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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Leistung - Ausgang | Gewinnen | Aktuell | Stromspannung | Spannung - Isolation | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTTFS5C454NLTAG | 2.1600 | ![]() | 6749 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NTTFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 20A (TA), 85A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,8 MOHM @ 20A, 10V | 2v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 3,2 W (TA), 55 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVTFS5124PLTWG | 0,7400 | ![]() | 7657 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NVTFS5124 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | P-Kanal | 60 v | 2.4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 260 MOHM @ 3A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6 nc @ 10 v | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA), 18W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD14N05LSM9A | 0,8200 | ![]() | 6175 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RFD14N05 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 50 v | 14a (TC) | 5v | 100mohm @ 14a, 5V | 2v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 10 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTTFD018N08LC | 1.6142 | ![]() | 8398 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 12-Powerwqfn | NTTFD018 | MOSFET (Metalloxid) | 1,7W (TA), 26W (TC) | 12-WQFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-nttfd018n08lctr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 80V | 6a (ta), 26a (TC) | 18mohm @ 7.8a, 10V | 2,5 V @ 44 ähm | 12.4nc @ 10v | 856PF @ 40V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmfz5v6t1g | - - - | ![]() | 8829 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Mmfz5v | 500 MW | SOD-123 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5.6 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C6V2LT1 | - - - | ![]() | 5457 | 0.00000000 | Onsemi | BZX84CXXXLT1G | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C6 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NRVBSS13HE | 0,4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | NRVBSS13 | Schottky | SOD-323HE | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 5.6 ns | 50 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 55PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSW51A | - - - | ![]() | 1697 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MPSW51 | 1 w | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MPSW51AOS | Ear99 | 8541.29.0075 | 5.000 | 40 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 100 mA, 1a | 60 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDB1D7N10CL7 | 7.5500 | ![]() | 4818 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | FDB1D7 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 268a (TC) | 6 V, 15V | 1,65 MOHM @ 100A, 15 V | 4V @ 700 ähm | 163 NC @ 10 V | ± 20 V | 11600 PF @ 50 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1700E-e | 0,2800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD78N03-035 | - - - | ![]() | 4431 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | NTD78 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 25 v | 11,4a (TA), 78A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 78a, 10V | 3v @ 250 ähm | 35 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 2250 PF @ 12 V | - - - | 1,4W (TA), 64W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC212L_J35Z | - - - | ![]() | 2703 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC212 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 50 v | 300 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5ma, 100 mA | 60 @ 2MA, 5V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD1616AGBU | 0,4000 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSD1616 | 750 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 300 mV @ 50 Ma, 1a | 200 @ 100 Ma, 2V | 160 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBT1572LT1G | 0,0200 | ![]() | 117 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FSB32560 | - - - | ![]() | 4454 | 0.00000000 | Onsemi | Bewegung SPM® 3 | Rohr | Veraltet | K. Loch | 27-Powerdip-Modul (1,205 ", 30.60 mm) | IGBT | FSB325 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3 Phase | 25 a | 600 V | 2500 VRMs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ4711T1 | - - - | ![]() | 9526 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ47 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 NA @ 20.4 V. | 27 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75545P3 | - - - | ![]() | 6408 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Hufa75 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-Kanal | 80 v | 75a (TC) | 10V | 10MOHM @ 75A, 10V | 4v @ 250 ähm | 235 NC @ 20 V | ± 20 V | 3750 PF @ 25 V. | - - - | 270W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SZNZ8F10VSMX2WT5G | 0,0818 | ![]() | 1234 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, NZ8F | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,3% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 2-xdfn | 250 MW | 2-X2DFNW (1x0.6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-SZNZ8F10VSMX2WT5GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 7 v | 10 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5486_D27Z | - - - | ![]() | 6057 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 25 v | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N5486 | 400 MHz | Jfet | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | N-Kanal | 20 ma | - - - | - - - | 4db | 15 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB3003CH-TL-W. | 0,6600 | ![]() | 614 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | SB3003 | Schottky | 6-cph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 520 mv @ 3 a | 20 ns | 42 µa @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 90pf @ 10v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1S922TR | - - - | ![]() | 6834 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1S92 | Standard | Do-35 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 30.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 150 v | 1,2 V @ 200 Ma | 100 NA @ 150 V | 200 ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6688S | - - - | ![]() | 4677 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS66 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 16a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 16a, 10V | 3V @ 1ma | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 3290 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7079ZN3 | - - - | ![]() | 1845 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soikale (0,154 ", 3,90 mm Breit) Exponiertebad | FDS70 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SO FLMP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 16a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7,5 MOHM @ 16A, 10V | 3v @ 250 ähm | 55 NC @ 5 V. | ± 25 V | 3630 PF @ 15 V | - - - | 3.13W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z16VST1 | - - - | ![]() | 5910 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Mm3z1 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 11.2 V. | 16.18 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mura230t3 | - - - | ![]() | 5760 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Mura230 | Standard | SMA | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Mura230t3os | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 2 a | 65 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSBA124EDXV6T1 | - - - | ![]() | 1664 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSBA124 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | - - - | 22kohm | 22kohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5955BRL | - - - | ![]() | 6497 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5955 | 3 w | Axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 136,8 V. | 180 v | 900 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5987B_T50R | - - - | ![]() | 4714 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5987 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 50 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC86244 | 0,8800 | ![]() | 9908 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | FDC8624 | MOSFET (Metalloxid) | Supersot ™ -6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 2.3a (TA) | 6 V, 10V | 144mohm @ 2,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 6 nc @ 10 v | ± 20 V | 345 PF @ 75 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Vn2222llrlra | - - - | ![]() | 3589 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | VN2222 | MOSFET (Metalloxid) | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 150 mA (TA) | 10V | 7.5OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | ± 20 V | 60 PF @ 25 V | - - - | 400 MW (TA) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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