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Diskette HalblerProdukte (26937)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Triactyp Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
MJH11017 onsemi MJH11017 - - -
RFQ
 ECAD 9220 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-218-3 MJH11 150 w SOT-93 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MJH11017OS Ear99 8541.29.0095 30 150 v 15 a 1ma PNP - Darlington 4v @ 150 mA, 15a 400 @ 10a, 5v 3MHz
BC183 onsemi BC183 - - -
RFQ
 ECAD 4093 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) BC183 350 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 30 v 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 40 @ 10 µA, 5 V 150 MHz
Z0109MAG onsemi Z0109mag - - -
RFQ
 ECAD 6415 0.00000000 Onsemi - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper Z010 To-92 (to-226) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 5.000 Einzel 10 ma Logik - Sensitive Gate 600 V 1 a 1,3 v 8a @ 60Hz 10 ma
MMSZ4688ET3 onsemi MMSZ4688ET3 - - -
RFQ
 ECAD 9180 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ46 500 MW SOD-123 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 10 µa @ 3 V 4,7 v
FFSH10120A-F085 onsemi FFSH10120A-F085 12.6200
RFQ
 ECAD 420 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 FFSH10120 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 0 ns 200 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 17a 612pf @ 1V, 100 kHz
2SC4027S-E onsemi 2SC4027S-e - - -
RFQ
 ECAD 9498 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa 2SC4027 1 w Tp Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 500 160 v 1,5 a 1 µA (ICBO) Npn 450 MV @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 100 Ma, 5V 120 MHz
2SC3457M onsemi 2SC3457m 0,6700
RFQ
 ECAD 6351 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 340
NVMFS5C612NLWFAFT1G onsemi NVMFS5C612NLWFAFT1G 2.2993
RFQ
 ECAD 4238 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NVMFS5 MOSFET (Metalloxid) 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 60 v 38a (TA), 250a (TC) 4,5 V, 10 V. 1,36MOHM @ 50a, 10 V. 2v @ 250 ähm 91 nc @ 10 v ± 20 V 6660 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 167W (TC)
BC847BPDW1T3G onsemi BC847BPDW1T3G 0,2400
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 380 MW SC-88/SC70-6/SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 600mv @ 5 mA, 100 mA / 650 mV @ 5 mA, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
1N4731ARL onsemi 1N4731Arl 1.0000
RFQ
 ECAD 4415 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 10 µa @ 1 V 4.3 v 9 Ohm
BC558BRL1G onsemi BC558BRL1G - - -
RFQ
 ECAD 5137 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) BC558 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 30 v 100 ma 100na PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 180 @ 2MA, 5V 360 MHz
FJP13009H2 onsemi FJP13009H2 - - -
RFQ
 ECAD 5787 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FJP13009 100 w To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 200 400 V 12 a - - - Npn 3v @ 3a, 12a 15 @ 5a, 5V 4MHz
Z0109MARLRPG onsemi Z0109Marlrpg - - -
RFQ
 ECAD 8806 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) Z010 To-92 (to-226) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 2.000 Einzel 10 ma Logik - Sensitive Gate 600 V 1 a 1,3 v 8a @ 60Hz 10 ma
NTF3055L175T1 onsemi NTF3055L175T1 - - -
RFQ
 ECAD 5698 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa NTF305 MOSFET (Metalloxid) SOT-223 (to-261) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen NTF3055L175T1OS Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 60 v 2a (ta) 5v 175mohm @ 1a, 5V 2v @ 250 ähm 10 nc @ 5 v ± 15 V 270 PF @ 25 V. - - - 1,3W (TA)
SZBZX84C22LT3G onsemi SZBZX84C22LT3G 0,1800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Onsemi Automotive, AEC-Q101, SZBZX84CXXXLT1G Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SZBZX84 225 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 15.4 v 22 v 55 Ohm
