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Diskette HalblerProdukte (26937)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Triactyp Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
BZX79C5V1 onsemi BZX79C5V1 0,2400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial BZX79C5 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 100 mA 2 µa @ 2 V 5.1 v 60 Ohm
FDC6301N onsemi FDC6301N 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 FDC6301 MOSFET (Metalloxid) 700 MW Supersot ™ -6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 25 v 220 Ma 4OHM @ 400 mA, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 0,7nc @ 4,5 v 9.5PF @ 10V Logikpegel -tor
FSB6714 onsemi FSB6714 - - -
RFQ
 ECAD 5183 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 FSB671 SOT-23-3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 30 v - - - Npn - - - - - - - - -
2N5886G onsemi 2n5886g - - -
RFQ
 ECAD 1117 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2n5886 200 w To-204 (to-3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2N5886GOS Ear99 8541.29.0095 100 80 v 25 a 2ma Npn 4v @ 6.25a, ​​25a 20 @ 10a, 4V 4MHz
FDG327N onsemi FDG327N - - -
RFQ
 ECAD 2056 0.00000000 Onsemi Powertrench® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FDG327 MOSFET (Metalloxid) SC-88 (SC-70-6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 1,5a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 90 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 6,3 NC @ 4,5 V. ± 8 v 423 PF @ 10 V. - - - 420 MW (TA)
MURA230T3G onsemi Mura230t3g 0,5300
RFQ
 ECAD 4903 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Mura230 Standard SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 300 V 1,3 V @ 2 a 65 ns 5 µA @ 300 V -65 ° C ~ 175 ° C. 2a - - -
PN3638_J05Z onsemi PN3638_J05Z - - -
RFQ
 ECAD 9269 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) PN363 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1.500 25 v 800 mA 35na PNP 1v @ 30 mA, 300 mA 30 @ 300 mA, 2V - - -
EMD5DXV6T5G onsemi EMD5DXV6T5G - - -
RFQ
 ECAD 4819 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 EMD5DXV6 500 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 8.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 250 mV @ 300 µA, 10 mA 80 @ 5ma, 10 v / 20 @ 5 mA, 10 V. - - - 4.7kohms, 47kohms 10kohms, 47kohms
FQB55N10TM onsemi FQB55N10TM 2.4500
RFQ
 ECAD 3554 0.00000000 Onsemi QFET® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab FQB55N10 MOSFET (Metalloxid) D²pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 100 v 55a (TC) 10V 26mohm @ 27.5a, 10V 4v @ 250 ähm 98 NC @ 10 V. ± 25 V 2730 PF @ 25 V. - - - 3,75W (TA), 155W (TC)
KSC1187OBU onsemi KSC1187OBU - - -
RFQ
 ECAD 6579 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) KSC1187 250 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1.000 20 v 30 ma 100NA (ICBO) Npn - - - 70 @ 2MA, 10V 700 MHz
FDP2552 onsemi FDP2552 2.2600
RFQ
 ECAD 759 0.00000000 Onsemi Powertrench® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FDP25 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 150 v 5a (ta), 37a (TC) 6 V, 10V 36mohm @ 16a, 10V 4v @ 250 ähm 51 NC @ 10 V ± 20 V 2800 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
BC817-25LT3G onsemi BC817-25LT3G 0,1800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC817 300 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 160 @ 100 mA, 1V 100 MHz
FQP7N20L onsemi Fqp7n20l - - -
RFQ
 ECAD 7566 0.00000000 Onsemi QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FQP7 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 200 v 6,5a (TC) 5v, 10V 750MOHM @ 3.25A, 10V 2v @ 250 ähm 9 NC @ 5 V ± 20 V 500 PF @ 25 V. - - - 63W (TC)
2SC3645S-TD-E onsemi 2SC3645S-TD-E 0,1600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-2SC3645S-TD-E-488 1
BC33840TA onsemi BC33840ta - - -
RFQ
 ECAD 3840 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC338 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 25 v 800 mA 100na Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 250 @ 100 mA, 1V 100 MHz
MJE15029 onsemi MJE15029 - - -
RFQ
 ECAD 1840 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MJE15 50 w To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MJE15029OS Ear99 8541.29.0075 50 120 v 8 a 100 µA PNP 500mv @ 100 mA, 1a 20 @ 4a, 2v 30 MHz
