FQPF2N80 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 1,5a (TC) | 10V | 6.3OHM @ 750 mA, 10V | 5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 30 v | 550 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU8796_F071 | - - - | ![]() | 1477 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | FDU87 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-Kanal | 25 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.7mohm @ 35a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 2610 PF @ 13 V | - - - | 88W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFAF30U60DNTU | - - - | ![]() | 9916 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | Ffaf30 | Standard | To-3Pf | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 360 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 30a | 2,3 V @ 30 a | 90 ns | 15 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJE180stu | 0,7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | MJE180 | 1,5 w | To-126-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 60 | 40 v | 3 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 1,7 V @ 600 Ma, 3a | 50 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Flz13va | - - - | ![]() | 4870 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | FLZ13 | 500 MW | SOD-80 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 133 na @ 10 v | 12,5 v | 11,4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP7G50US60 | - - - | ![]() | 4885 | 0.00000000 | Onsemi | Power-SPM ™ | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | EPM7 | FP7G50 | 250 w | Standard | EPM7 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | Halbbrücke | - - - | 600 V | 50 a | 2,8 V @ 15V, 50a | 250 µA | NEIN | 2,92 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTR4171PT1G | 0,4500 | ![]() | 5464 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NTR4171 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2.2a (TA) | 2,5 V, 10 V. | 75mohm @ 2,2a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 15,6 NC @ 10 V. | ± 12 V | 720 PF @ 15 V | - - - | 480 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB4N25TM | - - - | ![]() | 3525 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FQB4 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 250 V | 3.6a (TC) | 10V | 1,75OHM @ 1,8a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 5.6 NC @ 10 V | ± 30 v | 200 PF @ 25 V. | - - - | 3.13W (TA), 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSBA124EDP6T5G | 0,0672 | ![]() | 8119 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-963 | NSBA124 | 408 MW | SOT-963 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | - - - | 22kohm | 22kohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRM110ET1G | 0,4800 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-216aa | MBRM110 | Schottky | PowerMite | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 10 v | 530 mv @ 1 a | 1 µa @ 10 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC4614S-an | - - - | ![]() | 4963 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-71 | 2SC4614 | 1 w | 3-nmp | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 160 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 450 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 100 Ma, 5V | 120 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fw359-tl-e | - - - | ![]() | 1713 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA614Ytu | - - - | ![]() | 5341 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | KSA614 | 25 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 55 v | 3 a | 50 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 120 @ 500 mA, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ277-dl-e | 1.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR10100MFST1G | - - - | ![]() | 7386 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | MBR1010 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 10 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54CLT3G | 0,1400 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 200 Ma (DC) | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2690AOS | - - - | ![]() | 4365 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | KSC2690 | 1,2 w | To-126-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 160 v | 1.2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 700mv @ 200 Ma, 1a | 100 @ 300 mA, 5V | 155 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD1504A_D87Z | - - - | ![]() | 1189 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD15 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 200 ma | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 180 v | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5262BLT1G | - - - | ![]() | 3065 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 39 V | 51 v | 125 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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