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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Spannung - Im Zustand (VTM) (max) | Aktuell - Aus dem Zustand (max) | SCR -Typ | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
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![]() | CPH6223-TL-E | 0,4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | CPH6223 | 1,3 w | 6-cph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 240mv @ 100 mA, 2a | 200 @ 100 Ma, 2V | 380 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF20UP60DNTU | - - - | ![]() | 8292 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FFPF20 | Standard | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 10a | 2,2 V @ 10 a | 70 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDH600_T50R | - - - | ![]() | 6030 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | FDH600 | Standard | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 30.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 1 V @ 200 Ma | 6 ns | 100 na @ 50 V | 175 ° C (max) | 200 ma | 2.5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6010b | - - - | ![]() | 4701 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6010 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 na @ 21 V | 27 v | 70 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB3632-F085 | - - - | ![]() | 4972 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FDB3632 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 12a (ta) | 10V | 9mohm @ 80a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 6000 PF @ 25 V. | - - - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mun2132T1 | - - - | ![]() | 6893 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Mun2132 | 230 MW | SC-59 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 15 @ 5ma, 10V | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Nvmfd5489nlwft1g | - - - | ![]() | 8649 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | NVMFD5483 | MOSFET (Metalloxid) | 3W | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 4,5a | 65mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12.4nc @ 10v | 330pf @ 25v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4141 | - - - | ![]() | 3361 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS41 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 10.8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 13mohm @ 10.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 49 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2670 PF @ 20 V | - - - | 5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJL4281AG | 6.4100 | ![]() | 5745 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | MJL4281 | 230 w | To-264 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | MJL4281AGOS | Ear99 | 8541.29.0075 | 25 | 350 V | 15 a | 100 µA | Npn | 1v @ 800 mA, 8a | 80 @ 5a, 5V | 35 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCR22-6G | - - - | ![]() | 6596 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MCR22 | To-92 (to-226) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 5.000 | 5 Ma | 400 V | 1,5 a | 800 mV | 15a @ 60Hz | 200 µA | 1,7 v | 10 µA | Sensibler tor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA642CYBU | - - - | ![]() | 2135 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSA642 | 400 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 25 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 120 @ 50 Ma, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N970BTR | - - - | ![]() | 5368 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N970 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA @ 18,2 V. | 24 v | 33 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN6719A_D75Z | - - - | ![]() | 3223 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | TN6719 | 1 w | To-226 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 300 V | 200 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 750 mv @ 3ma, 30 mA | 40 @ 30 ma, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD7N20TM | 0,8200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onsemi | Unifet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD7N20 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 5a (TC) | 10V | 690 MOHM @ 2,5A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 6.7 NC @ 10 V | ± 30 v | 250 PF @ 25 V. | - - - | 43W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5257BLT1G | 0,1400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5257 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 25 V. | 33 v | 58 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH25N60N | - - - | ![]() | 3953 | 0.00000000 | Onsemi | Supremos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | FCH25N60 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 25a (TC) | 10V | 126mohm @ 12.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 74 NC @ 10 V | ± 30 v | 3352 PF @ 100 V | - - - | 216W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPF102_D74Z | - - - | ![]() | 4506 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 25 v | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPF102 | - - - | Jfet | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | N-Kanal | 20 ma | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC549BBU | - - - | ![]() | 6865 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC549 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4123TF | - - - | ![]() | 7792 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N4123 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 2MA, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP122 | - - - | ![]() | 3323 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP122 | 2 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 5 a | 500 ähm | NPN - Darlington | 4v @ 20 mA, 5a | 1000 @ 3a, 3v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5229BLT1 | - - - | ![]() | 9548 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 4.3 v | 22 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB2N60TM | - - - | ![]() | 7003 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FQB2 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 2.4a (TC) | 10V | 4,7OHM @ 1,2a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 30 v | 350 PF @ 25 V. | - - - | 3.13W (TA), 64W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC654p | 0,5400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | FDC654 | MOSFET (Metalloxid) | Supersot ™ -6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.6a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 75mohm @ 3,6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 298 PF @ 15 V | - - - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFMA2N028Z | 0,7000 | ![]() | 464 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-VDFN-Exponiertebad | FDFMA2 | MOSFET (Metalloxid) | 6-microfet (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 3.7a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 68mohm @ 3,7a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 6 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 455 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1.4W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS5H600NLT1G-IRH1 | 2.1732 | ![]() | 7796 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NTMFS5H600NLT1G-IRH1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 60 v | 35A (TA), 250a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,3 MOHM @ 50A, 10V | 2v @ 250 ähm | 89 NC @ 10 V | ± 20 V | 6680 PF @ 30 V | - - - | 3,3 W (TA), 160 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6388G | 0,9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2N6388 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 10 a | 1ma | NPN - Darlington | 3v @ 100 mA, 10a | 1000 @ 5a, 3V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRVUD620CTT4G | 0,6900 | ![]() | 2181 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, SwitchMode ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SRVUD620 | Standard | Dpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 3a | 1 V @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTMS4404NR2 | - - - | ![]() | 6166 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | NTMS44 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 11,5 MOHM @ 12A, 10V | 3v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 2500 PF @ 24 V | - - - | 830 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSH10_D75Z | - - - | ![]() | 4399 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPSH10 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | - - - | 25 v | 50 ma | Npn | 60 @ 4ma, 10V | 650 MHz | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA614Rtu | - - - | ![]() | 9518 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | KSA614 | 25 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 55 v | 3 a | 50 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 40 @ 500 mA, 5V | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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