MPS6717RLRA onsemi MPS6717RLRA - - -
RFQ
 ECAD 6640 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) MPS671 1 w To-92 (to-226) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 80 v 500 mA 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 10 mA, 250 mA 50 @ 250 mA, 1V - - -
NTMD2C02R2 onsemi NTMD2C02R2 - - -
RFQ
 ECAD 4254 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) NTMD2C MOSFET (Metalloxid) 2W 8-soic Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen NTMD2C02R2OS Ear99 8541.29.0095 2.500 N und p-kanal 20V 5.2a, 3,4a 43mohm @ 4a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 20nc @ 4,5 V 1100PF @ 10V Logikpegel -tor
MR856RL onsemi MR856RL - - -
RFQ
 ECAD 9255 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-201aa, Do-27, axial MR85 Standard Axial Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.200 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,25 V @ 3 a 300 ns 10 µa @ 600 V -65 ° C ~ 125 ° C. 3a - - -
MBR735 onsemi MBR735 - - -
RFQ
 ECAD 5230 0.00000000 Onsemi SwitchMode ™ Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 MBR735 Schottky To-220-2 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 35 V 840 mv @ 15 a 100 µA @ 35 V -65 ° C ~ 175 ° C. 7.5a - - -
BC637RL1G onsemi BC637RL1G - - -
RFQ
 ECAD 7051 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) BC637 625 MW To-92 (to-226) - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 60 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 2V 200 MHz
MAC16M onsemi MAC16M - - -
RFQ
 ECAD 6391 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 MAC16 To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 50 Einzel 50 ma Standard 600 V 16 a 1,5 v 150a @ 60Hz 50 ma
KSC2500CBU onsemi KSC2500CBU - - -
RFQ
 ECAD 7890 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper KSC2500 900 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 6.000 10 v 2 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 50 Ma, 2a 300 @ 500 mA, 1V 150 MHz
BC847CDW1T1G onsemi BC847CDW1T1G 0,2200
RFQ
 ECAD 351 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 380 MW SC-88/SC70-6/SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 600mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
FDMS10C4D2N onsemi FDMS10C4D2N 3.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn FDMS10 MOSFET (Metalloxid) 8-PQFN (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 100 v 17a (TC) 6 V, 10V 4,2mohm @ 44a, 10V 4v @ 250 ähm 65 NC @ 10 V ± 20 V 4500 PF @ 50 V - - - 125W (TC)
2N4403RLRM onsemi 2N4403RLRM - - -
RFQ
 ECAD 7515 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) 2N4403 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 40 v 600 mA - - - PNP 750 MV @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 200 MHz
FFSB0665A onsemi Ffsb0665a 2.2460
RFQ
 ECAD 1025 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab FFSB0665 SIC (Silicon Carbide) Schottky D²pak-3 (to-263-3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 800 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,75 V @ 6 a 0 ns 200 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 9a 361pf @ 1v, 100 kHz
MJD243 onsemi MJD243 - - -
RFQ
 ECAD 8871 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MJD24 1,4 w Dpak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 75 100 v 4 a 100NA (ICBO) Npn 600mv @ 100 mA, 1a 40 @ 200 Ma, 1V 40 MHz
KSC2330YTA onsemi KSC2330YTA - - -
RFQ
 ECAD 4361 0.00000000 Onsemi - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) KSC2330 1 w To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 300 V 100 ma 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 1ma, 10 mA 120 @ 20 mA, 10V 50 MHz
FQD8P10TM_F080 onsemi FQD8P10TM_F080 - - -
RFQ
 ECAD 5350 0.00000000 Onsemi QFET® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Fqd8 MOSFET (Metalloxid) To-252aa - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 100 v 6.6a (TC) 10V 530mohm @ 3,3a, 10V 4v @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 30 v 470 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 44W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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