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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | Aktuell | Stromspannung | Spannung - Isolation | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | NST857BMX2T5G | 0,3600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | 225 MW | 3-X2DFN (1x0.6) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTEFS2MS31NTDG | 0,0900 | ![]() | 487 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-NTEFS2MS31NTDG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFW9530TM | - - - | ![]() | 9212 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SFW953 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 10.5a (TC) | 10V | 300MOHM @ 5.3A, 10V | 4v @ 250 ähm | 38 nc @ 10 v | ± 30 v | 1035 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 66W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN6705a | - - - | ![]() | 6264 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | TN6705 | 1 w | To-226-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 45 V | 1,5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 1v @ 100 mA, 1a | 40 @ 250 mA, 2V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NGTB30N60FWG | - - - | ![]() | 8700 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | NGTB30 | Standard | 167 w | To-247-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30a, 10ohm, 15 V. | 72 ns | Graben | 600 V | 60 a | 120 a | 1,7 V @ 15V, 30a | 650 µJ (EIN), 650 µJ (AUS) | 170 nc | 81ns/190ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3119-TD-e | 0,2300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NFAM0512L5B | - - - | ![]() | 3267 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Veraltet | K. Loch | 39-Powerdip-Modul (1,413 ", 35,90 mm), 29 Leitungen | IGBT | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NFAM0512L5B | Ear99 | 8542.39.0001 | 90 | 3 Phase Wechselrichter | 5 a | 1,2 kv | 2500 VRMs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6637-F085 | - - - | ![]() | 3404 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD663 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 35 V | 21a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11,6 MOHM @ 14A, 10V | 3v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 25 V | 2370 PF @ 20 V | - - - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSS30201MR6T1G | 0,6100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | NSS30201 | 535 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 2 a | 100na | Npn | 75mv @ 1ma, 100 mA | 300 @ 500 mA, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mura160t3h | - - - | ![]() | 1614 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Mura160 | Standard | SMA | - - - | ROHS3 -KONFORM | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C426NWFT1G | - - - | ![]() | 9872 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 235a (TC) | 10V | 1,3 MOHM @ 50A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 20 V | 4300 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 128W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NDFPD1N150CG | - - - | ![]() | 7429 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | NDFPD1 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 1500 V | 100 mA (ta) | 10V | 150OHM @ 50 Ma, 10V | - - - | 4.2 NC @ 10 V | ± 30 v | 80 PF @ 30 V | - - - | 2W (TA), 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FSB50250bs | 4.8766 | ![]() | 7861 | 0.00000000 | Onsemi | Bewegung SPM® 5 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 23-Powermd-Modul, Möwenflügel | Mosfet | FSB50250 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 450 | 3 Phase Wechselrichter | 1.9 a | 500 V | 1500 VRMs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5069-TD-e | 0,1900 | ![]() | 152 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVMUN5133DW1T1G | 0,1177 | ![]() | 1962 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NSVMUN5133 | 250 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 4.7kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH5805-TL-E | 0,1600 | ![]() | 138 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjv1845emtf | - - - | ![]() | 4852 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FJV184 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 v | 50 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 400 @ 1ma, 6v | 110 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5350b | - - - | ![]() | 2773 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5350 | 5 w | Axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1n5350bos | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µa @ 9,9 V | 13 v | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1804T-e | 0,3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NXV65HR82DZ1 | 32.4111 | ![]() | 5081 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | 16-Ssip-Exponierte-Pad, Gebildete-Leads | Mosfet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NXV65HR82DZ1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 72 | H-Brückke | 26 a | 650 V | 5000 VRMs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1174FBU | - - - | ![]() | 3814 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | KSA1174 | 300 MW | To-92s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 120 v | 50 ma | 1 µA | PNP | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 300 @ 1ma, 6v | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDD60N550U1-35G | - - - | ![]() | 4214 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | NDD60 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 600 V | 8.2a (TC) | 10V | 550Mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 25 V | 540 PF @ 50 V | - - - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Nvmjd7d4n04cltwg | 0,7285 | ![]() | 5399 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Nvmjd7d4 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NVMJD7D4N04CLTWGTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSCT3906LT3G | - - - | ![]() | 7480 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NSCT39 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40 v | 200 ma | - - - | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC549BTAR | - - - | ![]() | 8580 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC549 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4741Arl | 0,0200 | ![]() | 6345 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,750 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3906-ON | - - - | ![]() | 6392 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC5039ftu | - - - | ![]() | 2739 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | KSC5039 | 30 w | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 5 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 500 Ma, 2,5a | 10 @ 300 mA, 5V | 10 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT6520LT3 | - - - | ![]() | 3803 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT6520 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 350 V | 500 mA | 50na (ICBO) | PNP | 1v @ 5 ma, 50 mA | 20 @ 50 Ma, 10 V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDW94CFTU | 1.2600 | ![]() | 875 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Bdw94 | 80 w | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 100 v | 12 a | 1ma | PNP - Darlington | 3v @ 100 mA, 10a | 750 @ 5a, 3v | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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