Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuell | Stromspannung | Spannung - Isolation | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NFAQ1060L33T | 15.6300 | ![]() | 9653 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | 38-Powerdip-Modul (0,610 ", 24,00 mm, 24 Leitungen | IGBT | NFAQ1060 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NFAQ1060L33T | Ear99 | 8542.39.0001 | 400 | 3 Phase Wechselrichter | 10 a | 600 V | 2000VRMs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDX53CTU | - - - | ![]() | 7952 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BDX53 | 60 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 100 v | 8 a | 500 ähm | NPN - Darlington | 2v @ 12 ma, 3a | 750 @ 3a, 3v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Nvtjd4001nt2g | - - - | ![]() | 1790 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NVTJD40 | MOSFET (Metalloxid) | 272 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 250 Ma | 1,5OHM @ 10 mA, 4V | 1,5 V @ 100 µA | 1,3nc @ 5v | 33pf @ 5v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFD6H840NLWFT1G | 2.7700 | ![]() | 9446 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | NVMFD6 | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 n-kanal (dual) | 80V | 14a (ta), 74a (TC) | 6,9 MOHM @ 20A, 10V | 2v @ 96 ähm | 32nc @ 10v | 2002pf @ 40V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA992FATA | 0,3900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSA992 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 120 v | 50 ma | 1 µA | PNP | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 200 @ 1ma, 6v | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD261CYTA | - - - | ![]() | 4696 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSD261 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 20 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40LT1G | 0,2000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC807 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB8N90CTM | - - - | ![]() | 6711 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FQB8N90 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 900 V | 6.3a (TC) | 10V | 1,9ohm @ 3.15a, 10 V | 5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 30 v | 2080 PF @ 25 V. | - - - | 171W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fja4310otu | 3.3600 | ![]() | 1881 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FJA4310 | 100 w | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2832-FJA4310OTU | Ear99 | 8541.29.0075 | 30 | 140 v | 10 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 500 mA, 5a | 70 @ 3a, 4V | 30 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4736ATR | 0,2800 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4736 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 4 V. | 6,8 v | 3,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBRS8140NT3G | 0,4000 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SBRS8140 | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 mv @ 1 a | 1 ma @ 40 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2222AHLT1H | - - - | ![]() | 2981 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | - - - | MMBT2222 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDT01N60T1G | - - - | ![]() | 1158 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | NDT01 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 400 mA (TC) | 10V | 8.5OHM @ 200 Ma, 10V | 3,7 V @ 50 µA | 7.2 NC @ 10 V | ± 30 v | 160 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP30G | - - - | ![]() | 1532 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP30 | 2 w | To-220 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TIP30GOS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 40 v | 1 a | 300 µA | PNP | 700 MV @ 125 Ma, 1a | 15 @ 1a, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDX53BTU | - - - | ![]() | 9572 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BDX53 | 60 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 8 a | 500 ähm | NPN - Darlington | 2v @ 12 ma, 3a | 750 @ 3a, 3v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Njvmjd122t4g | 0,7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NJVMJD122 | 1,75 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100 v | 8 a | 10 µA | NPN - Darlington | 4v @ 80 Ma, 8a | 1000 @ 4a, 4V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC6017-tl-e | 0,9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SC6017 | 950 MW | Tp-fa | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 700 | 50 v | 10 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 360 mv @ 250 mA, 5a | 200 @ 1a, 2v | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB34N20TM-Am002 | - - - | ![]() | 5307 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FQB34N20 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 200 v | 31a (TC) | 10V | 75mohm @ 15.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 30 v | 3100 PF @ 25 V. | - - - | 3.13W (TA), 180 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA18RLRAG | - - - | ![]() | 8411 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPSA18 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 500 @ 10ma, 5V | 160 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N914B_S62Z | - - - | ![]() | 6774 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N914B | Standard | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf17n08 | - - - | ![]() | 9965 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Fqpf1 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 80 v | 11.2a (TC) | 10V | 115mohm @ 5.6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 25 V | 450 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5257elt1 | - - - | ![]() | 3923 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Mmbz5257elt1OS | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 25 V. | 33 v | 58 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMMSZ4699T1G | 0,3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SZMMSZ4699 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 9.1 V. | 12 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MV209RLRA | - - - | ![]() | 3853 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MV209 | To-92 (to-226) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 32pf @ 3v, 1 MHz | Einzel | 30 v | 6.5 | C3/C25 | 200 @ 3V, 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143EM3T5G | 0,3100 | ![]() | 134 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC143 | 260 MW | SOT-723 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 15 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF30L45CTG | 1.5600 | ![]() | 182 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Lets Kaufen | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MBRF30 | Schottky | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 500 mV @ 15 a | 650 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NRVHPRS1GFA | 0,1161 | ![]() | 6924 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOD-123F | NRVHPRS1 | Standard | SOD-123FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 800 mA | 250 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD4863NA-1G | - - - | ![]() | 8194 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | NTD48 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 25 v | 9,2a (TA), 49A (TC) | 9,3mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 13,5 NC @ 4,5 V. | 990 PF @ 12 V | - - - | 1,27W (TA), 36,6 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | P2N2222Arl1 | - - - | ![]() | 8551 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | P2N222 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 600 mA | 10na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP25TA | - - - | ![]() | 2434 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSP25 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 40 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus