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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuell | Stromspannung | Spannung - Isolation | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MPSA27_D74Z | - - - | ![]() | 1184 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPSA27 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 60 v | 800 mA | 500NA | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH6605-TL-E | - - - | ![]() | 6034 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | MCH6605 | MOSFET (Metalloxid) | 800 MW | 6-mcph | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 50V | 140 Ma | 22ohm @ 40 mA, 10V | - - - | 1.32nc @ 10v | 6.2pf @ 10v | Logikpegel -Tor, 4V Laufwerk | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4H013NFT3G | - - - | ![]() | 4256 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 25 v | 43a (TA), 269a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,9 MOHM @ 30a, 10 V. | 2,1 V @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 3923 PF @ 12 V | - - - | 2,7W (TA), 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4002RLG | 0,3300 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4002 | Standard | Axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 1N4002Rlgostr | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Nvjd5121nt1g | 0,4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NVJD5121 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 295 Ma | 1,6OHM @ 500 mA, 10 V. | 2,5 V @ 250 ähm | 0,9nc @ 4,5 V | 26pf @ 20V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4931NT1G | - - - | ![]() | 8057 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4931 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 23a (TA), 246a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,1 MOHM @ 30a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 128 NC @ 10 V | ± 20 V | 9821 PF @ 15 V | - - - | 950 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS037N08B | 2.8200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | FDMS037 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 100a (TC) | 10V | 3,7 MOHM @ 50A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 5915 PF @ 37,5 V. | - - - | 830 MW (TA), 104,2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP45N15V2 | 2.5800 | ![]() | 2954 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP45 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 150 v | 45a (TC) | 10V | 40mohm @ 22.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 94 NC @ 10 V | ± 30 v | 3030 PF @ 25 V. | - - - | 220W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta124eet1g | 0,2100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta124 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDT86246 | 1.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FDT86 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 150 v | 2a (ta) | 6 V, 10V | 236mohm @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 215 PF @ 75 V | - - - | 2.2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Nttfs4c08ntwg | - - - | ![]() | 7048 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NTTFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 9.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 5.9mohm @ 30a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 18.2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1113 PF @ 15 V | - - - | 820 MW (TA), 25,5 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMMBT3904WT1G | 0,4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SMMBT3904 | 150 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | - - - | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mm5z7v5t1g | 0,2500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | MM5Z7 | 500 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 5 V | 7,5 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M1MA151AT1 | - - - | ![]() | 3332 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | M1MA151 | Standard | SC-59 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 1,2 V @ 100 mA | 3 ns | 100 na @ 35 V | 150 ° C (max) | 100 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mun2233t1g | 0,1700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Mun2233 | 230 MW | SC-59 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
FNA40560 | - - - | ![]() | 8496 | 0.00000000 | Onsemi | Bewegung SPM® 45 | Rohr | Veraltet | K. Loch | 26-Powerdip-Modul (1.024 ", 26,00 mm) | IGBT | FNA40 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 72 | 3 Phase | 5 a | 600 V | 2000VRMs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4922NET1G | - - - | ![]() | 1374 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 17.1a (TA), 147a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2mohm @ 30a, 10V | 2v @ 250 ähm | 76,5 NC @ 10 V | ± 20 V | 5505 PF @ 15 V | - - - | 930 MW (TA), 69.44 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH110N65F-F155 | 7.9800 | ![]() | 419 | 0.00000000 | Onsemi | FRFET®, Superfet® II | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | FCH110 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 35a (TC) | 10V | 110MOHM @ 17.5a, 10V | 5v @ 3,5 mA | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4895 PF @ 100 V | - - - | 357W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5388BG | 0,4800 | ![]() | 3906 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5388 | 5 w | Axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 152 V. | 200 v | 480 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Rurg8060 | - - - | ![]() | 1356 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-2 | Rurg80 | Standard | To-247-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,6 V @ 80 a | 85 ns | 250 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 80a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF13N80 | 5.0200 | ![]() | 330 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | Fqaf13 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 800 V | 8a (TC) | 10V | 750MOHM @ 4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 30 v | 3500 PF @ 25 V. | - - - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
FLZ7V5C | - - - | ![]() | 8014 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | FLZ7 | 500 MW | SOD-80 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 300 na @ 4 v | 7,5 v | 6.6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB160-09R | 0,5200 | ![]() | 6064 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | Schottky | Bis 15 roh | - - - | 2156-SB160-09R | 380 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 850 mv @ 3 a | 50 ns | 600 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH6347-TL-H | - - - | ![]() | 9136 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | CPH634 | MOSFET (Metalloxid) | 6-cph | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 39mohm @ 3a, 4,5 V. | - - - | 10,5 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 860 PF @ 10 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVTSA3100ET3G | 0,4200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | NRVTSA3100 | Schottky | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 995 mv @ 3 a | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 14.3PF @ 100V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LC945p | 0,8700 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMUN2137LT1G | 0,1300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMun2137 | 246 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSBRD81045T4G | - - - | ![]() | 9527 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, SwitchMode ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SSBRD81045 | Schottky | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 840 mv @ 20 a | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HN2D02FUTW1T1G | 0,4600 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | HN2D02 | Standard | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 3 Unabhängig | 80 v | 100 mA (DC) | 1,2 V @ 100 mA | 3 ns | 100 na @ 75 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8424H_F085 | - - - | ![]() | 3278 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-5, dpak (4 Leitete + Tab), to-252ad | FDD8424 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | To-252 (dpak) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 9a, 6,5a | 24MOHM @ 9A, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 1000pf @ 20V | Logikpegel -tor |
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