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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Testedingung | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | FDS6673Az | - - - | ![]() | 1021 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS66 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 14,5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7,2 MOHM @ 14,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 118 NC @ 10 V | ± 25 V | 4480 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMMSZ4682T1G | 0,3500 | ![]() | 455 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SZMMSZ4682 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 1 V | 2,7 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75842S3ST | - - - | ![]() | 9256 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Hufa75 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 43a (TC) | 10V | 42mohm @ 43a, 10V | 4v @ 250 ähm | 175 NC @ 20 V | ± 20 V | 2730 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3819_D74Z | - - - | ![]() | 4475 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 25 v | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N3819 | - - - | Jfet | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | N-Kanal | 50 ma | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI12N60CTU | - - - | ![]() | 6028 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Fqi1 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak (to-262) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 650Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 30 v | 2290 PF @ 25 V. | - - - | 3.13W (TA), 225W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4H02NFT3G | - - - | ![]() | 9835 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 25 v | 37a (TA), 193a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,4mohm @ 30a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 40,9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2652 PF @ 12 V | - - - | 3.13W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ngb8207nt4g | - - - | ![]() | 2591 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NGB820 | Logik | 165 w | D²pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | - - - | - - - | 365 V | 20 a | 50 a | 2,6 V @ 4V, 20a | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMMBZ5246ELT1G | 0,0992 | ![]() | 9604 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SZMMBZ5246 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 17 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS6652RLRPG | - - - | ![]() | 6586 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPS665 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 1 a | 100na | PNP | 600mv @ 100 mA, 1a | 50 @ 500 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4757A_T50A | - - - | ![]() | 7559 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4757 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 38,8 V | 51 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZ1SMB5933BT3 | 0,2500 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 3 w | SMB | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 16,7 V | 22 v | 17,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT4403-D87Z | - - - | ![]() | 4937 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT4403 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40 v | 600 mA | - - - | PNP | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2073H2TSTU | - - - | ![]() | 2651 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Kruppierte führt | KSC2073 | 25 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 150 v | 1,5 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 500 mA, 10 V. | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1708S-an | - - - | ![]() | 9833 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-71 | 2SA1708 | 1 w | 3-nmp | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 100 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 40 mA, 400 mA | 100 @ 100 Ma, 5V | 120 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MTB29N15ET4 | 1.7800 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 169 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ4685T1 | - - - | ![]() | 4295 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ46 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 7,5 µa @ 2 V | 3.6 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJE210 | - - - | ![]() | 7701 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | MJE210 | 15 w | To-126 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MJE210OS | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 40 v | 5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 1,8 V @ 1a, 5a | 45 @ 2a, 1V | 65 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA28RLRP | - - - | ![]() | 9939 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPSA28 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 80 v | 500 mA | 500NA | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMMSZ18T1 | - - - | ![]() | 9926 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMFZ10T3G | - - - | ![]() | 5298 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMFZ10 | 500 MW | SOD-123 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 10 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD13N06TM | 0,6200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FQD13N06 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 10a (TC) | 10V | 140MOHM @ 5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 7,5 NC @ 10 V | ± 25 V | 310 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 28 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH6341-TL-E | - - - | ![]() | 5608 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | CPH634 | MOSFET (Metalloxid) | 6-cph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 5a (ta) | 4 V, 10V | 59mohm @ 3a, 10V | - - - | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 430 PF @ 10 V. | - - - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqi10n20ctu | - - - | ![]() | 8375 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Fqi1 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak (to-262) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 200 v | 9,5a (TC) | 10V | 360MOHM @ 4.75a, 10V | 4v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 30 v | 510 PF @ 25 V. | - - - | 72W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT6429LT1G | 0,1900 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT6429 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 200 ma | 100na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 500 @ 100 µA, 5V | 700 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC86012 | 3.9400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMC86 | MOSFET (Metalloxid) | Power33 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 23a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 2,7 MOHM @ 23A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 38 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 5075 PF @ 15 V | - - - | 2,3 W (TA), 54W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP131G | - - - | ![]() | 3418 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP131 | 2 w | To-220 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 8 a | 500 ähm | NPN - Darlington | 3v @ 30 Ma, 6a | 1000 @ 4a, 4V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCPF650N80Z | 3.4000 | ![]() | 987 | 0.00000000 | Onsemi | Superfet® II | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FCPF650 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 8a (TC) | 10V | 650Mohm @ 4a, 10V | 4,5 v Bei 800 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 1565 PF @ 100 V | - - - | 30,5 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRB20100CTT4 | - - - | ![]() | 7971 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB201 | Schottky | D²pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 850 mV @ 10 a | 100 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD32CTF-ON | - - - | ![]() | 3108 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 1,56 w | To-252-3 (dpak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 100 v | 3 a | 50 µA | PNP | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 25 @ 1a, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX599_D74Z | - - - | ![]() | 5002 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | - - - | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BCX599 | To-92-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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