FGB3245G2-F085C onsemi FGB3245G2-F085C 4.3500
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Logik 150 w To-263 (D2pak) - - - Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar Verkäfer undefiniert 2832-FGB3245G2-F085CTR Ear99 8541.29.0095 115 300 V, 6,5a, 1kohm, 5 V. 2,6 µs - - - 450 V 41 a 1,25 V @ 4V, 6a - - - 23 NC 900 ns/5,4 µs
FCP20N60_F080 onsemi FCP20N60_F080 - - -
RFQ
 ECAD 5361 0.00000000 Onsemi Superfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FCP20 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 5 V @ 250 ähm 98 NC @ 10 V. ± 30 v 3080 PF @ 25 V. - - - 208W (TC)
NXH100B120H3Q0PG onsemi NXH100B120H3Q0PG 90.1200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 186 w Standard 22-Pim (55x32,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NXH100B120H3Q0PG Ear99 8541.29.0095 24 2 Unabhängig TRABENFELD STOPP 1200 V 61 a 2,3 V @ 15V, 50a 200 µA NEIN 9.075 NF @ 20 V
FQP47P06 onsemi FQP47P06 3.4100
RFQ
 ECAD 7962 0.00000000 Onsemi QFET® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FQP47 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 P-Kanal 60 v 47a (TC) 10V 26mohm @ 23.5a, 10V 4v @ 250 ähm 110 nc @ 10 v ± 25 V 3600 PF @ 25 V. - - - 160W (TC)
PCISL9R18120W onsemi PCISL9R18120W - - -
RFQ
 ECAD 4725 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 488-pcisl9r18120w Ear99 8541.29.0095 1
FDMS86101E onsemi FDMS86101E - - -
RFQ
 ECAD 1911 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn FDMS86101 MOSFET (Metalloxid) 8-PQFN (5x6) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2832-FDMS86101etr Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 100 v 12,4a (TA), 60A (TC) 6 V, 10V 8mohm @ 13a, 10V 4v @ 250 ähm 55 NC @ 10 V ± 20 V 3000 PF @ 50 V - - - 2,5 W (TA), 104W (TC)
M1MA151WAT1G onsemi M1MA151WAT1G 0,0362
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 M1MA151 Standard SC-59 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 40 v 100 mA (DC) 1,2 V @ 100 mA 10 ns 100 na @ 35 V 150 ° C (max)
2N4402BU onsemi 2N4402BU - - -
RFQ
 ECAD 2346 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 2N4402 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1.000 40 v 600 mA - - - PNP 750 MV @ 50 Ma, 500 mA 50 @ 150 mA, 2V - - -
NST847BPDP6T5G onsemi NST847BPDP6T5G 0,3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-963 NST847 350 MW SOT-963 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 8.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 600mv @ 5 mA, 100 mA / 700 mV @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V / 220 @ 2MA, 5V 100 MHz
MJD2955RLG onsemi MJD2955RLG - - -
RFQ
 ECAD 9839 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MJD2955 1,75 w Dpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.800 60 v 10 a 50 µA PNP 8v @ 3,3a, 10a 20 @ 4a, 4V 2MHz
MMUN2130LT1G onsemi MMUN2130LT1G 0,1800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMun2130 246 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 250mv @ 5ma, 10 mA 3 @ 5ma, 10V 1 Kohms 1 Kohms
MMBZ5248BLT1G onsemi MMBZ5248BLT1G 0,1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5248 225 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 14 v 18 v 21 Ohm
MMBZ5244ELT3G onsemi Mmbz5244elt3g - - -
RFQ
 ECAD 7367 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 10 v 14 v 15 Ohm
1N5378B onsemi 1N5378B - - -
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 1N5378 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1N5378BOS Ear99 8541.10.0050 1.000
FCU850N80Z onsemi FCU850N80Z 1.1305
RFQ
 ECAD 5391 0.00000000 Onsemi Superfet® II Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa FCU850 MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 800 V 6a (TC) 10V 850mohm @ 3a, 10V 4,5 V @ 600 ähm 29 NC @ 10 V ± 20 V 1315 PF @ 100 V - - - 75W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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