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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD8586 | - - - | ![]() | 9886 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD858 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5,5 MOHM @ 35A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 2480 PF @ 10 V. | - - - | 77W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5373BRLG | 0,4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5373 | 5 w | Axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 51,7 V. | 68 v | 44 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA733CYTA | - - - | ![]() | 5340 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSA733 | 250 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mun5236DW1T1 | - - - | ![]() | 8117 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mun52 | 250 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 100kohm | 100kohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF170LT3 | - - - | ![]() | 4036 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBF17 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 500 mA (TA) | 10V | 5ohm @ 200 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 60 PF @ 10 V | - - - | 225 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4410 | - - - | ![]() | 6762 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2N4410 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 80 v | 200 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 200 mv @ 100 ua, 1 mA | 60 @ 10 ma, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP030N06B-F102 | 2.5200 | ![]() | 3105 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FDP030 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 10V | 3,1 MOHM @ 100A, 10V | 4v @ 250 ähm | 99 NC @ 10 V | ± 20 V | 8030 PF @ 30 V | - - - | 205W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI3457DV | - - - | ![]() | 4702 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | Si345 | MOSFET (Metalloxid) | Supersot ™ -6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 50mohm @ 4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 8.1 NC @ 5 V | ± 25 V | 470 PF @ 25 V. | - - - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD3N60TM | - - - | ![]() | 7814 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Fqd3 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 2.4a (TC) | 10V | 3,6OHM @ 1,2a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 30 v | 450 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 50 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD5670 | - - - | ![]() | 3249 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD567 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 52a (ta) | 6 V, 10V | 15mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 73 NC @ 10 V | ± 20 V | 2739 PF @ 15 V | - - - | 3,8 W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMMSZ5261BT1 | - - - | ![]() | 9629 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 36 v | 47 v | 105 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS2672 | 2.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMS26 | MOSFET (Metalloxid) | 8-mlp (5x6), Power56 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 200 v | 3.7a (TA), 20a (TC) | 6 V, 10V | 77mohm @ 3.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2315 PF @ 100 V | - - - | 2,5 W (TA), 78 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
FDW2511NZ | - - - | ![]() | 3232 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | FDW25 | MOSFET (Metalloxid) | 1.6W | 8-tssop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 20V | 7.1a | 20mohm @ 7.1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 17.3nc @ 4,5V | 1000pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C4V3 | - - - | ![]() | 6771 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 7% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55C4 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,3 V @ 100 mA | 1 µa @ 1 V | 4.3 v | 75 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS6H800NWFT1G | 4.4900 | ![]() | 6772 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS6 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 80 v | 28a (TA), 203a (TC) | 10V | 2,1 MOHM @ 50A, 10V | 4V @ 330 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 5530 PF @ 40 V | - - - | 3,8 W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA42RLRP | - - - | ![]() | 8329 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPSA42 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 25 @ 1ma, 10V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT4401M3T5G | 0,3400 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | MMBT4401 | 265 MW | SOT-723 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 40 v | 600 mA | - - - | Npn | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSBC123JF3T5G | 0,1061 | ![]() | 7868 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-1123 | NSBC123 | 254 MW | SOT-1123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337-16ZL1G | - - - | ![]() | 9627 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | BC337 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 800 mA | 100na | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 210 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3979-TL-e | - - - | ![]() | 8146 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 700 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ech8662-tl-hx | - - - | ![]() | 2820 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Ech8662 | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf3p50 | - - - | ![]() | 5736 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Fqpf3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 500 V | 1,9a (TC) | 10V | 4,9ohm @ 950 mA, 10V | 5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 660 PF @ 25 V. | - - - | 39W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SURD107T4G-VF01 | - - - | ![]() | 3878 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Surd107 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 488-surd107t4g-vf01tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sbas40lt1g | 0,4100 | ![]() | 6661 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SBAS40 | Schottky | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 1 V @ 40 mA | 1 µa @ 25 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 120 Ma | 5PF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3787s | 0,2300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J271 | - - - | ![]() | 6257 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | J271 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | - - - | 30 v | 6 ma @ 15 V | 1,5 V @ 1 na | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFD5485NLT1G | 1.1465 | ![]() | 2243 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | NVMFD5483 | MOSFET (Metalloxid) | 2.9W | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 5.3a | 44mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 560PF @ 25v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8978 | 1.0100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS89 | MOSFET (Metalloxid) | 1.6W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 7.5a | 18Mohm @ 7.5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 1270PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF0201NLT1 | - - - | ![]() | 1029 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBF02 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MMBF0201NLT1OStr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 300 mA (TA) | 1OHM @ 300 mA, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 45 PF @ 5 V. | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBE805-TL-W | 0,8600 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | SBE805 | Schottky | 5-cph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 30 v | 500 mA | 550 MV @ 500 mA | 10 ns | 30 µa @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C. |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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