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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | FDN5630 | 0,4800 | ![]() | 6660 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FDN563 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 1.7a (ta) | 6 V, 10V | 100MOHM @ 1,7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 400 PF @ 15 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA06RL1G | - - - | ![]() | 8047 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPSA06 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 80 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC338 | - - - | ![]() | 7664 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC338 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 25 v | 800 mA | 100na | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1ZMMBZ5234BLT1 | 0,0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJF45H11 | - - - | ![]() | 7826 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MJF45 | 2 w | To-220fp | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 80 v | 10 a | 1 µA | PNP | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | 40 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP4N90 | - - - | ![]() | 8893 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP4 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 900 V | 4.2a (TC) | 10V | 3,3OHM @ 2,1a, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP5645 | - - - | ![]() | 9411 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FDP56 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 80A (TA) | 6 V, 10V | 9,5 MOHM @ 40A, 10V | 4v @ 250 ähm | 107 NC @ 10 V | ± 20 V | 4468 PF @ 30 V | - - - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD42CRLG | 0,9900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD42 | 1,75 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.800 | 100 v | 6 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 600 Ma, 6a | 15 @ 3a, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6673Az | - - - | ![]() | 1021 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS66 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 14,5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7,2 MOHM @ 14,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 118 NC @ 10 V | ± 25 V | 4480 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SZMMSZ4682T1G | 0,3500 | ![]() | 455 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SZMMSZ4682 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 1 V | 2,7 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS6652RLRPG | - - - | ![]() | 6586 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPS665 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 1 a | 100na | PNP | 600mv @ 100 mA, 1a | 50 @ 500 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
KSH112GTM_SB82051 | - - - | ![]() | 7064 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | KSH11 | 1,75 w | D-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100 v | 2 a | 20 µA | NPN - Darlington | 3v @ 40 mA, 4a | 1000 @ 2a, 3v | 25 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9014BTA | - - - | ![]() | 1103 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | SS9014 | 450 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 100 @ 1ma, 5V | 270 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSBC143EDXV6T1 | - - - | ![]() | 5841 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSBC143 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | NSBC143EDXV6T1OS | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 15 @ 5ma, 10V | - - - | 4.7kohm | 4.7kohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZT6714 | - - - | ![]() | 6786 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-3 | NZT67 | 1 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 30 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 50 @ 1a, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC86160 | 2.5100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMC86 | MOSFET (Metalloxid) | Power33 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 9A (TA), 43A (TC) | 6 V, 10V | 14mohm @ 9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1290 PF @ 50 V | - - - | 2,3 W (TA), 54W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NTR4101PT1H | 0,5500 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NTR4101 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1,8a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 85mohm @ 1,6a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 8,5 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 675 PF @ 10 V. | - - - | 420 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH3216-TL-E | 0,4900 | ![]() | 2527 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | CPH3216 | 900 MW | 3-cph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 190mv @ 10ma, 500 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 420 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C3V3 | 0,2400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX79C3 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 100 mA | 25 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4757A_T50A | - - - | ![]() | 7559 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4757 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 38,8 V | 51 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Fjz945ytf | - - - | ![]() | 2706 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-623F | FJZ945 | 100 MW | SOT-623F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 1ma, 6v | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C15LT1G | 0,1600 | ![]() | 8529 | 0.00000000 | Onsemi | BZX84CXXXLT1G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C15 | 250 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 10,5 V. | 15 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSBA124EDP6T5G | 0,0672 | ![]() | 8119 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-963 | NSBA124 | 408 MW | SOT-963 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | - - - | 22kohm | 22kohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZT44H8 | 1.0000 | ![]() | 4040 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | NZT44 | 1,5 w | SOT-223-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 60 v | 8 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75842S3ST | - - - | ![]() | 9256 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Hufa75 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 43a (TC) | 10V | 42mohm @ 43a, 10V | 4v @ 250 ähm | 175 NC @ 20 V | ± 20 V | 2730 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2Sc4134t-e | - - - | ![]() | 4593 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | 2SC4134 | 800 MW | Tp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | 100 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 40 mA, 400 mA | 200 @ 100ma, 5V | 120 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJC790TF | - - - | ![]() | 2308 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FJC79 | 500 MW | SOT-89-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 40 v | 2 a | 100na | PNP | 450 MV @ 50 Ma, 2a | 300 @ 10ma, 2v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ngb8207nt4g | - - - | ![]() | 2591 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NGB820 | Logik | 165 w | D²pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | - - - | - - - | 365 V | 20 a | 50 a | 2,6 V @ 4V, 20a | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZ1SMA5918BT3G | 0,6700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SZ1SMA5918 | 1,5 w | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 2,5 µa @ 2 V | 5.1 v | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf4n90c | - - - | ![]() | 5959 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Fqpf4 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 900 V | 4a (TC) | 10V | 4.2ohm @ 2a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 30 v | 960 PF @ 25 V. | - - - | 47W (TC) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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